第一部分 保护
本文主要讲保护,这里我们主要提两种:浪涌保护和钳位保护。当然保护环我也会在末尾提到。主要框架就这三部分。
** 浪涌保护:**
** 这里主要是防雷。****遇到雷击浪涌时,迅速以大容量泄放能量,同时烧断保险丝进行彻底保护**。
六位半万用表输入前级必须提供有效的高能量涌浪保护,常见的保护元件有如下几种
可以看出最优秀的保护器件是气体放电管,很大的通过电流,极小的漏电流,使之非常适合做前端保护,因为对于10KΩ (已经不算高了)源阻抗每100pA漏电流就会产生1uV的误差,所以整个输入回路漏电流一定要小。在HP34401的电路图中也是采用气体放电管串联压敏电阻进行ESD防护的,还用了spark gap。
Microchip 的EMC文档中详细介绍了一些保护电路的设计和选型。需要详细深入了解的发送关键词EMC01到后台即可。
** 钳位保护:**
保护后级电路输入电压在合理范围内,要求极低漏电流。
漏电流是PN结在电压反偏置时通过二极管的电流。容易造成测量误差。
上图是简单的钳位保护电路。是什么原理呢?
钳位的原理:看一张图吧,我就不多解释了:正反向高压,都被限制住了,保证运放输入范围可接受。
钳位的管子可以有如下选择:
小信号二极管:1N3595 等 nA 级(125V 反向电压,其实在±20V 环境下更小些)。
JFET:当二极管用pA 级(参见2N4117A 的DataSheet 和参考文献),电流和反向耐压较低。
低漏电流二极管:PAD1 pA 级;
低漏电流二极管:BAV199 pA 级;
小信号三极管的:BE 结 pA 级(lymex 实测S9014)
简单钳位电路会使二极管处于高反偏压,从而导致较大的漏电流,造成显著的误差,解决办法是在合法输入范围内使二极管处于零偏压(如下图),这种思路有些类似微弱电流检测的Guard 保护。
上面这个电路,带电位跟随的钳位电路,在合法输入范围内几乎没有漏电流,巧妙地让二极管零偏了,漏电流就小了。当然这个电路其他部分是什么功能?感兴趣的可以群里交流,我也会在之后的笔记源文件里分享,这里不做过多描述了。大家只要明白零偏的思路即可。
基于类似的思路,我们看看34401 的电流保护部分。
整流桥CR100 保护分流电阻两端的电压不大于 2*0.7 = 1.4V ,在正常情况下由于跟随器
U110-A的作用,整流桥的1,4 与AMPS 的电位相等所以不存在正向电流(仅为U110-A 的IB),相比低档DMM 只有正反并联二极管保护的电路精度要高一些。
当然,感兴趣的也可以自己pspice仿真一下,确实如此。会发现漏电流在十几pA,而不加这东西,用常用的元件漏电流在nA级别,差一个量级!
到这里,基本上两种保护方法就讲完了。由于其中涉及到一些保护环的东西,我以前做微弱电流采集,pA,uA,nA等,也用到了类似的技术,这里跟大家分享下保护环相关的知识,就当加个餐。更详细的漏电流及保护环知识可找我要我的笔记《印刷电路板漏电流以及保护环设计》。
加餐:保护环
在对微电流进行放大时,需要对输入端加上屏蔽环(guard ring)(也叫保护环)
目的使得同相端和反相端等电位,防止同相端通过电路板流向反相端产生的漏电流。
保护环要接到尽量低的阻抗点上,即被低阻抗的源所驱动。这一点是针对环外来说的,如果外界对保护环有漏电流,那么电流通过低阻抗源可以更容易导走,而不至于过多地影响环的电位。如下图所示,它是AD公司推荐的两种接法,前者是反相放大形式的接法,由于同相端接地,它的阻抗是0,所以保护环绕反相端保护,而接到同相端;后者是同相放大形式的接法,同相端的阻抗是很大的,所以相比之下,把保护环保护同相端而接到反相端更好。上图是保护环的画法,注意环的走线要短。
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