LED背光漏电流故障解决方案BoostPak

最新更新时间:2014-06-21来源: 互联网关键字:LED背光  漏电流  BoostPak 手机看文章 扫描二维码
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配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件:一个采用DPAK封装的100VMOSFET,以及一个同样采用DPAK封装的100V肖特基二极管。LED背光单元中,肖特基二极管的高漏电流可能会造成一些问题,尤其在较高温度下。某些客户曾遇到量产时肖特基二极管出现泄漏故障的问题。改善泄漏故障的一种方法是将肖特基二极管的额定电压从100V增加到120V,但系统温度较高时,漏电流依然是个问题。

  飞兆半导体的设计团队开发了一种替代方法,即采用100VBoostPak解决方案。BoostPak系列(图1)在单封装内集成两个器件:一个100VMOSFET和一个150VNP二极管。

  图1.BoostPak在单封装内集成100VMOSFET和150VNP二极管

  BoostPak系列采用5引脚DPAK单封装。N沟道MOSFET针对最大程度降低导通电阻并保持出色的开关性能而设计。NP二极管为超快速整流器,带低正向导通压降,具有出色的开关性能。相比肖特基二极管,它具有低得多的漏电流,在高温应用中提供更高的系统可靠性。

  相比双分立器件解决方案,BoostPak方案的尺寸更小,可节省多达20mm2的PCB空间。使用单封装而非两个封装还意味着装配更方便、系统成本更低。

  BoostPak系列提供两种版本,一种额定输出功率为25W,另一种额定值为40W。表1列出详细信息。

  表1.BoostPak装配规格

  更高温度下的性能更佳

  我们想要知道NP二极管的漏电流到底有多低,因此我们进行了一些测试。测试结果如图2所示。

  图2:二极管漏电流比较

  与100V、5A肖特基二极管相比,150V、5ABoostPak系列NP二极管在所有条件下的额定漏电流值低得多,但两者在高温下差别极大。随着温度上升,肖特基二极管的漏电流以极快的速度增加,而相比之下NP二极管的漏电流依然较低。

  BoostPak系列的NP二极管采用绝佳的生命周期控制工艺制成,以实现极快速的反向恢复时间和合理的正向压降(VF(典型值):0.9V,条件为IF=5A、TJ=100度)

  图3:对反向恢复时间进行比较

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