为了给白光LED提供足够的正向压降,可以使用基于电容的电荷泵或基于电感的升压电路。考虑到效率和电池寿命,基于电感的转换器可能是最好的选择,但是额外的电感会增加系统成本。而且,由于EMI和RF干扰,电感型升压电路需要仔细的设计和布板。与之相比,电荷泵解决方案具有价格便宜、易使用等优势,但效率较低,缩短了电池使用寿命。
随着电荷泵设计技术的改进,新型白光LED驱动芯片,如Maxim等公司的芯片,不但可以获得电感升压电路的效率(大约85%),而且可以保持传统电荷泵设计的简捷、低成本等优势。
分数电荷泵及其对效率的影响
第一代白光LED驱动电荷泵的基本架构是倍压或2x拓扑,2倍压电荷泵的工作效率为:
PLED/PIN=VLED×ILED/(2×VIN×ILED+Iq×VIN)
其中,Iq是电路的静态电流,因为Iq非常小,上式可近似等效为:
PLED/PIN≈VLED/(2VIN)
为了提高效率,第二代白光LED驱动电荷泵的输出不再是输入电压的整数倍。如果电池电压足够,LED驱动器将产生1.5倍压输出,1.5倍压电荷泵的转换效率为:
PLED/PIN=VLED×ILED/(1.5×VIN×ILED+Iq×VIN)≈VLED/(1.5VIN)
从上式可明显看出:1.5倍压电荷泵的效率显著提高了。假设电池电压为3.6V,LED电压为3.7V,效率从2倍压电荷泵的51%提高到69%。
第三代电荷泵引入的1倍压模式进一步提高了效率。当电池电压足够高时,通过一个低压差电流调节器直接将电池连接到LED,此时,效率可以通过下式表示。
PLED/PIN=VLED×ILED/(VIN×ILED+Iq×VIN)VLED/(VIN)
当电池电压足以驱动白光LED时,1倍压模式的效率超过90%。如果电池电压为4V,LED导通压降为3.7V,则效率可达92%。
在不同电池电压下获得最高效率
1倍压转换模式效率最高,但只能用于电池电压高于LED正向压降的情况下。为了获得最高效率,白光LED驱动器设计要求综合考虑电池和LED电压,当电池电压(或LED电压)改变时需要相应地改变驱动器的工作模式。但是,如果在电池电压较高时(而非必要的条件下)改变工作模式,开关损耗可能使电路进入低效率模式。当电池电压下降时,最好尽可能地使驱动器保持在高效模式(例如1倍压模式),对于功率开关而言,为了得到低损耗,芯片面积和成本都将提高。
为了保持1倍压模式能够工作在尽可能低的电池电压下,要尽可能降低1倍压模式调整管FET和电流调节器的压降。压降决定了串联损耗和所能维持的1倍压模式的最低输入电压。最小输入电压由下式表示:
VLED+Bypass PFET RDS(ON)×ILED+VOPOUT
传统的正电荷泵白光LED解决方案采用PMOS FET作为旁路开关连接电池和LED,如图1所示。FET的导通电阻RDS(ON)大概是1~2Ω。更小的导通电阻将受限于芯片面积和成本。导通电阻越小,芯片面积越大,成本也越高。
当输入电压不足时,正压电荷泵产生1.5倍压或2×VIN的输出,用来驱动白光LED的阳极。为了在正压电荷泵中采用1倍压结构,我们必须使用一个内部开关旁路VIN和白光LED的阳极。当输入电压不足时,负压电荷泵能够产生-0.5VIN输出,驱动白光LED的阴极。工作在1倍压模式时,负压电荷泵结构不需要旁路-0.5VIN到地,因为电流调节器直接控制LED电流从VIN流入GND。由此扩展了1倍压模式的工作电压:VLED+VDROPOUT
图2显示了1倍压模式下负压电荷泵的电流路径,没有P沟道MOSFET旁路开关,WLED调节电流直接通过VIN流入GND。如果ILED总电流为100mA,P沟道MOSFET的导通电阻为2Ω,则旁路开关压降为200mV。因为锂电池主要工作在3.6~3.8V,对于典型的Li+电池放电曲线,200mV压差、1倍压模式的负压电荷泵可以显著提高效率。
在不同LED正向压降下获得最高效率
传统的1倍压/1.5倍压正电荷泵白光LED驱动器,LED的阳极连接在电荷泵的输出。如果LED不匹配,即每个LED的正向导通压降不同时,如果(VIN-VLED)不足以支持最大正向导通压降,则将驱动器切换到1.5倍压模式。这种情况下可能只有一个LED不能满足导通电压的要求,而电荷泵就必须放弃高效的1倍压模式。负压电荷泵则不同,可以通过多路开关分别选择1倍压模式或-0.5倍压模式。因此,如果某个LED需要较高压降,则不需要将所有通道转到-0.5倍压模式。例如,MAX8647/48驱动器,当输入电压不能驱动导通电压最高的LED时,仅仅打开需要负压电荷泵驱动的LED通道,其他LED仍然保持1倍压工作模式。独立的LED开关可以在不同时刻、不同VIN下切换到-0.5倍压工作模式。
结论
负压电荷泵白光LED驱动器能够分别切换各个通道的工作模式,与1倍压/1.5倍压正电荷泵LED驱动方案相比,显著提高了工作效率,如图3所示。
上一篇:用于模拟训练的LED 照明光源白皮书
下一篇:LED隧道照明工程技术指标分析
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 15:20
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- Allegro MicroSystems 在 2024 年德国慕尼黑电子展上推出先进的磁性和电感式位置感测解决方案
- 左手车钥匙,右手活体检测雷达,UWB上车势在必行!
- 狂飙十年,国产CIS挤上牌桌
- 神盾短刀电池+雷神EM-i超级电混,吉利新能源甩出了两张“王炸”
- 浅谈功能安全之故障(fault),错误(error),失效(failure)
- 智能汽车2.0周期,这几大核心产业链迎来重大机会!
- 美日研发新型电池,宁德时代面临挑战?中国新能源电池产业如何应对?
- Rambus推出业界首款HBM 4控制器IP:背后有哪些技术细节?
- 村田推出高精度汽车用6轴惯性传感器
- 福特获得预充电报警专利 有助于节约成本和应对紧急情况