东微半导：专注底层结构创新，有望成长为国产高性能功率半导体领航者

4月21日及4月27日，东微半导先后发布2021年年度报告以及2022年第一季度业绩报告。报告显示，公司长期受益于功率半导体功率器件领域的高景气，下游需求旺盛，2021年公司实现营业收入7.82亿元，同比增长153.28%；归属于上市公司股东的净利润约1.47亿元，同比增长430.66%；归属于上市公司股东的扣非净利润1.41亿元，同比增长588.67%；综合毛利率28.72%，同比增长10.87%；基本每股收益2.91元，同比增长385%。

今年第一季度，东微半导经营业绩持续高速增长，实现营业收入2.06亿元，同比增长45.50%；归属于上市公司股东的净利润4774.33万元，同比增长129.98%；归属于上市公司股东的扣非净利润4709.94万元，同比增长128.96%，主要系得益于公司工业及汽车级应用领域产品营收占比持续提高、大功率产品比重持续增加等因素，进一步提高了产品平均售价，使得第一季度销售规模持续扩大的同时毛利率进一步增长至32.93%，环比增长3.95个百分点。

公开资料显示，东微半导专注于高性能功率器件，产品广泛应用于工业及汽车相关等中大功率应用领域。公司凭借优秀的半导体器件结构底层创新与工艺创新能力，集中优势资源聚焦高性能高可靠性功率半导体器件的开发及产业化，是国内少数具备从专利到量产完整经验的高性能功率器件设计公司之一，并在应用于工业级领域的高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域实现了国产化替代。今年2月公司成功登陆上海证券交易所科创板并交出了首份亮眼业绩，从其财报披露的技术研发和部分产品批量供货的业务进展来看，东微半导在技术难度高、国产化率低的高性能功率半导体器件领域实现了多项创新技术的突破，正在跃升为国内功率半导体器件第一梯队厂商的行列。

产品结构组合优化、IGBT持续放量，营收质量快速提升

东微半导主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET，以及Tri-gate IGBT系列公司主营产品广泛应用于新能源汽车充电桩、新能源车车载充电机、通信电源、光伏逆变器、数据中心服务器电源、快速充电器等高速成长市场领域，其中2021年工业和汽车级应用领域营收占比逾60%。

公司年报中重点披露了东微半导原创的Tri-gate IGBT（TGBT）技术进展，其650V、1200V及1350V产品已于2021年第一季度进入小批量量产阶段，第二季度实现批量供货并迅速放量，实现对多个头部客户的第四代至第七代传统IGBT产品的替代。根据公司年度报告数据显示：Tri-gate IGBT产品全年实现营业收入568.17万元，而上半年销售额仅为22.95万元，增速迅猛。TGBT产品具备高功率密度、开关损耗低、可靠性高、自保护等特点。在2022年有望在各高性能应用领域的迎来爆发性增长，成为公司新的王牌产品。

公司年度报告数据显示：2021年度，高压超级结MOSFET产品实现营业收入约5.7亿，同比增长128.27%；中低压屏蔽栅MOSFET产品实现营业收入约2.06亿，同比增长246.85%；超级硅MOSFET产品实现营业收入较2020年同期增长432.63%；

营收占比最大的高压超级结MOSFET是东微半导目前的主力产品系列，该细分市场长期以来主要被进口厂商占据，国内高性能高压超级结MOSFET功率器件市场占比较小。在此情况下，东微半导自成立以来积极投入对高压超级结MOSFET产品的研发，并始终以工业和汽车级应用为目标，迄今为止已大批量供货给华为、比亚迪、特锐德、通用电气、视源股份、英飞源、英可瑞、高斯宝、金升阳、雷能、美的、创维、康佳等全球知名客户的认可，成为国内超级结MOSFET主要供应商，取得了良好的市场口碑和影响力。

在5G基站持续建设及新能源汽车相关需求放量的推动下，对超级结MOSFET的需求持续将高速增长，目前国产化率仍然较低，成长空间巨大。2021年东微半导体在持续提升第三代GreenMOS高压超级结技术平台产品性能的基础上，进一步扩展产品规格，大量进入车载应用领域，在该领域实现10倍以上的增长。第四代GreenMOS高压超级结技术已研发成功，预计将于今年开始批量供货；基于12英寸先进工艺制程的高压超级结MOSFET技术进入大规模稳定量产并进入大量工业应用领域，基于12英寸工艺制程的下一代超级结MOSFET技术开发进展顺利；1000V以上高压超级结MOSFET技术工程开发成功，具备量产能力。

