就LED照明产品制程来看,分为Level0至Level5等制造过程,其中,Level0为磊晶与芯片的制程,而Level1将led芯片封装,Level2则是将LED焊接在PCB上,Level3为LED模块,Level4是照明光源。
LED产业进入照明时代后仍持续面临降价压力,LED厂竞相投入无封装芯片的开发,LED厂PhilipsLumileds、Toshiba、台积固态照明、晶电与璨圆的无封装芯片产品已陆续推出,继晶电ELC(EmbeddedLEDChip)技术与璨圆PFC(PackageFreeChip)亮相后,PhilipsLumileds随即推出采用ChipScalePackage(晶圆级芯片尺寸封装)技术,并且首次已覆晶(flip-chip)为基础开发出的高功率LED封装元件LUXEONQ,无封装芯片技术无疑是2013年产业一大焦点。
就LED照明产品制程来看,分为Level0至Level5等制造过程,其中,Level0为磊晶与芯片的制程,而Level1将LED芯片封装,Level2则是将LED焊接在PCB上,Level3为LED模块,Level4是照明光源,而Level5则是照明系统。LED厂无封装芯片技术多朝省略Level1发展。
PhilipsLumileds2013年扩增产品线脚步积极,除了布局中低功率产品线以外,也在近期宣布推出高功率LED封装元件LUXEONQ,这是PhilipsLumileds首次以flip-chip为基础技术开发出的高功率LED,并且采用飞利浦ChipScalePackage(晶圆级芯片尺寸封装)技术。
PhilipsLumileds最新推出的LUXEONQ利用CSP技术与覆晶技术达成高功率与高流明表现,据了解,PhilipsLumileds前一代thin-filmflip-chip技术必须在后段制程时将蓝宝石基板移除,而LUXEONQ采用新一代的flip-chip技术,不需要在后段制程中移除蓝宝石基板。LUXEONQ锁定直接取代市场上已相当熟悉与应用成熟的3535系列产品,应用范围包括天井灯、崁灯、外墙灯、替换型灯泡与特殊灯具应用。
台湾LED芯片厂在无封装芯片产品的开发脚步也同样积极,晶电ELC新产品采用LED照明制程,将省去封装(Level1)部分,包括过去的导线架、打线都不需要,仅留下芯片搭配荧光粉与封装胶使用,并且可以直接贴片(SMT)使用,据悉,晶电ELC产品已打入背光供应链,未来也将用于照明市场。
璨圆也开发出PFC免封装产品,运用flipchip基础的芯片设计不需要打线,PFC免封装芯片产品的优势在于光效提升至200lm/W,发光角度大于300度的超广角全周光设计,加上可以不用使用二次光学透镜,将减少光效的耗损与成本。
上一篇:专家解读智能LED照明关键设计的重要元素
下一篇:【拆解】LED红外人体感应灯
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox
- 意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能
- 全新无隔膜固态锂电池技术问世:正负极距离小于0.000001米
- 东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
- 【“源”察秋毫系列】 下一代半导体氧化镓器件光电探测器应用与测试
- 采用自主设计封装,绝缘电阻显著提高!ROHM开发出更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管
- 艾迈斯欧司朗发布OSCONIQ® C 3030 LED:打造未来户外及体育场照明新标杆
- 氮化镓取代碳化硅?PI颠覆式1700V InnoMux2先来打个样
- 从隔离到三代半:一文看懂纳芯微的栅极驱动IC