飞莱特碳化硅芯片等6大项目签约在山东庆云落户

全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS 产品描述： 南京江智主要产品为车规级MOS和SIC MOS，车规级MOS已批量应用于国内一线整车厂及TIER1公司，是车规级MOS专业供应商。SGT MOS采用先进的深沟槽分离栅工艺技术以及电荷平衡原理，工艺设计采用公司的三个专利技术（集成ESD钳位二极管的SGT MOS、集成SBR的SGT MOS、Super Junction位于底部的SGT MOS)来设计和流片，使得SGT MOS不仅具有常规SGT MOS的优点外，还能大大增强抗静电能力、提高体二极管的快速恢复时间、更强的抗浪涌能力，因而也具有更高的可靠性。 独特优势： 15位研发人员均曾在Vishay,Fairchi

日立制作所和日立汽车系统公司2015年9月26日宣布，面向混合动力车和纯电动汽车开发出了高效率、高功率的逆变器。与日立的原产品相比，新产品的电力损耗削减60％，相同体积下的电力容量扩大到了约2倍。有助于实现长距离行驶，以及提高加速性能。 此次，日立运用了以前开发的sic与GaN并行封装技术和双面冷却型功率模块技术，开发出了全sic功率模块以及采用这种模块的HEV/EV用逆变器。为了使各sic功率半导体的开关时间均等，运用了以前开发的并行封装技术。也就是说，开发出了使接入各sic功率半导体的控制信号线长度相同的布线基板，使各布线的电阻特性得以均衡。由此，可以充分发挥sic功率半导体的低电阻特性，扩大了电力容量。 另外，此次开

eeworld网消息，Littelfuse, Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今天宣布推出首款GEN2系列1200V碳化硅（SiC）肖特基二极管，以配合2017年欧洲电力转换与智能运动(PCIM)展的开幕。这种碳化硅二极管是通过Littelfuse与Monolith Semiconductor合作技术平台开发的产品系列中的首批产品。 其他基于该技术平台的碳化硅产品（包括1200V碳化硅金氧半场效晶体管）正在筹备中，预计于不远的将来推出。   GEN2系列碳化硅肖特基二极管 GEN2碳化硅肖特基二极管的额定电压为1200V，工作电流从5 A至10 A 不等，采用TO 220-2L或TO-252-2L封装。 相比标准的硅

1月15日，由国宏中宇科技发展有限公司控股，山东国宏中能科技发展有限公司投资建设的年产11万片碳化硅衬底片项目在山东河口经济开发区建成并启动试生产。 据海报新闻报道，山东国宏中能年产11万片碳化硅衬底片项目总投资6.5亿元，总建筑面积3万平方米。该项目于2020年2月入选山东省新旧动能转换重大项目库第一批优选项目名单，是市、区两级重点项目。通过在材料制备技术体系、核心装备研制上的持续科研投入，同时紧密结合研发成果的产业化生产转化，目前本项目已经具备投产条件。 项目于2020年5月完成一期厂房主体结构施工；8月份开始进行厂务配套系统施工；10月份主要工艺设备到位开始安装，2020年底完成第一批工艺设备安装、调试；目前项目已经具备

将于6月5日至7日在PCIM欧洲电力电子展的6号展厅318展台，展示适用于快速电动车充电和工业应用的解决方案。 致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司（Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC） 宣布提供采用碳化硅（SiC） 二极管和MOSFET器件的全新可扩展30 kW三相Vienna功率因数校正（PFC）拓扑参考设计。这款可扩展的用户友好解决方案由美高森美与北卡罗莱纳州立大学（NCSU）合作开发，非常适合快速电动车（EV）充电和其它大功率汽车和工业应用；此外，它亦可通过美高森美功能强大的SiC MOSFET和二极管，为客户提供更高效的开关以及

本次鉴定会由中国电子学会组织，西安电子科技大学的郝跃院士担任鉴定会主任，中国IGBT技术创新与产业联盟、中电集团五十五所、电子科技大学、北京大学、全球能源互联网研究院、中科院电工所和中科院物理所等各单位专家担任鉴定会委员。鉴定委员会认真听取了项目完成单位关于该成果的研制报告、技术报告、用户使用报告及经济效益和社会效益分析报告，审阅了查新报告、测试报告和资料审查报告等相关技术资料。 “高性能SiC SBD、MOSFET电力电子器件产品研制与应用验证”项目实现了高性能SiC SBD 650V／150A、1200V／100A、1700V／50A、3300V／32A和5000V／3A 五个代表品种和SiC MOSFET 600V／5A、1

美国GT Advanced Technologies（GTAT）签署了一份合同（初始期限为五年），向英飞凌供应碳化硅（SiC）晶圆柱，该公司又增加了一个重要客户，以确保其在该领域不断增长的基础材料需求。 英飞凌以CoolSiC的名义，是业界最大的工业功率应用产品组合，并且正在迅速扩展其面向消费者和汽车产品的产品。 “我们看到对基于SiC的开关的需求稳步增长，尤其是工业应用。不过，很明显，汽车行业正在迅速跟进，”英飞凌工业电源控制部门总裁Peter Wawer表示。“根据我们现在签订的供货协议，我们确保我们能够以多样化的供应商基础满足客户快速增长的需求。GTAT的高质量晶圆柱将为目前和未来满足同类最佳材料标准的SiC晶圆提供

IDTechEx曾通过市场调查预测, 到 2023 年，SiC 逆变器占据 BEV 市场的 28%。GaN HEMT 是一种新兴技术，可能会成为电动汽车市场的下一个主要颠覆者。它们具有关键的效率优势，但在采用方面面临着重大挑战，例如其最终的功率处理能力。SiC MOSFET 和 GaN HEMT 之间存在相当大的重叠，两者都将在汽车功率半导体市场占有一席之地。 SiC以其卓越的热导性、高击穿电压和低导通电阻等特性，在电动汽车的电力电子器件中占据了重要地位。SiC器件的高功率密度和效率，使得电动汽车能够以更高的性能运行，同时延长电池寿命。特斯拉Model 3的成功应用SiC MOSFET，标志着SiC技术在电动汽车领域的商业化突