三安光电再投巨资，拟投设Mini/Micro LED外延与芯片项目

三安光电宣布与湖北省葛店经济技术开发区管理委员会签订项目投资合同，投资总额120亿元。根据合同约定，三安光电将在湖北省葛店经济技术开发区管理委员会辖区内投资兴办III-V族化合物半导体项目，主要生产经营Mini/Micro LED外延与芯片产品及相关应用的研发、生产、销售。

三安光电表示，Mini/Micro LED是公司未来重点发展方向之一。本次投资项目符合国家产业政策规划，符合公司产业发展方向和发展战略，有利于改善公司产品结构，提升公司核心竞争力，巩固公司行业地位。

早在2018年9月，据业内人士称，三安光电将在2019年第一季度建立首条Micro LED外延片和芯片生产线。

据消息称，三安已经开发出了直径为20微米的Micro LED产品；与此同时，三安还将生产4微米LED和10微米的LED倒装芯片。

此外，截止到2018年9月，三安已申请27项Micro LED专利，并计划在2019年年底前开始生产用于智能可穿戴设备、100英寸以上大尺寸面板和汽车尾灯等小尺寸面板的Micro LED产品。

三安光电股份有限公司成立于2000年11月，主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。公司凭借强大的企业实力，继2014年扩大LED外延芯片研发与制造产业化规模、同时投资集成电路产业，建设砷化镓高速半导体与氮化镓高功率半导体项目之后，2018年三安光电在福建泉州南安高新技术产业园区，斥资333亿元投资Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、LED外延、芯片、微波集成电路、光通讯、射频滤波器、电力电子、SIC材料及器件、特种封装等产业。2022年项目建成后，三安光电将实现在半导体化合物高端领域的全产业链布局，公司的高新技术及生产规模迈入国际先进行列。