三星占智能手机内存市场的 49%

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2021-07-13 来源: EEWORLD关键字:内存  存储器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

Strategy Analytics 表示,在 2021 年第一季度价值 114 亿美元的智能手机内存市场中,三星几乎占了一半。


根据 SA 的报告显示,2021 年第一季度智能手机内存市场中,三星占据榜首位置,三星、海力士和美光在第一季度智能手机内存中占据 80% 以上的收入份额,三星占据了49% 份额(DRAM 和 NAND),之后依次为海力士和美光。


2021年第一季度,由于采用UFS NAND 闪存芯片,智能手机 NAND 闪存市场的收入同比增长18%,尤其是在中高端设备中。三星以 42% 的收入份额位居榜首,其次是海力士(20%)和铠侠(19%)。


由于智能手机客户推出的新 5G 设备增加,智能手机 DRAM 内存芯片收入在本季度实现了 21% 的增长。三星内存在市场份额方面领先,收入份额为54%,其次是海力士和美光,分别为 25% 和 20%。


“内存供应商有望通过推出高容量 UFS 3.1 和 LPDDR5 多芯片封装内存解决方案来满足 5G 需求。”SA 的 Stephen Entwistle 说,“但是,持续的非内存组件短缺可能会抑制内存市场前景。”

关键字:内存  存储器 引用地址:三星占智能手机内存市场的 49%

上一篇:诺基亚C30渲染和配置解密:配备6.82英寸屏幕
下一篇:高性能MCU|芯海MCU助力气体检测的应用市场

推荐阅读最新更新时间:2024-11-09 12:54

内存变革将至,DRAM 后谁扛大旗?MRAM、FERAM 和 ReRAM 摩拳擦掌
2 月 22 日消息,存储网络行业协会(SNIA)多位专家近日预估,21 世纪 20 年代末将会掀起持久内存(PMEM)变革浪潮,相信新技术将取代 DRAM 等成熟的存储技术。 IT之家注:持久内存作为一个内存和外存的混合体,其高速持久化的特性在某些磁盘 IO 作为性能瓶颈的场景下是一个破局的解法。 SNIA 的 Arthur Sainio、Tom Coughlin 和 Jim Handy 专家表示,以 SK 海力士和美光研制的铪铁电随机存取内存为例,其运行速度已经达到现代 DRAM 的水平,但目前无法确认哪种新兴内存技术成为最后的赢家,最终取代客户端 PC 和服务器中的 DRAM。 铁电随机存取内存的特点是快速写入周期,但它还有
[嵌入式]
国产铁电存储器PB85RS2MC用于汽车仪表盘,兼容富士通
汽车系统的设计变得越来越复杂,因为要不断的加入新的功能,如高级驾驶辅助,图形仪表,车身控制和车辆信息娱乐系统。为了确保可靠、安全的操作,每个子系统都需要使用特定的非易失性存储器,方便在复位操作和电源切换期间存储信息。非易失性存储器用于存储可执行代码或常量数据、校准数据、安全性能和防护安全相关信息等重要数据,来作为将来的检索用途。 仪表盘系统框图 1、汽车仪表盘对存储器的要求 汽车是仪表盘系统是以数字形式在图形显示器上显示速度、转速、燃油油位和发动机温度等重要信息,或者使用步进电机控制的模拟形式显示。此外,仪表盘系统还可以显示电池警告、温度警告、低油压警告、制动警告、安全带状态标识、低胎压标识、门锁标识、车头灯标识、换档指示
[嵌入式]
国产铁电<font color='red'>存储器</font>PB85RS2MC用于汽车仪表盘,兼容富士通
STM32CubeMX系列 | 外部SRAM
1.外部SRAM简介 本例程使用的STM32F103ZET6本身有64K字节的SRAM,一般应用已经足够;不过在一些对内存要求高的场合,比如跑算法或者GUI等,就需要外扩SRAM来满足大内存使用的需求。这里我们使用了一颗256K字节容量的SRAM芯片:IS62WV12816,利用STM32F1的FSMC控制该SRAM芯片,实现对该SRAM芯片的访问控制 IS62WV12816是一种16位宽128K(128*2,即256K字节)容量的CMOS静态内存芯片,它有高速访问、低功耗、兼容TTL电平接口、全静态操作(不需要刷新和时钟电路)、三态输出和字节控制(支持高/低字节控制)等特点 IS62WV12816的引脚以及对应的引脚功能如下图示
[单片机]
u-boot-2011.09在ST2410上的移植-在RAM中运行
