机智堂:5纳米芯片聚齐登场 我们盘下各自优势

发布者:MysticalGarden最新更新时间:2020-11-12 来源: 新浪手机关键字:纳米 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

2020年已接近尾声,但手机市场从来不缺少血雨腥风。华为公布麒麟9000,苹果推出A14处理器,拉开5nm处理器竞争序幕,高通骁龙875和三星Exynos 1080也在随后渐渐浮出水面。

尤其是在7nm时代相对比较边缘的三星,此前Exynos 1080一曝光直接以超过69万分的成绩屠榜,成为目前手机处理器的性能霸主,大有强势回归与其他品牌一决高低的气势。


芯片市场风云再起

今天,伴随着三星Exynos 1080的正式发布,高通、华为、苹果、三星的5nm旗舰处理器阵营集结完毕。同时,三星也宣布了首发手机的合作消息。

跟消费产品不同的是,手机芯片虽然也被一般用户广泛关注,但它需要有足够靠谱的手机厂商支持才能落地,这其中涉及调教,开发等诸多细节。之后才能谈到具体性能,市场份额等话题。从这角度可以说,芯片厂商和手机厂商是相互成就的关系。

所以在谈论移动芯片的时候,它们的参数性能是重要的一部分,但也跟后续开发,采用这颗芯片的手机厂商实力等等因素都有关。

而随着Exynos 1080的发布,高通、华为、苹果、三星四大家族谁才是下代手机芯片市场性能最强者?这个市场又面临怎样的变数?我们不妨通过盘点事实,理性猜想,进而接近真相。

苹果A14:只供自家建设封闭生态

名声最大的5纳米芯片,出现在今年9月份。苹果在发布2020款iPad Air的同时,也带来了又一次史上最强自研处理器A14 Bionic。它采用台积电的5nm工艺,晶体管数量达到了118亿颗,逻辑密度提升了80%,同功耗性能提升15%,同性能功耗降低35%。

A14采用2颗大核+4颗小核的设计,性能相比A12提升40%,GPU核心为4核,相比A12性能提升30%。如果考虑A12和和A13的之间的性能提升比例,A14相比A13来说CPU性能提升16%,GPU性能仅提升8%。


AI方面其实是A14最大的进步和升级,A14的AI运算能力提升到了11.8万亿次,机器学习速度提升了70%,在越来越常见的AI智慧场景会有一定的性能优势。

但A14比较特殊的地方在于,苹果的芯片不管多强,至少目前,只会放到苹果自家产品上,所以A14虽然拥有旗舰的性能等级,但是却不会对明年的旗舰芯片市场造成直接影响(间接影响产品还是有的)。

对于苹果自己来说,全面转向自研芯片的战略还在进行中,A14和未来A14X的强劲会直接带动苹果整体的产品战略实现,拉升苹果产品的整体价值。

三星Exynos 1080:vivo首发 扩展市场份额

5纳米阵营的最新选手,今天三星Exynos 1080发布,此前网络传说中的“跑分王”终于正式到来。

采用5nm EUV FinFET工艺的Exynos 1080晶体管密度提升80%,性能提升的同时可以获得更低功耗。根据官方信息看,其相比7nm DVU工艺,性能提升7%,功耗降低18%。


三星旗舰芯片Exynos 1080正式发布

在处理器的设计上,Exynos 1080采用了今年最新的Cortex-A78核心,同功耗的情况下性能比A77提升20%,同性能情况下则比A77降低能耗50%。

Exynos 1080的8核内置了1个最高性能的Cortex-A78内核(最高频率为2.8 GHz)、3个高性能的Cortex-A78内核和4个高效的Cortex-A55内核。相比此前三星的主力产品Exynos 980其多任务能力直接翻番。

GPU方面则采用10核 Mali-G78 GPU,可为移动设备提供每秒130张画面渲染和144Hz高刷新率。在硬件支持方面,三星Exynos 1080能提供高达5.1Gbps下载速度、SA/NSA双模5G、NPU和DSP的AI解决方案、10bit真彩视频、每秒30帧1200万像素连拍、RAW降噪HDR融合夜景、多达6摄像头同步录像、动态帧率自适应、Wi-Fi 6、蓝牙5.2、LPDDR5内存。

