兆易创新：上半年公司或有自研DRAM产品推出

 2月4日，兆易创新在互动平台表示，预计上半年公司会有自研DRAM产品推出。

据兆易创新此前透露，其自研第一个产品会是DDR34Gb容量，面向利基市场。

虽然此前在DRAM内存芯片布局上，兆易创新主要是通过其与合肥市产业投资控股集团合作的长鑫存储来进行布局。但是，兆易创新的自研DRAM项目也早已开始。

2020年5月，兆易创新宣布与Rambus就RRAM (电阻式随机存取存储器) 技术签署专利授权协议。同时，兆易创新还与其同Rambus 以及几家战略投资伙伴的合资企业——合肥睿科微（Reliance Memory）签署了授权协议 。

根据协议内容，兆易创新从Rambus和睿科微获得180多项RRAM技术相关专利和应用，这将有助于兆易创新在新型存储器RRAM领域的前瞻性技术布局，从而为嵌入式产品提供更丰富的存储解决方案。

与此同时，兆易创新于2020年6月募集资金43.24亿元，用于DRAM芯片研发及产业化以及补充流动资金。

兆易创新表示，公司拟通过该项目研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。