小米65W GaN充电器方案来源于早前投资的纳微半导体

近日，小米集团和纳微（Navitas）半导体宣布，其GaNFast充电技术已被小米采用，用于旗舰产品小米10 Pro 智能手机。 GaNFast功率IC使用氮化镓（GaN），这是一种新的半导体材料，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对小米10 Pro 进行0至100％的充电。

小米65W GaN充电器Type-C 65W的核心器件采用的是纳微半导体的NV6115和NV6117 GaNFast功率IC，它们针对高频、软开关拓扑进行了优化，通过FET、驱动器和逻辑的单片集成，创建了非常小并且非常快的易于使用的 “数字输入，电源输出” 高性能电源转化模块。使用GaNFast技术，小米65W GaN充电器只有56.3 x 30.8 x 30.8mm（53 cc），是标准适配器尺寸的一半。

据悉，小米早前就已投资纳微(Navitas)半导体，为这次合作埋下伏笔。小米的投资策略是通过资金注入，确立产业链上下游合作，同时兼顾投资和业务的双重收益。通过此次合作，纳微(Navitas)半导体也得以拓宽销售渠道。

据了解，纳微(Navitas)半导体公司是世界上第一家也是唯一的 GaN 功率IC 公司，于 2014 年在美国加利福尼亚州 El Segundo 成立。纳微拥有强大且不断增长的功率半导体行业专家团队，在材料、器件、 应用程序、系统和营销及创新成功记录的领域内，合共拥有超过200年的经验；此外，其多位创始人也合共拥有超过200项专利。该公司专有的工艺设计套件将最高性能的 GaN FET 与GaN逻辑和GaN模拟电路单片集成。纳微GaNFast功率IC为移动、消费、企业和新能源市场提供更小、更高能效和更低成本的电源。纳微拥有或正在申请的专利超过80 项。