5nm计算光刻国产化等研发，安徽2020年关键技术攻关任务发布

近日，安徽印发 《重点领域补短板产品和关键技术攻关任务揭榜工作方案》（以下简称《工作方案》）。

《工作方案》明确，聚焦安徽新一代电子信息、智能装备、新材料等重点领域，征集遴选一批补短板产品和关键核心技术，组织具备较强创新能力的企业揭榜攻关，通过2-3年时间，重点突破一批制约产业发展的关键技术，培育一批优势产品，做强一批优势企业，不断提高制造业自主可控水平，促进制造业高质量发展。 

2020年，安徽以制造业重大发展需求为目标，以突破产业关键技术短板为导向，着眼有基础可产业化、突出产业带动性，在10个重点领域、50个重点方向中确定104项揭榜任务。

其中包括多项集成电路揭榜任务。

射频氮化镓单晶衬底：面向高端射频领域，如军用相控雷达、5G通信基站、卫星通讯等，开展基于自支撑技术的高质量、大尺寸、半绝缘型的氮化镓衬底生长及物性调控的研发与量产。

低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发：面向中高端移动、平板及消费类产品DRAM存储芯片自主可控需求，研发先进低功耗高速率LPDDR5 产品并实现产业化，依托DRAM  17nm及以下工艺，攻关高速接口技术、Bank Group架构设计技术、低功耗电源（电压）技术、片内纠错编码（On-Die ECC）技术，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM产品开发。

DRAM存储芯片专用封装工艺铝重新布线层(Al RDL)工艺开发：围绕先进DRAM产品工艺开发需求，开展铝重新布线层工艺开发并实现产业化应用，采用气相沉积氧化硅厚膜作为保护层降低材料应力，攻关溅镀厚铝技术替代电镀铜(镍钯金)技术，通过铝替代铜作为重新布线层，解决先进DRAM产品封装良率低、成本高、周期长等问题。

5nm计算光刻国产化：研究内容包括计算光刻EDA软件，提供高度智能化、自动化的EDA仿真软件，含OPC和SMO两大核心技术，同时将版图到掩膜版数据转换的全流程囊括其中，增加工艺探索、建模、图形验证、图形校正、数据准备5大模块。

定位下一代EDA的5nm工艺研发DTCO平台：主要内容包括：将光刻工艺研发和器件工艺研发流程整合的工艺研发流程。包括七大模块：1.性能评价模块 2.功耗评价模块 3.面积评估模块 4.制程成本评估模块 5.制程可行性评估模块 6.智能设计规则管理系统 7.DTCO协作请求与控制系统。

5G高抑制n77频带带通滤波器：实现高抑制Hybrid 5G n77滤波器产品研发并产业化，解决射频前端芯片“卡脖子”难题。

国产化智能语音芯片研发：1.完全自研、自定义的DSP和AI加速器的指令和IP的研究设计；2.专用IP设计以及验证：完成AI加速器微架构设计，指令集设计，用RTL实现并验证，主要包括：1）AI加速器微架构设计，它可以较好的平衡各种算力需求和设计复杂度；2）针对人工智能算子，设计出AI加速指令。

存储器芯片生产自动测试设备研发：1.ATE行业最高集成度的核心仪表板；2.行业最高的系统配置能力；3.行业内最高生产并行测试能力。

5G基站用新型高分子材料：1.彻底解决传统金属天线振子重量重，介电损耗高，组装效率低的问题；2.解决透波性能差、介电损耗高，重量重。另外，还包括耐候性能、线性膨胀系数等。

超高解析度硅基OLED显示器件：开发基于虚拟现实应用的超高解析度硅基OLED微型显示器件，主要立足硅基OLED微显器件瓶颈技术，如硅基电路设计、晶圆电极制程，以及前端芯片设计与OLED显示匹配融合、分辨率、亮度、功耗、接口及对比度等成套关键技术，重点就虚拟现实应用的高分辨率核心技术展开技术攻关，完成适用于虚拟现实应用的高分辨率硅基OLED微型显示器件技术验证。

OLED显示用玻璃基板（载板）关键技术：1.以无碱硼铝硅酸盐玻璃为基础，结合玻璃材料设计理论，研究适于浮法成形工艺的OLED玻璃基板（载板）核心料方；2.研究OLED显示用玻璃基板（载板）料方的各项特性对生产设备及工艺的具体要求；3.开展OLED显示用玻璃基板（载板）产业化试验。