据青岛信网报道,截止2019年5月,青岛芯恩项目管理和技术团队已签约报到管理及技术人员330人,其中博士20余人,硕士60余人。项目工程8英寸厂筏板基础施工完成90%;12英寸厂筏板基础施工完成93%;测试楼1首层结构完成90%;测试楼2四层结构完成90%;行政中心三层结构完成60%。已订购87台二手生产设备,其中60台已完成翻修。
今年3月,张汝京曾表示,芯恩项目进展顺利。
芯恩(青岛)集成电路项目位于青岛国际经济合作区,是全国首个CIDM集成电路项目,于2018年3月在青岛西海岸新区签约。芯恩集成电路公司也是张汝京的第五次创业,被称为“中国半导体之父”的他选择在青岛发展出适合中国半导体产业发展的CIDM模式,即创建共享共有式整合元件制造公司,整合芯片设计、芯片工艺技术研发、芯片制造、芯片封装测试,整合式地为终端客户提供高品质、高效率的产品。
据悉,该项目一、二期总投资约188亿元,其中一期总投资约81亿元,占地约373亩,总建筑面积约35万平方米,主要从事12英寸芯片、8英寸芯片、光掩膜版等集成电路产品的量产,满产后可实现年均产值约46.1亿元,净利润约9.7亿元。
目前,芯恩(青岛)集成电路项目已确定了特色功率芯片和高端微控制器技术路线。已规划12英寸厂从40纳米逻辑产品入手逐渐推进到28纳米的产品线,通过对前段工艺浸润式光刻工艺,自对准金属硅化物,嵌入式SiGe源漏区工艺开发;后段工艺超低介电材料层间介质层工艺整合,以及28纳米的高介电层金属闸级,完成器件性能的确认。
信网报道还指出,该项目将开发12英寸40nm-28nm集成电路芯片产品工艺技术,除了意法半导体技术授权40nm的标准逻辑工艺以外,同时开发闪存Embedded Flash的尖端工艺,用以生产微处理器MCU芯片。还将开发8英寸180nm-110nm集成电路芯片产品工艺技术,包括数字模拟混合(BCD、DLP)、高端IGBT等半导体功率器件,其中IGBT的逆导型IGBT的高端及超薄(小于50微米的硅片厚度)的工艺技术是中国首创。RC-IGBT是将IGBT单元和FWD单元交替配置而成。
张汝京还在今年3月份透露,芯恩的现有的人才当中有一些在14nm制程量产方面,已经具备了丰富的经验,他们正在为芯恩的先进制程量产做着准备。而该公司的二期工程,目标就是针对14nm及以下先进制程的,要建两座月产能为5万片的Fab。
信网此次报道指出,芯恩(青岛)集成电路项目正在建设特色型工艺的8英寸集成电路生产线一条,国内最先进数模混合工艺的40纳米12英寸集成电路生产线一条,国内最先进14纳米光掩膜版生产线一条,芯片测试厂一个以及组建嵌入式芯片32位MCU集成电路设计团队。
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