明年4月将投产，英诺赛科氮化镓项目预计本月底通线试产

近日，江苏苏州英诺赛科氮化镓项目传来新进展。

据新华网报道，英诺赛科氮化镓项目预计今年11月底实现通线试产，明年4月正式投产。

此外，英诺赛科（苏州）半导体有限公司副总经理王培仁表示，按照规划，项目开工两年内将建成8英寸第三代化合物半导体硅基氮化镓大规模量产线，投产后三年将实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标。

据了解，今年9月，英诺赛科苏州第三代半导体基地举行设备搬入仪式。

据当时的英诺赛科表示，该项目建成后将成为全球最大的集研发、设计、外延生产、芯片制造、封装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，满产后将实现月产8英寸硅基氮化镓晶圆65000片。

英诺赛科于2015年底成立，是一家硅基氮化镓功率器件制造商。据此前集微网报道，英诺赛科已经和下游的几家封装企业建立合作关系，并与上海、江苏、浙江上游端的IC设计公司等密切合作，尤其在快充领域，英诺赛科“InnoGaN”氮化镓功率器件已被魅族、努比亚、ROCK、飞频、Lapo等多个品牌采用。