数字万用表产品的常见术语和缩写

交流电(AC，ac):方向和幅值作周期性变化的电流。 交变:交流电的任意半个周期。电流从零上升至最大值(任一方向)再下降至零的时间周期。 

数字万用表产品的常见术语和缩写

交流电(AC，ac)

方向和幅值作周期性变化的电流。

交变

交流电的任意半个周期。电流从零上升至最大值(任一方向)再下降至零的时间周期。

交流发电机

将机械能转换为电能(交流电)的一种机电设备。最早期的用户称之为发电机。

电流表

测量电路中交/直流电流的一种仪器。除非是磁耦合，否则必须将电流表置于电流通路中使电流流过电流表。

电流表分流器

用于增加电流表量程的一种低阻导体。它是电流表机构的一条分路(并联)，承载大部分电流。

安培(A)

电流测量单位，库仑每秒(6.25 x 1018 个电子)。向电阻为 1 欧姆的电路施加 1 伏特的电压时，产生的电流为 1 安培。请参见欧姆定律。

放大器

设计用于提高所加信号的电流、电压或功率的一种电路。

模拟万用表

一种可测量电压、欧姆、安培和其他电气特性，并通过在表盘的固定刻度上移动指针来指示读数的测试设备。

模数转换或转换器(ADC 或 A/D)

将采样的模拟信号转换为表示原信号样本幅值的数字编码的过程。

音频(AF)

人耳能够正常听到的频率范围。通常大约为 20 至 20,000 Hz。

自动量程数字万用表

一种数字显示仪表，在手动选择功能后，能够自动选择正确量程来显示输入信号。

ß 值

共发射极连接的晶体管的电流增益，现在更常见于hfe (电流放大倍数)。

双极晶体管：

一种半导体器件，同时具有多数载流子和少数载流子。

击穿

反向偏置半导体结的高电阻在反向偏压下突然减小时造成电流过大的状态。并不一定是破坏性的。

桥式整流器

一种全波整流器，其中整流二极管以桥式电路连接，使电源电压正向和负向期间的电流均可流向负载。

电容(C)

静电场中存储电荷的能力。电容的表达式等于存储的电荷 Q (库仑)除以提供电荷的电压 E (伏特)。电容倾向于阻抗电压变化。单位是法拉。

容抗(XC)

电容器与时间变化信号或供电电压形成的阻抗。其值是 XC = 1/2pfC

电容器(C)

由电介质或绝缘材料隔开的两个金属板组成的器件。用于在金属板之间的静电场中存储电能。

阴极(K)

半导体二极管的负极。

CE 标识

一种欧共体认证符号，表示产品的设计和制造达到欧洲安全性与 EMC/EMI 的强制性要求。安全性涵盖电气和机械两方面的标准。EMC 是指存在电磁信号时能够正常工作。EMI 确保任何电磁辐射量均低于干扰其他电子设备的水平。
每种安装类别的电压等级各不相同。300、600 和 1000 伏是各类别最常见的电压等级。等级越高，测试标准要求越多。在设计或测试中，有一个环节就是产品容忍瞬态和其他产品外部故障的程度。它还测试产品内部发生故障时外壳保护用户的程度。
一个产品获得 CE 认证意味着产品可以安全地用于测试电压和电流，发生的故障属于下述限制时不会对用户造成伤害。以下简要说明每种等级，但是由于应用领域有所不同，这并不是全部的说明。

安装类别 I

信号级应用；专用设备、设备部件、电信，或者采取措施将瞬态过压限制到适当低水平的其他电子设备。

安装类别 II

本地级；家用电器、便携式设备，以及负荷有限的家用设备或产品。通常是可以插入墙式配电插座的任何产品。

安装类别 III

配电级或永久连接的固定安装应用。此类的覆盖范围从建筑的用户引入线到墙式配电插座。

安装类别 IV

初级供电级；外部架空线、连接至建筑用户引入线的电力电缆系统。

电荷(Q)

一种可测量的电能量，表示原子粒子之间的静电力。电子带有负电荷。

扼流圈

一种电感线圈，专用于通过大直流电流。它通常在电源滤波器中使用，帮助减少纹波；可是，有些电感线圈则称为射频扼流圈(rfc)，用于防止射频流入电路。

电路

允许电流从电压源的一端流向另一端的完整通路。

断路器

一种用作保护装置的电磁开关。当电流超过指定值时，它将电路切断。

时钟频率

系统中主时钟或振荡器的振荡频率。

线圈

圆柱体或金属芯上缠绕数圈电线所组成的部件。

集电极(C)

晶体管中捕获运动电子或空穴的元件，而且通常从中获得输出。类似于真空三极管的屏极。

色码

使用颜色标识电子元器件值或其他变量值(如，元件容限)的一种方法。

互补金属氧化物半导体(CMOS)

一种逻辑信号，工作于负电压至正电压，或者最大正电压和负电压之间的某点。最大电压由制造商确定。

元件

组成电路、功能、子系统或整件设备的各个部件。

导体

电子比较容易通过的物质。

接触器

一种特殊的继电器，用于切换电力线电压下的大电流。

通断性

一种连续的电气通路。

可控整流器

一种四层半导体器件，其中门电流触发导通，而减少阳极电压使其低于临界值则触发电关闭。

库仑(C)

