长江存储19年量产64层3D NAND，下一代将进入128层

来自集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）的消息称，紫光旗下的NAND Flash厂长江存储今年底前将正式量产64层Xtacking 3D NAND产品，而随其2020年逐步扩冲产能，预计将对全球NAND Flash市场供应与价格带来冲击。

       集邦预计，长江存储到年底扩张达至少每月60000片投片量，与其他竞争者动辄200000片以上的产能并不算大，但预估NAND Flash市场价格仍会受到一定冲击，进而导致跌价趋势持续。

       实际上，长江存储技术有限公司首席技术官程卫华此前在接受《日经亚洲评论》采访时便已透露，公司将在今年年底前大规模生产64层3D NAND闪存。目前，在中国政府的支持下，长江存储正在武汉建设一座240亿美元的半导体工厂，据悉该厂将大规模生产64层NAND闪存。

       目前，三星电子和SK海力士正在将90层工艺应用于3D NAND闪存的生产。SK海力士在去年完成研发后，开始大规模生产96层NAND闪存。三星计划在今年下半年推出100层NAND闪存。如果长江存储在今年年底前成功批量生产64层NAND闪存，其与三星电子的技术差距将显著缩小至两年左右。

       此外，为了尽快缩短与国外厂商的差距，长江存储在闪存技术上采取了跳跃式发展，32层堆栈的只是小量生产，64层堆栈是今明两年生产的主力，再下一代则会直接进入128层堆栈，跳过了三星、美光、东芝、Intel等公司现在力推的96层堆栈闪存，这几家公司预计在2020年才会推出128层堆栈的闪存。集邦认为，尽管长江存储在技术发展上仍与主要供应商有相当差距，但未来对市场的影响恐势难抵挡。