如果说高通骁龙是目前安卓手机阵营当中最重要的芯片商的话,那么三星Exynos无疑将是明年的市场搅局者。目前全球范围内,只有台积电和三星具有5nm FinFET工艺量产产能。而台积电作为本身并不设计芯片的代工厂,它需要同时为高通骁龙系列、华为麒麟、苹果A14系列,甚至是桌面平台AMD处理器代工。

反观三星,除了为自家手机提供芯片,为高通提供代工之外,三星完全有能力扩大处理器的产能和供货范围,一举改变手机处理器的市场格局,所以三星也是这么做的。


三星宣布vivo手机首发搭载Exynos 1080

对于三星来说,利用好的产品拓展市场是一步重要的战略,鉴于三星手机在国内不足1%市占率的萎靡状态,vivo的首发或许是更好的消息。根据2019年全球手机出货量数据来看,vivo以8%占据全球第五的位置。它不仅在国内依靠下沉市场的表现拿下了相当多的份额,同时在东南亚市场也表现亮眼,手握全球8%的市场份额不容小视。三星用Exynos良好的产品性能结合vivo的8%市场份额,我们认为未来可期。

对于三星来说,手机芯片市场的格局有望彻底颠覆,从前的“边缘人”三星Exynos有望来到市场的中心舞台。而得到了这颗旗舰芯片,vivo手机在产品设计、芯片供货、排产方面也会自如许多,随着产品的迭代加快、子品牌iQOO面向年轻群体发力,vivo也将获得紧跟市场潮流的良性发展。

华为麒麟9000:产能不足,Mate 40 Pro始终缺货

华为麒麟9000新品与华为最新的Mate 40系列手机同步上市首发。它采用了5nm制程工艺,内部集成了多达153亿晶体管,数量惊人。内置8核分别为1颗Cortex-A77超大核3.13GHz、3颗Cortex-A77大核 2.54GHz、4个Cortex-A55能效核心2.05GHz。GPU则集成Mali0-G78 C24。其中CPU总体性能相比上一代麒麟990性能提升达25%,GPU性能由于内置24个核提升更是多达50%。

在5G方面,麒麟9000所集成的5G芯片相比高通的X55调制解调器相比,官方声称可以带来5倍的上传速度和2倍的下载速度。


华为麒麟9000芯片

华为芯片的状态类似苹果,也仅供自家旗舰实用,但一个特殊情况是,自开售以来Mate 40 Pro始终处于缺货状态。

原因自不必多说:代工厂台积电仍旧无法向华为供货,这就导致了先进产品得不到有力的产能支持,这是华为麒麟9000系列目前最大的困难所在。自家的Mate 40 Pro仍尚且存在无法满足供货的问题,纵使性能不错,却不太容易在明年进一步打开市场局面。所以几乎可以大胆猜测,华为麒麟芯片依旧会是自家手机的一大卖点,但在明年的手机芯片市场角色不会有大的变化,满足自己产品需要之余拓展市场的能力不足。

高通骁龙875:完全依赖代工 面对挑战者有硬仗要打

高通骁龙875目前也是箭在弦上的状态,虽然还没有发布,但是在网上信息已经被扒的差不多了。

骁龙875将采用1颗2.84GHz X1+3颗2.42GHz A78+4颗1.8GHz A55的设计布局,GPU型号为Adreno 660。虽然华为麒麟9000由于发布早,顶上了首款5nm 5G手机处理器的名号,但是骁龙875将内置X60基带,也是第三代5G芯片,所以在5G使用体验上会相比上一代X55有进一步提升。


高通骁龙875也蓄势待发

据目前已知信息,iQOO的新品可能成为高通骁龙875的首发机型,还有一种说法是小米11——小米出现在绯闻列表里并不奇怪,反倒是iQOO,一个仅两岁的“生而强悍”品牌,发展速度超出预期,之前也抢过其他旗舰芯片首发,而且重要的是,有货,不饥饿营销。