u-boot版本:u-boot-2011.09 运行环境:Window7 Vmware workstation7.1 CentOS6.0 交叉编译环境:Arm-linux-gcc-4.3.2 with EABI 硬件环境: ST2410X开发板(CPU:S3C2410X,64M SDRAM: 2片HY57V561620FTP-H,2M norflash: 39VF1601,64M nandflash:K9F1208U0M,网卡:cs8900a) 移植时间:2011.10.27 源码下载地址:ftp://ftp.denx.de/pub/u-boot/u-boot-2011.09.tar.bz2 参考文献: ht
[单片机]
基于国产铁电存储器PB85RS128工程车辆数据采集系统设计
现代工程建设飞速发展,工程车辆使用广泛,作业频繁,其地位也更加重要,为了能够及时准确地掌握工程车辆的运行状态,本文介绍一种基于铁电存储器工程车辆的数据采集系统硬件方案: 工程车辆数据采集节点框图 数据采集节点由信号调理电路和主控、RS485接口电路等构成。信号由传感器或经变送器获得,经调理电路滤波调理后,进入模数转换和计算处理,然后铁电存储器实时存储数据。系统可以对工程车辆关键部位的工作状况和参数进行监视,同时具有记录所采集数据的功能,为工程车辆的故障判断、维护、维修提供依据,是及时发现隐患的重要手段。 铁电存储器介绍: 国产PB85RS128铁电存储器的核心技术是铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元,不需要
[嵌入式]
基于国产铁电<font color='red'>存储器</font>PB85RS128工程车辆数据采集系统设计
Redmi 512GB大存储中端新手机曝光,但内存是8GB
现在随着应用程序体积包加大、拍照和录像的图片视频文件增大,智能手机的存储空间越来越捉襟见肘,一款大容量存储的设备也是相当吸引人的。小米 Redmi 此前推出了 Redmi K50 Pro 12GB + 512GB,但是 Redmi K50 512GB 版正在评估中。   据微博博主 @数码闲聊站 称,Redmi 还有中端机将配置 512GB 大存储,比小米旗舰出得都勤快,不过该博主在评论中表示,该大存储版本手机是 8GB 内存。   但是 Redmi 此前已经有过推出 8GB+512GB 存储版本手机的先例,比如 Redmi K30 至尊版,另外 Redmi K30 Pro 变焦版、Redmi K20 Pro 尊享
[手机便携]
Redmi 512GB大存储中端新手机曝光,但<font color='red'>内存</font>是8GB
报道称三星、SK海力士和美光正推动DDR5内存普及
根据国外科技媒体 SamNews24 报道,行业专家认为三星电子、SK 海力士和美光三家公司正大力推动 DDR5 内存普及,以此遏制半导体市场下滑的趋势。 DDR5 DRAM 是联合电子设备工程委员会(JEDEC)推出的最新 DRAM 规范,其性能比 DDR4 DRAM 高了一倍。 DDR4 DRAM 当前占据了内存市场的大部分份额。业内人士认为通过提高 DDR5 内存的产量,普及 DDR5 内存,可以刺激 DDR5 DRAM 的替换需求。 在此附上市场研究公司 OMDIA 此前公布的数据,今年 DDR5 DRAM 将占 DRAM 市场的 12%,高于 2022 年的 3%。预计到 2024 年将增长到 27%,超过 D
[半导体设计/制造]
美光车规级内存和存储解决方案配套理想L9
全球汽车内存领先供应商Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,其车规级高性能LPDDR5 DRAM内存和基于3D TLC NAND技术的UFS 3.1产品已被应用于理想汽车最新推出的全尺寸智能旗舰SUV车型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解决方案可助力理想L9的高级驾驶辅助系统(ADAS)实现最高L4级自动驾驶。得益于美光完整的产品组合,理想L9智能座舱系统还集成了美光车规级LPDDR4和UFS 2.1技术,为用户提供出色的娱乐和用户界面体验。此外,理想L9跨域控制单元还搭载了美光的NOR闪存和eMMC技术,以确保整体系统的稳健性,并缩短系统启动时间。 理想L9全尺寸智
[汽车电子]
美光车规级<font color='red'>内存</font>和存储解决方案配套理想L9
小广播
最新手机便携文章
换一换 更多 相关热搜器件
随便看看

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved