电子科大在二维材料微纳机电器件研究方向取得重要进展

近日，电子科技大学基础与前沿研究院的王曾晖、夏娟课题组研究了基于二硒化钨（WSe2）的二维微纳机电器件。相关成果发表在学术期刊Nano Letters。电子科技大学基础与前沿研究院为论文第一单位和通讯单位。

据悉，由于二维材料原子级别的厚度，使得材料中的应力对外界调控极为敏感，在实现频率可调的微纳机电器件（如压控振荡器等）上具有显著的优势。但不同器件参数对这一频率可调性的影响，以及如何有针对性地优化频率调控效率等重要问题，仍然缺乏较为系统的研究和总结。

针对这一问题，该课题组的研究者们制备并测量了几十个不同尺寸的WSe2二维微纳机电谐振器，器件厚度从单层WSe2一直到一百多层不等，在此基础上，通过对器件振动的动力学方程进行深入分析，研究者们找到了最有利于使用栅压进行频率调控的器件参数区域，并成功在此类器件上进行了成功验证。

此外，在微纳机电器件研究方向，该课题组还与国防科技大学合作，在一款国产MEMS传感器中深入探索了非线性状态下模态耦合带来的独特效应，并基于此成功实现了模拟传感信号的“自放大”与“数字化”，为进一步提升传感器性能提出了新的思路；在二维材料研究中，该课题组也取得了一系列重要成果。