推荐阅读最新更新时间:2024-10-12 21:19
恩智浦CTO:关注智能连接,恩智浦全方位的布局
本文来源:TheStreet 与恩智浦半导体相比,没有多少家芯片商能够覆盖如此多的产品组合。 恩智浦是全球最大的汽车芯片供应商,其产品线涵盖从信息娱乐系统和仪表盘再到驾驶员辅助系统,车载网络芯片和电动汽车电池管理系统的所有内容。此外,恩智浦的产品还存在于更广泛的应用中,包括智能手机,IoT设备,移动基站,智能卡以及工业和医疗产品中。 2018年,在高通收购案破裂之后,恩智浦股价大幅下挫,然而2019年随着市场情况好转以及公司业绩增长,股价上涨了70%。2019年,恩智浦还签署并完成了以17.6亿美元收购Marvell Technology(MRVL)的Wi-Fi /蓝牙连接芯片业务。 最近,我与恩智浦CTO Lars Rege
[半导体设计/制造]
ROHM的SiC功率元器件在UAES的电动汽车车载充电器中得到应用
全球知名 半导体 制造商 ROHM (总部位于日本京都市)的 SiC 功率元器件(SiC MOSFET*1)被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,总部位于中国上海市,以下简称“UAES 公司”)的 电动汽车 车载充电器(On Board Charger,以下简称“OBC”)。UAES 公司预计将于 2020 年 10 月起向汽车制造商供应该款 OBC。 与 IGBT*2 等 Si(硅)功率元器件相比,SiC 功率元器件是一种能够显著降低损耗的半导体,在电动汽车以及基础设施、环境 / 能源、工业设备领域的应用日益
[汽车电子]
碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配
碳化硅(SiC)电源管理解决方案搭配 可配置数字栅极驱动技术助力实现“万物电气化” Microchip Technology Inc. Nitesh Satheesh/Tomas Krecek/Perry Schugart/Xuning Zhang/Kevin Speer 绿色倡议持续推动工业、航空航天和国防应用,尤其是运输行业的电力电子系统设计转型。 碳化硅(SiC)是引领这一趋势的核心技术,可提供多种新功能不断推动各种车辆和飞机实现电气化,从而减少温室气体(GHG)排放。 碳化硅解决方案支持以更小、更轻和更高效的电气方案取代飞机的气动和液压系统,为机载交流发电机、执行机构和辅助动力装置(APU)
[电源管理]
科锐和意法半导体扩大150mm碳化硅晶圆供应协议
科锐与意法半导体宣布扩大现有的碳化硅晶圆长期供货协议。修订后的协议要求科锐在未来几年内向ST供应150mm碳化硅裸晶圆和外延晶片,目前价值超8亿美元。 ST总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery表示,ST与科锐的长期晶圆供应协议的最新扩展,将继续有助于ST全球碳化硅衬底供应的灵活性。它将继续为我们的全球供应作出贡献,补充ST已确保的其他外部产能和正在增加的内部产能。该协议有助于满足ST未来几年产品制造业务的高产量需求,大量汽车和工业客户项目将大幅增加。 随着汽车行业从内燃机转向电动汽车,基于碳化硅的电力解决方案在整个汽车市场迅速发展,从而提高系统效率,使电动汽车的续航里程更长,充电速度更快,同时降低成本,减轻重量,节省空
[手机便携]
碳化硅如何实现为电机驱动赋能?
近年来,电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带(WBG)材料的兴起,即碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。WBG功率器件已经对从普通的电源和充电器到太阳能发电和能量存储的广泛应用和拓扑结构产生了影响。SiC功率器件进入市场的时间比氮化镓长,通常用于更高电压、更高功率的应用。 电机在工业应用的总功率中占了相当大的比例。它们被用于暖通空调(HVAC)、重型机器人、物料搬运和许多其他功能。提高电机驱动的能效和可靠性是降低成本的一个重要途径。SiC在高功率工业驱动中的应用越来越多。SiC的独特性能使其成为应对这些挑战的首选电力电子材料。 SiC材料特性 SiC是一种半
[嵌入式]
集微咨询:国内SiC衬底企业技术图谱:“产学研”基因显现
- 国内碳化硅产业化带有“学研”基因极为突出,“产学研用”已成国内碳化硅衬底领域的重要特色; - 国内SiC商业化衬底以4英寸为主,逐步向6英寸过渡,与国际主流相比,我国大尺寸SiC单晶衬底制备技术仍不成熟,单晶衬底尺寸仍然偏小; - 国内SiC单晶材料领域在以下方面存在一定风险:一是SiC单晶企业无法为国内已经/即将投产的6英寸芯片工艺线提供高质量的6英寸单晶衬底材料。 以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料是继硅材料之后最有前景的半导体材料之一,与硅材料相比,以碳化硅晶片为衬底制造的半导体器件具备高功率、耐高压、耐高温、高频、低能耗、抗辐射能力强等优点,可广泛应用于新能源汽车、5G 通讯、光伏发电、轨道交
[手机便携]
安森美在捷克共和国扩建碳化硅工厂
该工厂将在未来两年内将其碳化硅 (SiC)晶圆产能提高16倍, 以满足急剧增长的微芯片需求 2022年9月22日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi),庆祝其在捷克共和国Roznov扩建的碳化硅 (以下简称“SiC”) 工厂的落成 。以工业和贸易部科长Zbyněk Pokorný、兹林州州长Radim Holiš和市长Jiří Pavlica以及当地其他政府要员为首的多位嘉宾出席了剪彩仪式,表明这一事件和半导体制造在捷克共和国的重要性。 从2019年开始,安森美在其位于Roznov的现有硅抛光和外延晶圆及芯片生产的基础上,增加了SiC抛光晶圆和SiC外延 (以下简称“EPI”) 晶圆生产。由于原来的场
[半导体设计/制造]
电装试制出输出功率密度高达60kW/L的SiC逆变器
日本电装试制出了采用SiC功率元件制成的逆变器。该逆变器的特点是输出功率密度高达60kW/L,这一数值达到了“全球最高水平”(该公司)。 该试制品通过将功率半导体材料由原来的Si改为SiC,同时功率元件内部通过采用自主开发的构造实现了低电阻化,从而降低了电力损耗。而且,还通过改进逆变器模块内的布线,降低了模块整体的电阻,从而使发热量比原产品减少了68%。 电装预定在汽车领域展会“人与车科技展2012”(2012年5月23~25日)上展出此次的试制品。
[汽车电子]