英特尔：将通过混合键合将封装互连密度提高到10倍以上

在近日举行的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔概述了其未来的发展方向，即通过混合键合将封装的互连密度提高10倍以上，晶体管缩放面积提高30%至50%，以及采用新的量子计算技术。

据eeNews报道，英特尔的元器件研究小组正在三个关键领域开展工作：提供更多晶体管的缩放技术；新的硅功能，用于功率和内存增益；探索物理学的新概念，以彻底改变世界的计算方式。

英特尔目前的许多半导体产品都始于元器件研究工作，包括应变硅、高K金属栅、FinFET晶体管、RibbonFET，以及包括EMIB和Foveros Direct在内的封装技术。

该公司的研究人员概述了混合键合互连的设计、工艺和组装挑战的解决方案，发现了一种将封装中的互连密度提高10倍的方法。

早在2021年7月，英特尔就宣布计划推出Foveros Direct，实现亚10微米的凸点间距，从而使3D堆叠的互连密度提高了一个数量级。为了使生态系统从先进封装中获益，英特尔还呼吁建立新的行业标准和测试程序，以实现混合键合芯片生态系统。

除了改良自GAA制程技术的RibbonFET外，英特尔正在开发一种堆叠多个CMOS晶体管的方法，旨在通过每平方毫米安装更多的晶体管，实现最大限度的30%-50%的逻辑缩放改进，以继续推进摩尔定律。