1 驱动电源整体结构
本文设计的大功率LED驱动电源采用两级结构。市电220V交流电经过整流滤波电路后,进入前级的有源功率因数校正(APFC)电路,输出稳定的直流后,通过后级的单端反激变换电路进行降压,实现稳态恒功率控制[1-2],其结构框图如图1所示。
2 功率因数校正电路
本设计采用ST公司的控制器L6561,原理图如图2所示。
2.1 输入电容的选择
输入高频滤波电容Cin可减弱高频电感电流涟路产生的切换噪声。如取较大的值有助于减弱噪音,改善EMI,但会使功率因数和电流谐波变差,尤其在高输入电压和轻载时[3]。另一方面,小的Cin值,有助于提高功率因数和减小输入电流畸变,但需要更大的EMI滤波器,会增加输入整流桥前面的功率损耗。因此需要在两者间权衡考虑,这里选用标称值0.47μF、耐压值400V的CBB电容。
2.2 输出电容的选择
输出电容要根据输出电压的大小、最大允许过电压值的大小、输出功率和期望的电压纹波率来选择。整流后的电压纹波大小与电容的等效阻抗和电容的峰值电流有关,使用低ESR值的电容器,电容的容抗会比较好,因此其电容值为
计算得到Co要大于等于23.87μF。
启动时间也做出要求,Co要在允许的最大压降时间内传递所需的输出功率需求。由于同时要满足保持时间30ms的要求,需对电容值再次进行计算。
注意输出电容容量的典型值与输出功率有关。由
计算得到Co为102.9μF。
因电容器的电容量存在误差,还需要考虑降额使用。在此设计中降额20%,故选用标称值150μF、耐压值420V的电解电容。
2.3 功率MOSFET的选择
选择MOSFET的主要参考依据是导通电阻RDSon,针对功率因数校正技术的应用,开关管的耐压是由过压允许值以及输出电压决定的,它所能承受的最大电压出现在开关管的关断时刻,大约为电源额定直流的输出电压值[4]。在选用开关管时,它的耐压规格最好留出20%的电压裕量,因此本设计中采用的开关管源漏极承受电压为VDSS≥1.2V0=480V。流过MOSFET的最大平均电流为
从而求得IQrms=1.26A,选用Infineon公司的20N60S5。
2.4 控制电路部分的设计
2.4.1 电压反馈环路设计
电压反馈是通过芯片INV脚引入的。连接到放大器E/A的反向输入端OVP电路,升压后的输出电压通过一个电阻分压网络联接到此引脚。内部E/A之非反向输入端有2.5V的参考电压,OVP保护触发电流为40μA。RoutH、RoutL按下式选择:
,
计算可得RoutH=1000kΩ,RoutL=6.3kΩ,在此采用2个560kΩ的电阻R34、R35串联作为RoutH,采用7.5kΩ的电阻R32作为RoutL。
2.4.2 电流采样电阻的选择
电流检测比较器的反向输入端,通过L6561芯片的CS引脚,可检测流过电感的瞬间电流大小,并藉由外部检测电阻RS转换成电压值。一旦这个值达到了乘法器输的出极限值,PWM的栓锁就被重置、MOSFET就被关闭。在PWM栓锁还未被ZCD讯号设定之前,MOSFET都会在关闭的状态。感测电阻值RS的大小由下式计算:
PWM比较器反向输入端的箝位二极管把输入电压最大箝位限制在1.8V,因此RS不能大于0.488Ω,取RS为R10= 0.39Ω。
2.4.3 乘法器分压电阻的选择
管脚3是乘法器的第二个输入端;整流后的电压通过一个电阻分压网络连接到此引脚,以获得一个正弦波的参考电压信号[5]。乘法器可由以下关系描述:
一个完整的描述如图3所示。它描述了乘法器的典型参数特性,VMULT从0到3V、VCS从0到1.6V时可以保证乘法器操作于线性区域;而在特性曲线族中,最大斜率值()至少为1.65。基于这个考虑,可以按以下方法设定乘法器的适当工作点。
首先要确定VMULT的峰值VMULTpkx,这个值在线电压最大时出现,应保证这个值为3V或接近3V,并且在宽电压输入范围,而在单电压输入时,可以取小一点的值。最小值出现在输入线电压最低时,表示如下:
此值乘以固定的斜率△VCS/△VMULT,将得到乘法器的最大峰值输出电压VXCSpk=1.65VMULTpkx。如果VXCSpk超过电流检测线性限制值1.6V,则需选择一个更低的VMULTpkx并重新计算。用这种计算方式,电阻的比值为:
这里VMULTpkx取最大值3V,计算得到(R33+R36)/R31=112.1,我们取R31=10kΩ,R33=560kΩ,R36=560kΩ。
3 单端反激恒流电路
