日经：美日已在尖端芯片方面达成合作 旨在超越2纳米技术

据日经报道，在中美之间日益激烈的竞争中，日本和美国将深化在建立尖端半导体设备供应链方面的合作。

日经获悉，美日两国政府已深化合作就生产超过 2 纳米的芯片达成一致。他们还在研究一个框架，以防止技术泄漏到中国等其他国家。

日本经济产业大臣萩田晃一将于周一访问美国，会见商务部长吉娜·雷蒙多。预计他们将在访问期间宣布芯片合作。

两国都担心自己对中国台湾和其他供应商的依赖，并寻求来源多样化。台积电是 2 纳米技术的领先开发者。

日本政府已邀请台积电在西南九州岛建厂，以增加国内芯片产量。然而，这家工厂只会生产不太先进的10到20纳米芯片。此次美日新合作，聚焦前沿发展，定位为继台积电邀请后的下一步。

在日本，东京电子和佳能等芯片制造设备供应商正在国家先进工业科学技术研究所开发先进生产线的制造技术。日本和美国希望在 2 纳米芯片生产方面赶上中国台湾和韩国公司，并最终在更先进的半导体领域引领行业。

英特尔在小型化电路线宽方面落后于台积电和其他公司，这决定了半导体的性能。日本的芯片制造商较少，但在用于芯片生产的半导体生产设备和材料方面实力雄厚。

日本加强与美国芯片合作的举措是出于对国内开发和该行业生产减弱的担忧。

1990 年，日本拥有约 5 万亿日元（按当前汇率计算为 380 亿美元）的全球半导体市场的 50% 左右。但该市场份额已缩水至约 10%，尽管行业规模已膨胀至约 50 万亿日元。