电荷的单位，由 6.25 x 1018 个电子组成。

波峰因子

波形的峰值与有效值之比

电流(I)

电子流，测量单位为安培。在电阻为 1 欧姆的电路上加 1 伏特的电压时，产生的电流则为 1 安培。

数据保持

按下按钮时，保持显示的读数。再次按下“HOLD”(保持)按钮时将释放显示读数。

分贝(db)

表示功率 P1 与 P2 之比的标准单位。dB = 10 log10 P1 / P2，即贝尔的十分之一。

电介质

用于隔离电容的极板或绝缘电触点的非传导性物质。

数字万用表

一种可测量电压、欧姆、安培和其他电气特性，并将读数显示在 LCD 或 LED 上的测试设备。

数字信号

电平仅为不连续值的一种信号，例如开或关、1 或 0，+5v 或 +0.2v。

数模转换或转换器(DAC 或 D/A)

接收数字输入信号并将其转换为模拟输出信号的一种电路。

二极管

一种元器件，它有两极，对一个方向的电流具有高电阻，对另一个方向的电流具有低电阻。

直流(DC，dc)

在电路中仅有一个方向的电流。

漏极

场效应晶体管中的电极，大体上类似于双极性晶体管的集电极。

有效值

在负载电阻中产生的热效应与对应值的直流电流相当的交流电流的值。

电

在静电、机械、化学或热产生的电动势影响下电子流过物质和器件时产生的一种能力形式。

电解电容

电极浸入湿电解质或干膏的一种电容器

电动势(E)

存在电位差时引起电路出现电流的势能。电压的同义词。

电子

带负电荷的基本原子粒子，它围绕带正电荷的原子核旋转。

静电场

带电荷物体周围的电场或力。

发射极(E)

晶体管中的半导体材料，当发射极-基极结正向偏置时，将载流子发射到基极区。

误差

计算、测量或观察得出的值与正确值之间的任何偏差。

法拉(F)

电容的基本单位。在电容器上加 1 伏特的电压时，如果其存储的电荷为 1 库伦，其电容值则为 1 法拉。

励磁线圈

缠绕在软铁芯的绝缘线圈形成的电磁场。常用于马达和发电机。

场效应晶体管(FET)

一种 3 极型半导体器件，其中因栅极和源极之间电压场形成的导电沟道而导致电流从源极流向漏极。

灯丝

真空管白炽灯中的发热元件。

滤波器

一种电路元器件或元器件组，通过某些频率的信号，同时阻止其他频率的信号。

荧光

电子或其他射线照射时能够发射光的能力。

正向电阻

有电流流过半导体 pn 结时正向偏压结的电阻。

正向电压(或偏压)

为允许电流流过半导体结和器件而施加在半导体结上的电压。

频率(F 或 f)

单位时间内周期波形完成循环的次数。

增益(G)

1.信号的电流、电压或功率增加的程度。2.放大器的输入信号量与输出信号量之比。

地线(或接地)

1.电子设备中电流的共同回路。称为电接地。2.连接到或者假设为与地相关的零电位的参考点。

亨利(H)

电感单位。线圈的电感以亨利为单位，是线圈大小、线圈数量和芯材类型的函数。

赫兹(Hz)

一个周期每秒。

阻抗(Z)

电路中，电路元件表示对交流电所起的阻碍作用。阻抗包括电阻和电抗。

电感(L)

线圈存储其周围磁场能量的能力，产生往往与线圈中已有电流的任何变化相反的属性。

感抗(XL)

电路中存在交流或脉冲直流时电感产生的反作用力。XL = 2pfL

输入阻抗

元件或电路连接到整个信号源上时通过信号源看到的阻抗。

结

将半导体材料分割为两层的区域，例如 pn 结。

结型晶体管

通过 p 和 n 型材料三个交替区组成的 PNP 或 NPN 晶体管掺杂材料通过扩散或离子注入形成。

漏电(或漏电流)

装置或电路周围或穿过装置或电路的不希望电流。

负载

消耗电源供应的电力的任何元器件、电路、子系统或系统。

逻辑高/低

表示 TTL 或 CMOS LOGIC 信号的逻辑电平。将黑色测试线/ COM 输入端连接到逻辑电路的公共总线。将红色测试线 / V-W 输入端连接到要测试的点。逻辑“1”电平(高脉冲)由显示屏中的(向上箭头)符号表示；逻辑“0”电平(低脉冲)由(向下箭头)符号和 40ms 蜂鸣声指示。

环路

电流或信号绕流的闭合回路。

手动量程数字万用表

一种数字显示仪表，手动选择功能后必须选择正确范围才能显示输入信号。

兆欧(MΩ)

一百万欧姆。有时缩写为 meg。

微安(mA)

百万分之一安培。

微法(mfd、MFD 或 mfd)

百万分之一法拉。

毫安(mA)

千分之一安培。

毫亨(mH)

千分之一亨利。

毫瓦(mW)