考虑到华为方面的麒麟9000持续遭遇产能问题,明年上半年的旗舰机销量排名可会有变化,目前top5里的其他四家厂商旗舰都有不小机会。

而对高通来说,明年在处理器市场的重要挑战者或许将会是三星,这两家跟苹果/华为芯片不同的是,他们的新品都需要合作伙伴、也就是手机厂商来帮助落地,进而扩大份额。


关键字:纳米 引用地址:机智堂:5纳米芯片聚齐登场 我们盘下各自优势

上一篇:三款新Mac中国售价5299元起
下一篇:三星正式发布Exynos 1080旗舰芯片:5纳米EUV工艺 vivo首发

推荐阅读最新更新时间:2024-11-11 07:51

进一步缩小集高通骁龙855将使用7纳米制成
 去年底,我们报道了关于骁龙855的相关资料,有业内人士发文称,苹果的A12和高通骁龙855移动平台都会用上7nm工艺,并且准备tape out(指提交最终GDSII文件给Foundry工厂做加工)。 图片来自@手机晶片达人   随着前天高通正式发布了骁龙X24 LTE基带,骁龙855的更多详细参数被曝光,不仅有着全球首个Cat.20(下行2Gbps)的速率,还基于7nm工艺打造。 骁龙855更多参数曝光(图片来自@Roland Quandt)   根据国外知名爆料达人@Roland Quandt透露:高通的一位合作伙伴称,目前正在对骁龙855芯片进行测试,采用的就是7nm工艺技术。并且还指出,骁龙855将是高通的第一款7nm
[手机便携]
苏州纳米所半导体SERS研究获进展
    有一种元素,以单质分子形式构成大气体积的21%、以化合物形式构成地壳总质量的48.6%,这就是氧。因其活泼的化学性质及其较大的电负性,成就了自然界物种的多样性。自1777年由拉瓦锡发现以来,氧元素一直都是化学家的宠儿。如今在新兴的半导体SERS领域,它的重要性再一次被体现。    上世纪70年代,表面增强拉曼光谱(SERS)面世后,贵金属基底的引入将拉曼检测灵敏度提升百万倍,克服了传统拉曼光谱与生俱来的信号微弱等缺点,使拉曼检测在食品安全、环境监测、生命科学等领域得到广泛应用,并迅速成长为最灵敏的表面物种现场谱学检测技术之一。然而,人们欣喜的同时却遗憾地发现,SERS仅在金、银、铜等贵金属的粗糙表面才具有高活性,即需依赖贵
[半导体设计/制造]
传Nvidia也变心、拥抱三星14纳米制程
台积电(2330)再掉单?韩媒报导,苹果、高通(Qualcomm)之外,绘图晶片巨擘Nvidia也看上三星电子的14奈米FinFET制程,将从台积电转单三星。 韩媒Business Korea 3日报导,Nvidia转单三星,可提前一季推出次世代制程晶片。Meritz Securities分析师Park Yu-ak表示,今年全球厂商可能会全力降低成本,以抵销应用处理器价格下滑的损失。预料三星系统半导体部门今年第二季会向苹果、高通、Nvidia出货。 Tom!@!s Hardware 3日报导,Nvidia并未宣布哪些晶片将采14奈米制程,该网站预料或许是Maxwell GPU或Denver CPU。 与此同时
[半导体设计/制造]
台积电云端联盟又添生力军,5纳米芯片测试4小时完成!
晶圆代工厂台积电今日(26)宣布,明导国际(Mentor)加入开放创新平台(Open Innovation Platform, OIP)云端联盟创始成员行列,扩大台积公司开放创新平台生态系统的规模,未来将运用崭新云端就绪设计解决方案以协助客户采用台积公司的制程技术进行创新。 Mentor成功通过公司认证成为云端联盟新成员,加入亚马逊云端服务(AWS)、益华国际电脑科技(Cadence)、微软Azure(Microsoft Azure)以及新思科技(Synopsys)等创始成员行列。 台积电表示,Mentor于云端保护硅知识产权(IP)的程序皆符合台积电的标准,此外,通过Mentor Calibre实体验证电子设计自动化解决