本设计采用单端反激式变换器,使用On-Bright(昂宝)公司OB2269芯片[6]。反激式变换器电路的原理图设计如图4所示。
3.1 变压器的设计
设计反激式变压器,就是要让反激式开关电源工作在一个合理工作点,使其发热量尽量少[7-8]。
首先设定变压器的原边感应电压值VR,它决定了电源的占空比。这里设定VR为200V,开关频率f=60kHz。开关管开通时,原边相当于一个电感,其两端加上电压后,电流呈线性上升,有:I升=Vs•Ton/L,其中VS为原边输入电压,L为原边电感量,Ton为开关开通时间。开关管断开时,原边电感放电,电感电流下降,有:I降=VR•Toff/L,其中Toff为开关关断时间。
由于每个周期原边电感电流不变,即I升=I降,因此有Vs•Ton/L=VR•Toff/L。引入占空比D代替Ton,用(1-D)代替Toff,得到D=VR/(VR+VS)。计算求得D=0.333。同时求得开关开通时间为Ton=D•T= D/f=5.56×10-6s。
这里选用PC44材质的PQ3220型铁氧体磁芯,该磁芯截面积Ae=170mm2,窗口面积Aw=80.8mm2。ΔBm的值一般是0.1到0.3之间,取得越小,变压器的铁损越小,但相应变压器的体积会大些。这里ΔBm取0.3T,代入求得原边线圈的匝数为NP=43.57,这里取44匝。电流的平均值为I=P0/(η•Vs) =0.3A,峰值电流Ip=I/[(1-0.5KRP)•D],KRP是最大脉动电流和峰值电流的比值,取值范围在0到1之间。这里为了计算方便,取KRP=1,计算得IP=1.8A,则原边电感值Lp=Vs•Ton/(Ip•KRP)=1.23mH。
反激电源输出电压为36V,副边线圈输出的电压为输出电压VO再加上整流管的压降VF,VF压降约为0.6V。由于变压器线圈匝数和电压成正比,因此副边线圈匝数为
求得NS=8.29,取9匝。两个辅助绕组,一个用于输出端恒流芯片供电,一个用于去磁检测,取两个辅助绕组的输出电压为15V,其匝数均为:NA=15×Ns/(Vo+VF)。计算NA=3.69,取4匝。
变压器绕制,初级线圈采用0.4mm漆包线,次级绕组及两个辅助绕组采用0.3mm漆包线,为降低集肤效应影响,都采用3股并绕法。绕线占用窗口面积为20.19mm2,小于PQ3230型铁氧体磁芯的窗口面积,因此线圈绕制合理。变压器需开气隙为:Ig=4π×10-7•Np•Ag/Lp=0.34mm。
3.2 开关管的选择
开关管承受最大电压有PFC输入电压、原边感应电压和开关管关断时初级线圈冲击电压,电压之和约为638V。开关管开通延迟与关断延迟时间都要尽可能短,以提高开关速度,避免造成无谓损耗。考虑裕量和开关管损耗,在此选用Infineon公司的20N60S5。
3.3 恒流限压控制电路的设计
限压控制方面,选用德州仪器公司生产的三端可调分流基准源TL431A。在应用中要选择传输系数和耐压较高的光电耦合器,选用型号为PC817的光耦器。另外需通过R16、R17、R18对TL431A进行分压,分别取R16=3kΩ、R17=100kΩ、R18=39kΩ,计算能得到稳定时V1=36V,符合条件。恒流控制方面,选用型号为LM358的运算放大器。
在设计中使用阻值为0.05Ω的电阻R2在输出端作为电流采样电阻。电流反馈信号通过LM358、二极管D6和光电耦合器PC817反馈至OB2269的2脚FB端,再通过OB2269芯片控制输出电压,实现输出电流稳定在3A。
4 实验测试数据及分析
在完成电路调试和驱动电源的制作后,采用功率电阻模拟负载的方式,对电源样机的实际工作情况进行了实验测试。电源在不同输入电压条件下负载工作时所测得的数据如表1所示。从表中数据可以看出,在100到240V的宽输入电压范围内,输出电流均保持在3A左右,达到恒流输出的效果。
电源在不同负载条件下工作时所测得的数据如表2所示。数据表明,电源效率及功率因数随负载增加而上升。在满负载的情况下,驱动电源样机的功率因数达到96.9%,效率能达到86.75%,基本符合大功率LED照明系统对驱动电源的要求。
5 结论
本文从功率因数校正和变换器及其拓扑结构上进行了讨论分析,设计出一款有源功率因素校正的单端反激变换大功率LED驱动电源,通过测试驱动电源的功率因数和效率,给出实验结果并进行分析,验证本文所述理论的正确性。
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