千分之一瓦特。

最小/最大值

记录输入信号的最小值和最大值，同时显示电流值。每次记录新的“MIN”(最小)或“MAX”(最大)值时仪表蜂鸣。

NPN 晶体管

p 型基极夹在 n 型发射极和 n 型集电极的双极晶体管。

N 型半导体材料(N)

一种半导体材料，其中主要带电体是电子，而且电子大量超过空穴。

欧姆(Ω)

电阻的单位。向电路元件施加 1 伏特的电压时，如果产生的电流为 1 安培，该元件的电阻值则为 1 欧姆。

欧姆/伏特

模拟电压表的灵敏度等级。还表示进行电压测量时仪表给电路呈现的阻抗(电阻)。

欧姆定律

开路

不完整的电流回路。

振荡

一种持续的连续工作状态，其中电路输出一个恒定信号，其频率由电路常数和正反馈的结果决定。

峰值

正弦波的最大正值或负值。

峰值保持

保持显示寄存器中现有信号的“峰值”。只要连接引线，显示屏就可以更新(仅限更高值)“峰值”，但是取下引线时将保持“峰值”读数。

峰峰值

信号从最大正极点到最大负极点的值。

圆周率(p)

等于圆形周长与其直径之比的数学常数。大约为 3.14。

皮法(pf)

一种电容单位，即 1 x 10-12 法拉或微微法拉。

压电

一种晶体特性，当施加机械应力时，在晶体上形成一个电压，反之亦然。

PNP 晶体管

n 型基极夹在 p 型发射极和 p 型集电极间的双极晶体管。

极性

相对于某一参考点的电压正负描述。

势差

用代数法计算出的两点间电压差。

功率(P)

做功的时间速率。

功率(无功)

电抗电路中电压与电流的乘积，测量单位为伏安(视在功率)。

功率(有功功率)

电路中纯阻性元件消耗的功率，测量单位为瓦特。

电源

一种定义单元，是装置、电路、子系统或系统的电能源。

探头保持

只要连接测试线，即可保持和更新显示的读数(高值或低值)，但是取下测试线时将保持显示读数。测量之前选择“Probe Hold”(探头保持)。仪表蜂鸣表示记录了一次稳定测量。

P 型半导体材料(P)

一种半导体材料，其中空穴是主要的带电体，而且缺少电子。

量程锁定

使显示屏锁定在当前显示的量程内。随后，每按一次按钮，量程都会增加。仪表从最高量程返回到最低范围。如果测量结果大于可显示的选定量程，将显示“过载”指标。

电抗(X)

T交流电路中纯电感或纯电容提供给电流的的反作用力。

整流

将交流电转换成脉冲直流电的过程。

相对模式

将测量结果存储为参考值，而显示屏复位为零。参考值立即从随后的测量结果中减去，而且仅显示差值。首先进行测量，然后启用“Relative Mode”(相对模式)，同时显示测量结果。

继电器

一种装置，其中通过在电磁铁中接通电流施加机械力断开或闭合一组触点。触点与电磁铁隔离。

电阻(R)

阻碍电流流动的物质特性。它导致电路中的能量丢失，以热量的形式消耗掉。

电阻器

能在电路中阻抗电流的电路元器件。

R方向电流

反向偏压半导体结时的电流。

均方根(RMS)

请参见有效值。交流正弦波的 RMS 值为正弦波峰值的 0.707 倍。

半导体

在金属元素周期表中介于作为良导体的金属和作为不良导体的绝缘体之间的一种材料。

分路

一种并联电路支路，请参见电流表分流器。

信号

在电子学中，形成元器件、电路或系统的输入、定时或输出的电压或电流参量中包含的信息。

可控硅整流器(SCR)

一种半导体二极管，其中电流流过一个称为栅极的第三电极，控制接通，阳极到阴极电压控制关闭。

正弦波

一种波形，角度从 0°旋转到 360°过程中任何时间处的幅值均是角度的正弦函数。

降压变压器

次级绕组的圈数少于初级线圈的一种变压器。

升压变压器

次级绕组的圈数多于初级线圈的一种变压器。

变压器

绕制在铁芯上的一组线圈，其中磁场耦合两个或多个线圈或绕组之间的能量。

晶体管

电路中使用的一种三极半导体器件,用于放大电信号或者作为开关提供数字功能。

晶体管晶体管逻辑(TTL)

工作在 0 和 +5 伏限压之间的一种逻辑信号。

真有效值

波形的真有效值 = AC RMS 分量与 DC 分量平方之和的平方根。这种测量方法应用于非正弦及以零为中心的信号。为准确测量，大多数 TRMS 仪表的波峰因子限制约为 5:1。

匝比

变压器的次级绕组与初级绕组的圈数之比。

矢量

表示参量幅值和时间相位的一条线，绘制在直角坐标或极坐标上。

伏特(或伏)

电动势的单位，会在闭合电路中产生电流。1 伏电压会在 1 欧姆的电阻上产生 1 安培的电流。

电压降

电流通过阻抗或电阻引起的两点间的电位差。

瓦特(W)

电功率单位(焦耳每秒)，在电阻电路中等于电压降(伏特)乘以电流(安培)。