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是德科技(NYSE:KEYS)宣布,与三星电子 LSI 事业部深化合作,携手验证在商用智能手机中应用的全新 5G 调制解调器 DSS(动态频谱共享)技术。三星电子是半导体器件和 5G 技术的全球领先厂家;是德科技是一家全球领先的技术公司,致力于帮助企业、服务提供商和政府客户加速创新,创造一个安全互联的世界。 是德科技的 5G 网络仿真解决方案帮助三星电子加速开发了其射频解决...
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GT Advanced Technologies交付DSS MonoCast™测试版,开始与韩国光伏制造商Nexolon合作展开生产测试 该公司将从2011年10月开始接受MonoCast产品订单 新罕布什尔州莫瑞麦克—2011年9月19日— GT Advanced Technologies Inc.(纳斯达克股票代码:GTAT)今天宣布,该公司已与总部位于韩国的光伏制造商...
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新罕布什尔州莫瑞麦克市---GT Solar International, Inc.(纳斯达克股票代码:SOLR)是多晶硅生产技术以及蓝宝石和硅晶体生长系统及原料全球供应商,服务于太阳能、LED和其他专业市场。该公司今天宣布,公司已经从韩国光伏制造商Nexolon Company, Ltd.获得了针对其新型DSS650™多晶铸锭生长系统的首笔订单。此次合同的总价值为3750...
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在看N-MOS管的手册,IRFP250N,看到 V (BR)DSS ,Drain-to-Source Breakdown Voltage,漏极源极击穿电压的时候, 这一项的条件是当Vgs = 0V,...
作者:吓于侠义回复:3
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随着 5G 网络在全球范围推出,4G 与 5G 之间的动态频谱共享(DSS)成为移动运营商关注的焦点。...
作者:eric_wang回复:0
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看MOS管关断时的参数,有个地方没有看明白,如下图所示,测试条件为 零栅压、Id = 250uA时,测得的最小V(BR)DSS是30V 。...
作者:elec32156回复:12
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Debug Server Scripting (DSS) 是 Debug Server 的一组跨平台 Java API,允许通过 Java 或第三方工具(如 (https://www.mozilla.org...
作者:hsh007回复:1
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直接影响MOSFET 导通电阻的因素有几点,通常增加芯片尺寸和漏源极击穿电压(VBR(DSS)),由于增加了器件中的半导体材料,有助于降低导通电阻RDS(ON)。...
作者:木犯001号回复:8
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MOS管各项参数 最大额定参数 最大额定参数,所有数值取得条件(Ta=25℃) V DSS 最大漏-源电压 在栅源短接,漏-源额定电压(V DSS )是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压...
作者:qwqwqw2088回复:4
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即: VDS_peak 90% * V(BR)DSS 注:一般地, V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS值作为参考。...
作者:木犯001号回复:1
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VDS@Tj,max还是V(BR)DSS呢?为什么规格书简介里都写击穿电压值???...
作者:西里古1992回复:9
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第一种:雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS (根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发生破坏的现象。...
作者:wangerxian回复:5
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I DSS 表示漏源漏电流,栅极电压 V GS =0 、 V DS 为一定值时的漏源漏流,一般在微安级。...
作者:木犯001号回复:2
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这些设备旨在利用动态频谱共享 (DSS) 功能处理最高 200 MHz 的真正 5G 新无线电 (NR) 信号带宽,采用 50 Ω 匹配 5 mm x 5 mm SMT 小型封装。...
作者:alan000345回复:2
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; 静电:静电击穿,CMOS电路都怕静电 第一种:雪崩破坏 如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS...
作者:eric_wang回复:1
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在芯片温度低范围,CoolSiC 由于其较低的斜率倍增系数和对温度的低依赖性,让CoolSiC 具有更高的击穿电压V(BR)DSS,因此比硅器件具有更大优势,这对于那些位于室外或需要在低温环境中启动的设备非常有帮助...
作者:qwqwqw2088回复:0
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这些测试代码都需要编译生成MSS或者DSS的可以执行文件,然后通过CCS下载到板子上运行。但如果TI的毫米波评估板或者客户的板子上没有JTAG口/仿真器,那就不能方便的使用这些测试代码了。...
作者:alan000345回复:0
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图 102 图 103 注意:DSS显示系统的像素时钟最大为100MHz,在1080P的分辨率下支持的最大帧率为35帧。...
作者:Tronlong小分队回复:1
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小弟打算将ti的官方工程复制出来自己单独更改,编译出错 已经通过control+h将原文件名multi_gesture_68xx_aop_mss和multi_gesture_68xx_aop_dss...
作者:夜火易星辰aa回复:1
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直接影响MOSFET 导通电阻的因素有几点,通常增加芯片尺寸和漏源极击穿电压(V BR(DSS) ),由于增加了器件中的半导体材料,有助于降低导通电阻R DS(ON) 。...
作者:Jacktang回复:0
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通常该二极管反向击穿电压就等于MOS漏源最大电压V (BR)DSS 。 首帖图中红色字体,说明你还没有弄清楚二极管正向电压、反向击穿电压、手册上标注的最大反向电压这几个量之间的关系。...
作者:QWE4562009回复:39
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应该设置为:D:\ti\ccs6\ccsv6\ccs_base\scripting\bin\dss.bat b) Arguments中输入:三个引号之间用空格键隔开 D:\Program Files\...
作者:火辣西米秀回复:0
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GPADC本身是由雷达子系统控制,用户可以通过在MSS或者DSS调用检测GPADC的API,向雷达子系统发送相关请求来获取GPADC相关信息。...
作者:灞波儿奔回复:2