利用F206片内Flash进行在线编程

　　（1）模式切换

　　Flash的“在线”编程由清“0”、置“1”和数据写入等操作组成。进行这些操作前首先要将Flash由存储器工作模式（mode 1）切换至于寄存器工作模式（mode 0）。F206中Flash存储器工作模式由映射于I/O地址中的两个寄存器控制，分别为F_ACCESS0寄存器（FFE0h）和F_ACCESS1寄存器（FFE1h）。向Flash模式控制寄存器的最低位写入0，则Flash工作于寄存器模式；反之写入1，则工作于存储器模式。复位后，自动处于存储器模式。如图2所示，两种工作模式之间切换后，Flash内容变化。处于模式1时，Flash存储器显示的是其所存储的数据；处于模式0时，Flash存储器显示寄存器的内容，并且以4个为一组重复显示于整个Flash块中。

　　F206的Flash存储器块中只有4个寄存器SEG_CTR、TST、WADRS、WDATA，其余都是重复显示相同的内容，其功能如下所述。

　　*SEG_CTR：片段控制寄存器，其高8位（MSBS）用于选择相应片段。该位置“1”，则使能相应的片段，可以进行擦写。因此F206中16K×16的Flash块分为8个片段，每个片段2KB.低8位（LSBS）用来控制Flash块的擦除、写入、校验等操作，如图3所示（各个控制位的具体设置方法请查阅TI相关参考资料）。

　　*TST：测试寄存器，通常不用。（保留，用于测试。）

　　*WADRS：写地址寄存器，用于存储写操作地址。

　　*WDATA：写数据寄存器，用于存放写操作数据。

　　（2）清“0”操作

　　清“0”操作按扇区进行，F206的Flash每一区的大小为32个字（WORD）。进行清“0”操作就是对Flash存储单元的非零位（即值为“1”）写入0，使各数据位的边缘保持一致；通常的做法是将Flash存储单元中的数据读出，与FFFFh进行异或（XOR）后，再写回Flash存储单元中。清“0”操作后，需调用VER0功能对Flash块进行0校验。