骁龙5G芯片曝光 采用EUV光刻 制程 7LPP EUV

　　2月23日消息，继续本月初三星高通在各种技术领域和移动设备范围达成多年战略合作关系之后，高通宣布与三星电子扩大EUV制程工艺的代工合作，包括采用三星7纳米LPP(Low Power Plus)EUV制程工艺制造未来骁龙5G移动芯片组。

　　去年五月，三星推出其首款采用EUV光刻解决方案的半导体制程工艺7LPP EUV。EUV光刻技术的部署预计将打破摩尔定律的壁垒，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。

　　据悉，通过采用三星7LPP EUV制程工艺，骁龙5G移动芯片组的芯片尺寸可以变得更小，从而为OEM厂商即将推出的产品提供更多可用空间，以支持更大电池或更纤薄设计。工艺改进与更先进芯片设计的结合预计将带来显著提升的电池续航。

　　相较于其前代10纳米FinFET技术，三星的7LPP EUV技术通过更少工艺步骤和更佳良率，不仅极大地降低了工艺复杂性，也带来了高达40%的面积效率，同时实现10%的性能提升或高达35%的功耗降低。

　　Qualcomm Technologies, Inc.供应链及采购高级副总裁RK Chunduru表示：“我们很高兴能够与三星共同引领5G移动行业。通过采用7纳米 LPP EUV，我们全新一代骁龙5G移动芯片组将充分利用工艺改进和先进的芯片设计，以提高未来终端的用户体验。”

　　三星电子代工业务销售及市场执行副总裁Charlie Bae表示：“我们很高兴扩大与Qualcomm Technologies的代工合作关系，在5G技术中采用我们的EUV制程工艺。此次合作是我们代工业务的里程碑，表明了对于三星领先制程工艺的信心。