产品规格不断丰富大大提升了东微半导体的竞争力，并借此进一步拓宽了市场空间。新能源汽车直流充电桩和车载充电机作为东微半导体的主要细分市场，2021年向国内各主要的直流充电桩电源模块厂商，以及车载充电机设计制造厂商持续批量出货，终端客户群覆盖多个国内外知名新能源汽车品牌。通讯电源和基站电源是高压超级结MOSFET的另一大主要应用领域，在去年实现了多个重要客户的供货增长并增加新的设计规格，进入客户全球技术平台。此外，在光伏逆变器和储能应用中，大批量进入多个国内头部客户。

随着主营产品业务的稳健增长，新型功率器件TGBT将成为公司下一波成长主力，伴随公司大量工业及车规级高质量头部客户群体不断导入，东微半导的产品和收入结构得到显著优化，有力推动了公司的产品单价及毛利率的持续提升，为公司2022年持续高速成长提供重要支撑。

持续加大研发投入、专注器件结构创新，稳步迈入国内第一梯队

产品组合的不断丰富得益于东微半导持续加强研发投入特别是先进产品的研发。年报显示2021年公司的研发投入同比增长了159.07%，持续推进上述产品平台的技术迭代和升级，优化8英寸与12英寸芯片代工平台的产品布局，在研发人员数量、专利数量、新品开发数量上均实现了快速增长。截止2021年底产品规格型号超过1790余款，其中高压超级结MOSFET产品(包括超级硅MOSFET) 1100 款，中低压SGT产品641款，IGBT产品52款。东微半导持续专注底层器件结构的创新，已授权专利中，结构创新的专利占比超过80%。

完整的研发团队及体系与持续的研发投入使得东微半导体成为功率器件领域产品性能领先的本土企业之一，在高端工业级功率器件领域的技术能力与产品性能已可与国际一流厂商比肩，技术领域已迈入国内第一梯队。凭借优秀的研发实力，公司在8英寸制程700V及以 GreenMOS高压的超级结芯片、12英寸先进工艺GreenMOS超级结MOSFET、超级硅功率器件、TGBT等主要产品方面均已具备了国内领先甚至国际领先的核心技术，并在众多高端应用领域替换国外产品，实现高端应用的国产化。其中，第一代650V TGBT电流密度已达到国际主流第七代IGBT的技术水平，消除了多年以来国产IGBT与进口IGBT芯片之间的技术代差。

加快布局第三代半导体功率器件

除加码当前炙手可热的IGBT技术外，东微半导同时也在加快第三代半导体功率器件的布局，并于2021年7月立项了第三代半导体SiC功率器件自主研发项目，主要针对以SiC的为衬底的第三代半导体材料功率器件进行研发，实现高性能功率器件技术的全覆盖。根据Yole的数据，2019年应用在新能源汽车的SiC器件市场规模为2.25亿美元，预计到2025年将增长至15.53亿美元，复合增长率达38%。

目前采用公司独创技术的高性能高可靠性第三代半导体MOSFET器件，已申请多项相关专利，产品开发顺利进行。此系列产品将与公司的超高速系列TGBT互为补充，对采用传统技术路线的SiC MOSFET进行升级替代，预计可应用于新能源汽车电驱系统、直流大功率新能源汽车充电桩、车载充电机、光伏逆变器、储能逆变、UPS电源等领域。除此之外，公司在氮化镓领域也已具备一定的技术积累和经验，正积极关注和探索相关产品及其应用。

持续稳定供应商关系、保证产能供给，强化高质量客户群体

2021年随着下游需求持续增长以及上游原材料供应紧张，全球晶圆代工产能持续紧张，进一步导致了代工价格的增长。为此，东微半导与华虹半导体等多个国内外代工厂继续保持稳定的业务和技术合作关系，随着各家代工厂扩产，凭借优秀的产品和技术提升产能价值，公司有望持续获得更多产能支持。在此基础上，公司还与代工合作伙伴共同规划产能、定义技术路线，实现更深度的合作，保障公司的新产品研发有序推进以及产品供应能力稳步增长。

由于功率半导体器件，尤其是高性能产品的开发需要器件设计与工艺平台深度结合，研发团队需对晶圆厂的基准工艺平台进行深度优化和定制设计。因此东微半导在产品研发阶段就与代工厂进行深度的讨论，通过反复工艺调试以更好地实现芯片性能和经优化的产品。同时也持续关注并协助开发创新工艺流程，根据合作伙伴的制造能力进行深度定制化开发适配的工艺和产品，使双方实现合作共赢。

凭借优异的技术创新实力、产业链深度整合能力和终端客户定制化开发能力，东微半导已经与国内外各行业的龙头客户建立了长期的合作关系。在各类功率器件应用领域尤其是工业级、车规级应用领域获得了众多知名企业的认可，成为了该等客户的少数国内供应商之一。公司与头部客户保持深度技术合作，有利于指引其新产品定义和技术方向，能够持续为公司带来高粘性，同时也将推动公司不断进行技术迭代升级以满足引领行业发展的头部客户需求，为公司保持高端功率器件领域的领先地位奠定基础