[手机便携]
速度翻两倍!三星14纳米EUV DDR5内存正式量产
提起电脑性能我们首先想到的是CPU,更高性能的处理器能够获得更快的运算速度,同时,高性能的内存也是必不可少的。近日,三星对外宣布已开始量产基于极紫外(EUV)光技术的14纳米DRAM。 三星通过在14纳米DRAM中添加五个EUV层,实现了超高的比特密度,同时将整体晶圆的生产率提高了约20%。此外与上一代DRAM相比,14纳米工艺有助于降低近20%的功耗。 值得注意的是,根据最新DDR5的标准,三星的14纳米DRAM可带来7.2Gbps的超高速,是前代DDR4的3.2Gbps最高速度的两倍多。
[家用电子]
速度翻两倍!三星14<font color='red'>纳米</font>EUV DDR5内存正式量产
台积电斥资200亿美元打造三纳米新厂
    新浪美股讯 北京时间7日凌晨 彭博报道,对全球晶圆代工龙头台积电(38.41, -0.05, -0.13%)来说,为了要保持领先地位,需付出的代价越来越高。   全球半导体业的军备竞赛越来越激烈,为了迎战三星、英特尔(39.57, 0.04, 0.10%)等对手,台积电已宣佈未来几年将在台湾投资兴建三奈米先进制程新厂。台积电创办人暨董事长张忠谋周五接受彭博采访时称,这座新厂的投资金额预估最高将达逾200亿美元。   自从去年宣佈将发展3奈米制程后,台积电便一直在评估新厂厂址,甚至将美国纳入考虑,不过,在台湾政府承诺解决水电等相关问题后,也考量到对台湾经济的重要性,台积电上周终于宣布新厂将落脚在台湾的南部科学工业园区台南园区
[半导体设计/制造]
恩智浦推出两款车用采用台积公司16纳米FinFET技术的处理器
恩智浦推出两款采用台积公司16纳米FinFET技术的处理器,加速汽车处理创新 荷兰埃因霍温——2021年6月2日——全球汽车处理市场领导者恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.,)携手台积公司 今日宣布,将采用台积公司先进的16纳米 FinFET制程技术量产恩智浦S32G2汽车网络处理器和S32R294雷达处理器。随着汽车不断发展为强大的计算平台,此次量产标志着恩智浦的S32处理器系列迈向了更先进的制程节点。恩智浦对S32系列的持续创新旨在帮助汽车制造商简化汽车架构,推出面向未来的完全互联和可配置的汽车。 S32G2汽车网络处理器支持服务型网关、汽车与云端的连接和无线更新,从而提供大量基于数据的服务
[汽车电子]
恩智浦推出两款车用采用台积公司16<font color='red'>纳米</font>FinFET技术的处理器
IBM 展示专为液氮冷却优化的纳米片晶体管原型,性能可较室温翻倍
12 月 25 日消息,在今年 12 月初旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议(IEDM)上,IBM 研究人员展示了首款专为液氮冷却优化的先进 CMOS 晶体管。 据了解,液氮沸点极低,只有 -196°C,是目前主流电子器件无法承受的超低温。然而,在如此严寒的环境下,晶体管的电阻和漏电电流都会大幅降低,从而提升性能和降低功耗。 IBM 研发的纳米片晶体管将硅通道切割成薄薄的纳米片层,并用栅极完全包围,实现了更有效的电场控制。这种结构不但能将 500 亿个晶体管塞进指甲盖大小的区域,而且在液氮冷却下,性能更是惊人地翻了一番。 低温环境带来了两大优势:更低的电荷载子散射和更低的功耗。散射减少意味着电阻降低,电子在器件中的移动更
[半导体设计/制造]
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved