长江存储首批32层 3D NAND年内量产

长江存储于2016年7月26日在武汉新芯集成电路制造有限公司的基础上正式成立，公司主要股东包括大基金和紫光集团、湖北省科投以及湖北国芯产业投资基金等，目前为清华紫光集团的子公司。该公司被视为中国在存储领域赶超并挑战诸如三星电子，东芝，SK海力士，美光和英特尔等市场领导者的希望，这几家市场领导者垄断了2017年全球NAND闪存市场。

作为国家级存储项目基地，长江存储总投资金额达240亿美元。预计项目一期建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

据悉，长江存储首批400万美元的精密仪器已于4月5日抵达武汉，未来两年内将从全球多地进口近3万吨精密仪器至汉。今日，长江存储武汉基地芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层 3D NAND闪存芯片将于年内量产。

紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国在讲话中强调：国家存储器基地项目是中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破，相当于中国科技领域的航空母舰。在生产厂房于去年9月提前一个月封顶、32层三维NAND闪存芯片自主研发取得重大突破的基础上，今天我们又提前20天实现了芯片生产机台搬入。这正如航母舾装完毕，开始装配武器弹药，下一步就要在今年底实现芯片量产，出海远航。或许不久就可以看到采用国产三维NAND 闪存芯片的智能手机问世。未来十年，紫光计划至少将投资1000亿美元，相当于平均每年投入100亿美元。我们正处于一个伟大的时代，我们相信也必将产生伟大的企业，紫光正为此而积极奋斗。我们一定会努力完成国家赋予的历史使命。

大基金总裁丁文武表示，目前我国通用存储器全部依赖进口，国家存储器基地项目进展顺利，32层三维闪存芯片已经研发成功，存储器发展战略突破初现曙光，但这只是我们万里长征的第一步，未来还要在技术研发、人才培养引进、成本控制、运营管理以及市场竞争力提升等方面下大力气、下大功夫；希望长江存储在我国存储器产业乃至整个集成电路产业发展中闯出一条自主创新、打破垄断的新路。

据悉，国家存储器基地于去年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片，这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。