元器件涨价蔓延,MOSFET驱动IC首季涨价

发布者:PeacefulWarrior最新更新时间:2018-04-03 来源: 集微网关键字:MOSFET 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

集微网消息,去年引爆的电子零组件缺货、涨价风潮至今不停歇,今年以来包括MOSFET、 驱动IC等今年首季均传出约百分之五到十间涨幅。

去年欧美及中国大陆的MOSFET厂均传涨价动作,台厂在稳固订单的策略下,迟迟不敢涨,但由于上游的硅晶圆去年好几波涨价,在成本上涨的压力下,今年第一季台湾的MOSFET厂终于传出平均调涨约百分之五,只是厂商多低调不愿证实。

MOSFET去年初开始就一路缺货,主要是过去几年下游终端新应用不断增加、带动需求大幅成长,主要包括人工智能相关,延伸到智能家庭、智能音箱等消费性产品,加上电动车快速发展、自驾车的推动、物联网 、云端中心等,使得MOSFET需求大增。

MOSFET厂商表示,随着新应用的出现,欧美主力生产MOSFET厂将产能大幅移转到以高端市场、且毛利率相对高的人工智能、车用等新应用,使得原本的全球台式电脑、笔记本电脑及传统3C等市场的MOSFET供给明显不足。

在驱动IC方面,随着下游新应用兴起,已排挤到八英寸晶圆代工厂LCD驱动IC的投片量,业界表示,由于晶圆代工厂提高八英寸晶圆代工费用,LCD驱动IC厂第一季已向面板厂提高IC报价百分之五至十,以反映成本上升的压力。

由于第一季八英寸半导体硅晶圆价格已经调涨,且八英寸晶圆厂关键设备缺货,因此晶圆代工厂短期内无法大举扩增八英寸晶圆代工产能,预料后市供需仍将吃紧。

关键字:MOSFET 引用地址:元器件涨价蔓延,MOSFET驱动IC首季涨价

上一篇:三星取代IBM成美国专利霸主:华为排名61
下一篇:元器件涨价蔓延,MOSFET驱动IC首季涨价

推荐阅读最新更新时间:2024-05-03 18:14

用N-CH的MOSFET来进行BUCK电路控制的方法
在降压型的DC/DC转换应用电路中,BUCK拓朴电路是最常用的。但是在BUCK电路中,作为开关用的功率管必须接在输入电源的正极,而由于功率管是用来做正极的通断控制的,因此在BUCK电路中,这种功率管必须要用P-CH的MOSFET或PNP的三极管作为开关管。 由于P-CH的MOSFET种类比N-CH的MOSFET种类较少,价格也会相对较高,有时候要找到合适的元器件并不容易,那可不可以用N-CH的MOSFET来作为正极通断控制的开关管呢?答案是肯定的,本文就提出了一种用N-CH的MOSFET来进行BUCK电路控制的办法。 在上图中,PWM信号是由信号发生器产生,仿真中采用的信号为60kHz,占空比为50%,幅值为5V。图中
[模拟电子]
用N-CH的<font color='red'>MOSFET</font>来进行BUCK电路控制的方法
车用MOSFET如何提高能量利用效率与质量可靠性
工程师在为汽车电子设计电源系统时可能会遇到在设计任何电源应用时都会面临的挑战。因为功率器件MOSFET必须能够承受极为苛刻的环境条件。环境工作温度超过120℃会使器件的结点温度升高,从而引发可靠性和其它问题。在极端环境下(如引擎盖下面的汽车电子应用),温度的迅速上升会使MOSFET意外导通,致使阈值电压接近零伏。 此外,MOSFET还必须能够承受开关关闭瞬间和负载突降故障所导致的高压尖脉冲。电气配线中大量的接头(位于适当位置以方便装配和维修接线)也大幅增加了与器件的电气连接中断的可能性。汽车工业非常关注质量和可靠性,因此MOSFET必须符合国际公认的AEC Q101标准。 上述每个方面都非常重要。但还有另外一个挑战,即提供
[电源管理]
车用<font color='red'>MOSFET</font>如何提高能量利用效率与质量可靠性
功率MOSFET降压型调节器MAX8505
MAX8505 降压型调节器 工作在2.6V至5.5V输入电压范围内,产生0.8V至0.85 x VIN的可调输出电压,电流可达3A。在外加2.6V至5.5V的偏置电源时,输入电压最低可达2.25V。   MAX8505集成了 功率MOSFET ,工作于1MHz/500kHz开关频率,以提供紧凑的设计。电流模式脉宽调制(PWM)控制功能简化了采用陶瓷电容或聚合物输出电容的补偿,并提供极好的瞬态响应。   MAX8505在整个负载、输入电源和温度范围内具有1%的精确输出。通过外部电容实现可调的软启动功能。在软启动期间,电压调节回路工作。当有源器件,如微处理器或是ASIC连接到MAX8505的输出,一旦超过其低压门限时将产生
[电源管理]
意法半导体新款的MDmesh™ MOSFET内置快速恢复二极管
eeworld网消息,中国,2017年5月22日 —— 意法半导体推出最新的MDmesh™ Dk5功率MOSFET管,内部增加一个快速恢复二极管的甚高压(VHV)超结晶体管,这样结构有助于设计人员最大限度提升各种功率转换拓扑的能效,包括零压开关(ZVS)LLC谐振转换器。 作为超结MOSFET管,新产品额定电压范围950V至1050V,开关性能、导通电阻(RDS(ON))和硅单位面积流过的额定电流等技术参数均优于平面结构的普通MOSFET晶体管。在大功率设备用功率转换器内,例如高总线电压的电信服务器或数据中心服务器、工业电焊机、等离子发电机、高频感应式加热器和X射线机内,意法半导体的新产品让设计人员能够提升应用能效,减少并联器
[半导体设计/制造]
英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A产品系列
随着产业发展,电动汽车不再只是一个流行词语,特别是新能源车补贴延至2022年,网友们纷纷直呼“真香”!电动汽车的强劲势头,反映了未来十年全球汽车行业的销量走向, 并呈现出一个明显趋势:电气化普及之势已然到来。 01 英飞凌 Show Ti me:技术、质量、生产的专业积累 为满足电动汽车市场的需求,英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化,可以满足电动汽车应用 (如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源)的要求。凭借英飞凌在汽车行业积累的10余年经验,CoolMOS™ CFD7A不仅具有远超AEC-Q101标准的卓越质量,还兼具无与伦比
[汽车电子]
英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 <font color='red'>MOSFET</font> CFD7A产品系列
电动防眩目后视镜方案原理详解
在新一代汽车外部后视镜中,内置功能的数量大幅增加:侧面回复反射器或转向灯/闪光灯、车门外部灯、除霜器、后视镜折叠和调节等等。除这些功能外,最近又增加了电动防眩目后视镜控制功能:在夜里后车大灯眩光刺眼时非常需要这种防眩目的后视镜。电动防眩目后视镜能够自动变暗,避免反射光照射驾驶员的双眼。 电动防眩目 (EC)镜是一种阻容等效负载:控制EC镜需要一个复杂的控制策略。EC镜在透明与颜色最深之间的电压是0V到1.2V;在颜色开始变深时,最大电流在150-250 mA之间。如果使用一个传统的线性控制器,从12V电瓶电压降到1.2V防眩目镜电压,将会损耗太多的电能(大约12-1.2V*0.15A=1.62W);考虑到电磁控制(EMC) 问题
[嵌入式]
Zetex 新型 MOSFET 适用于超低栅极驱动操作
模拟信号处理及功率管理解决方案供应商 Zetex Semiconductors 近日推出三款为有限驱动电压应用设计的N 沟道增强模式 MOSFET。 这三款新产品分别为 20V 的ZXMN2B03E6 (SOT236封装)、ZXMN2B14FH和ZXMN2B01F(两者均为SOT23封装)。这些器件均具有1.8VGS条件下的低损耗开关功能,可以使用两个1.2V 电池或一个锂离子电池驱动。其超低栅极驱动意味着可以直接通过逻辑门来驱动。 三款新 MOSFET可确保1.8VGS 条件下的导通电阻 (RDS(ON) ) 分别低于75毫欧(m)、100毫欧(m)和200毫欧(m),使之在低压应用中大显身手,例如高端分段开关的电平转换、升
[新品]
业内:国际IDM率先将车用MOSFET、IGBT迁到12英寸产线
据业内人士透露,国际IDM正率先将将高利润的汽车MOSFET和IGBT功率模块生产从8英寸迁移至12英寸,以提高其在该领域的竞争力。 《电子时报》援引该人士称,日本东芝半导体最近宣布计划投资1,000亿日元(合8.694亿美元),扩大其12英寸汽车电源模块fab产能。英飞凌和AOS也大胆采用12英寸晶圆产能内部生产高端汽车MOSFET和IGBT功率芯片解决方案,具有高毛利率和技术门槛。 在将生产重点转向汽车电源模块的同时,IDM们也在削减用于IT应用的MOSFET的产量,导致消费级MOSFET短缺,并促使客户将订单转向中国台湾的供应商。消息人士称,后者都在加强SGT MOSFET的生产,以满足商用笔记本电脑和台式电脑的订单。 与国
[手机便携]
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved