射频模拟芯片设计公司美辰微电子入驻南京江北新区研创园

研调机构集邦旗下拓墣产业研究院报告指出，由于现行射频前端元件制造商依手机通信元件功能需求，逐渐以砷化镓（GaAs）晶圆作为元件的制造材料，加上5G布建逐步展开，射频元件使用量较4G时代倍增，预期GaAs射频元件市场将自2020年起进入新一波成长期。 拓墣指出，由于射频前端元件特性是耐高电压、耐高温及高频等，在4G与5G时代有高度需求，传统如HBT和CMOS的硅（Si）元件已无法满足，厂商逐渐转向GaAs化合物半导体。 拓墣强调，GaAs化合物半导体的电子迁移率较Si快速，且具有抗干扰、低噪声与耐高电压等特性，因此特别适合应用于无线通信中的高频传输领域。 由于4G时代的手机通信频率使用范围已进展至1.8～2.7GHz，对传统3G的S

在过去，为射频功率放大器设定偏压条件的设计技术要求采用一种不可靠的机械电位器或者一种通常要采用8位D/A变换器的笨拙的解决方案。机械电位器方案是极其不可靠的，并搅乱了可靠性和平均故障间隔时间（MTBF）的设计。D/A变换器方案的成本比较高，因为设计师几乎不能利用D/A变换器的性能优势，而在这方面花的钱是最多的。 一种革新的技术采用命名为数字控制的电位器（DCP）使设计师能从根本上改善RF功率放大器的成本和可靠性。这在要求严格的应用为采用高线性和高效率的LDMOS技术的蜂窝电话基站是特别有价值的。 新一代DCP没有电荷泵，所以没有可以传导到滑片上的外部噪声（甚至在编程时）。因此，有可能给DCP动态编程而仍保持放大器上的连续波功率（

根据 Yole Developpement 的数据，2026 年全球射频前端 (RFFE) 市场将达到 43 亿美元，2021-2026 年复合年增长率为 10%。 用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑连接的 RFFE 设备在 2021 年的市场估值将超过 20 亿美元。 由于2×2 MIMO 上行链路和三频操作（2.4、5、6 GHz）的原因，PA 将推动连接市场的增长。 开关和 LNA 组件市场也将受到 2×2 MIMO以及双频应用的推动。 单片 PA/LNA/开关 平台的出现将使这种架构再次对智能手机和平板电脑具有吸引力。 Qualcomm、Qorvo、Skyworks、Broadcom 和 Murata

　　0 引言 　　射频(RF)是Radio Frequency的缩写，表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300 kHz～30 GHz之间。射频简称RF射频就是射频电流，它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于10000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。在电磁波频率低于100 kHz时，电磁波会被地表吸收，不能形成有效的传输，但电磁波频率高于100 kHz时，电磁波可以在空气中传播，并经大气层外缘的电离层反射，形成远距离传输能力，我们把具有远距离传输能力的高频电磁波称为射频。信息源经过二次调制，用线缆传输到对端，对端用反调制将信息源还原后再应用，不管频率多低，也是射频传输

　　中国数字电视产业的蓬勃发展带动了对高性能、低功耗射频接收芯片的巨大需求，但在该领域，由于射频技术、实现复杂度、标准及成本等方面的挑战，中国的数字电视产品中过去大多采用的是国外半导体厂商的芯片。为改变这一市场状况，锐迪科微电子(RDA)推出了应用于地面数字电视接收的高性能射频接收芯片RDA5880，这是在国内该领域首颗成功上市的芯片，它标志着中国厂商首次打破了国外芯片对该市场的垄断。 　　高性能射频接收器IC应具备高集成度、低功耗、低噪声、高灵敏度等特性，同时尽可能减少电路中的元件数量以降低成本。RDA5880芯片采用CMOS工艺，QFN32 5×5mm封装，片外器件极少，具备高集成度的特点。支持自动增益控制模式，能够支持目前主

5.8GHz频段是一个比2.4GHZ频率更高、开放的ISM频段，最近几年开始进入产品研发领域，它遵从于802.11a、FCC Part 15、 ETSI EN 301 489、ETSI EN 301 893、EN 50385、EN 60950等国际标准，也是目前是有望代替2.4Ghz无线技术的技术之一。因此摩尔实验室（MORLAB）特撰此文针对常见的射频测试做一个简要说明。以常见的CE认证为例，5.8G产品可能涉及的典型测试要求有射频要求，EMC要求，安全要求等，其中常见的射频测试项目如下： 1 Carrier frequencies-中心频点测试 测试5.8Ghz的载频频点 测试框图：如下图1

　　一. 历史背景 　　中胚层疗法(mesotn)、强脉冲光(IPL)、射频技术(radiofrequency-RF,ThermaCool技术)和电-光联合一体化技术(electro-optical synergy technology-ELOS)等微创或无创技术的出现和发展，是医学发展的一个重要趋势和需求。2003年，笔者曾在〈强脉冲光在美容外科应用的文献复习〉一文中介绍了第三代面部年轻化IPL技术 ，其优点是改善了面部浅层皮肤老化的问题，但难题达到皮肤深层，尤其是真皮深层的老化治疗。至今已从RF技术发展到一光联合一体化技术，也就是第四代皮肤年轻化技术的出现和发展。 　　自1868年，Da rsonval首次将RF技术应

　　扩频无线通讯标准IS-95/3GPP对线性度和相邻通道功率比(ACPR)做出了严格规定。为满足要求，宽频码分多址(W-CDMA)无线手机中要求采用高线性度的A类或A-B类RF功率放大器。不过，在输出功率为+28dBm时，这种类型功率放大器的功率附加效率(PAE)最大只有35%左右；如果输出功率降低，则PAE值更低。 　　在通话模式下功率放大器不会持续工作。当手机用户不说话时，功率放大器就会以半速率(50%工作时间)或1/8速率工作，所以在通话模式时无需担心手机发热。但是在数据模式下，功率放大器会一直工作直到数据传输完毕。功率放大器的低效率及连续作业很快就会耗尽电池电量，而随之产生的内部功耗还会使手机过热。 　　对支援高速数