[据C4ISR网站2015年12月23日报道] 尽管存在硅的竞争,但无线通信的需求将继续推动砷化镓市场发展。
据美国市场研究和咨询公司——信息网络公司称,强大的无线通信需求使砷化镓集成电路市场2015年增长率超过25%。
每个手机都包含基于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)技术的功率放大器(PA)。一个2G手机包含一个PA,而一个3G手机通常含有多达五个PA。苹果的4G智能手机6S包含六个PA:Avago的ACPM-7600和ACPM-8010,高通的QFE2320和QFE2340,和Skyworks的sky85303和sky85707。
该公司的“砷化镓集成电路市场”报告称,虽然GaAs PA逐渐被硅基CMOS产品替代,继续失去市场份额,但在可预见的未来,仍将在RF技术领域占主导地位。
PA的定价已经从每个2G手机0.30美元提高到每个3G手机1.25美元,全球长期演进(LTE)技术中的PA为3.25美元。
关键字:砷化镓 集成电路
引用地址:砷化镓集成电路市场2015年增长率超过25%
据美国市场研究和咨询公司——信息网络公司称,强大的无线通信需求使砷化镓集成电路市场2015年增长率超过25%。
每个手机都包含基于砷化镓异质结双极晶体管(HBT)技术的功率放大器(PA)。一个2G手机包含一个PA,而一个3G手机通常含有多达五个PA。苹果的4G智能手机6S包含六个PA:Avago的ACPM-7600和ACPM-8010,高通的QFE2320和QFE2340,和Skyworks的sky85303和sky85707。
该公司的“砷化镓集成电路市场”报告称,虽然GaAs PA逐渐被硅基CMOS产品替代,继续失去市场份额,但在可预见的未来,仍将在RF技术领域占主导地位。
PA的定价已经从每个2G手机0.30美元提高到每个3G手机1.25美元,全球长期演进(LTE)技术中的PA为3.25美元。
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