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sic二极管

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  • 东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员，其将助力工业电源设备实现高效率

    中国上海，2024年9月25日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）产品线中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V产品，为其面向太阳能逆变器、电动汽车充电站和开关电源等工业设备降低功耗。 东芝现已开始提供该系列的十款新产品，其中包括采用TO-247-2L封装的五款产品和采用TO-247封装的五款...

  • Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

    器件采用MPS结构设计，额定电流5 A~ 40 A，低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年6月28日 — 日 前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特...

  • 国芯思辰｜基本半导体650V SiC肖特基二极管B1D10065F(替代IDK10G65C5)助力车载充电机

    车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。 其中PFC部分将工频交流电升压转化为高压直流电输出给DC/DC部分做输入，如果PFC设计的损耗过大、采用的元器件过多，就无法实现高效率、小体积设计。 通常传统的SiC器件由于其反向恢复和开关频率...

  • 国芯思辰｜1200V/5A碳化硅肖特基二极管B1D05120K(替代科锐C4D05120A)用于电动车充电

    充电器与蓄电池有着密切的联系，充电器的好坏直接影响蓄电池性能和使用寿命。本文的方案中提到基本半导体的SiC半导体器件，可为车载电源转换系统提供最高的功率密度和耐用性，非常适合车外充电和其他户外应用。 电动车充电 如下图所示，将快速恢复二极管或肖特基二极管作为整流二极管使用。 电动车充电一般原理图 据此，本文提到基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D05120...

  • 车规碳化硅功率肖特基二极管有哪些应用

    在新能源汽车市场快速发展的背景下，车载功率半导体需求量激增，其中，碳化硅功率器件凭借更低的能量损耗、更小的封装尺寸、更高的开关频率、更强的耐高温及散热能力等优于传统硅基器件的先进特性，越来越多地在新能源汽车中得到应用，尤其是在高效率OBC(车载充电机)和HV-LV DC-DC变换器中迅速推广。 **SiC SBD(Schottky Barrier Diode) ** SiC...

  • Nexperia的650 V SiC二极管产品组合现可满足汽车和更广泛的工业应用需求

    符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装 奈梅亨，2024年6月13日： Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用 。此外，为了进一步扩展其SiC二极管产品组合，Nexperi...

  • 基本半导体​1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC(替代科锐C4D30120D)助力车载充电机

    车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。 通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机对效率的需求，本文针对车载充电机的二次侧整流部分推荐基本半导体的1200V碳化硅肖特基二极管B1D30120HC（替代科锐C4...

  • Nexperia与KYOCERA AVX Salzburg合作为功率应用生产650 V碳化硅整流二极管模块

    双方就SiC模块的合作进一步提升了模块紧凑度和功率密度 奈梅亨， 2023 年 1 1 月 6 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的先进电子器件供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系， 共同生产新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模块， 适用于3 kW至11...

  • 40A/1200V碳化硅肖特基二极管B2D40120HC1用于机车空调

    在动车或地铁中，机车空调需要有稳定的电力供电，保持车厢内的空气质量。当机车出现故障时，需要通过后备电池给空调供电。而机车中常规的后备电池电压为直流110V，空调供电通常为直流540V，因此需要升压电源实现电池电压到空调供电电压的变换。 机车空调升压电源拓扑框图如图所示： 机车空调升压电源拓扑框图 其中，电池电压经过电容滤波后，送入H桥逆变电路逆变为高频方波，然后经过...

  • 对标C4D40120D，1200V SiC肖特基二极管B2D40120HC1让车载充电机更高效

    车载充电机是电动汽车的核心部件，其功能是按照电池管理系统的指令，动态调节充电电流和电压参数，完成电动汽车的充电过程。作为一款电力电子设备，车载充电机功率电路主要由AC-DC和DC-DC电路组成。如图所示： 车载充电机充电框图 传统的Si器件由于其耐压和开关频率的限制，已经不能满足车载充电机日益增长的性能需求，而高耐压、低损耗且具有高速开关特性的SiC器件，正逐步取代Si...

  • 兼容C3D02065E，碳化硅肖特基二极管B1D02065E助力LED显示屏电源

    LED显示屏是一种迅速发展起来的新型信息显示媒体，凭借智能控制、节能环保、寿命长、光效高、安全可靠等优点，其使用愈发普遍。 LED显示屏电源是其重要组成部分，一款合格可靠的电源，对LED显示屏节能效果及使用寿命都是有明显的提升效果。LED显示屏电源主要用来给显示屏发光二极管提供必要的工作电流，保证显示屏体正常显示。肖特基二极管整流器因具有极快的开关速度、超低的正向电压降、极...

  • 东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管，助力提高工业设备效率

    中国上海，2023年7月13日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代 用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列” 。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。 新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属...

  • Vishay推出新型第三代650 V SiC肖特基二极管，提升开关电源设计能效和可靠性

    器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schott...

  • Nexperia针对要求严苛的电源转换应用推出先进的650 V碳化硅二极管

    合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨，2023年4月20日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管 ，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、...

  • Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD)

    Diodes 公司发表首款碳化硅萧特基势垒二极管 (SBD) 【2023 年 02 月 08 日美国德州普拉诺讯】Diodes 公司 今日宣布推出首款碳化硅 (SiC) 萧特基势垒二极管 (SBD) 。产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列，共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品，以及 DIODES DSCxx120...

  • 湖南三安基地实现车规碳化硅二极管规模交付

    2022年1月24日，盖世汽车了解到，湖南长沙的中国第一条碳化硅产业链垂直整合制造平台成功制造出三安碳化硅二极管，并完成客户可靠性验证。据了解，去年中旬刚刚完成为期一年建设并投产的湖南三安项目在11月份顺利投产。而这次量产下线也标志着该生产线正式进入全速发展的新阶段。 令人瞩目的是，三安的650伏20安碳化硅二极管于本月首批入选中国汽车工业协会和中国半导体行业协会联合编制的...

  • Nexperia推出全新高性能碳化硅二极管系列 帮助OEM降低成本

    据外媒报道，半导体专家Nexperia宣布推出650 V、10 A碳化硅（SiC）肖特基二极管，进入高功率碳化硅二极管市场。Nexperia是高效功率氮化镓（GaN）FET值得信赖的供应商，此次新品推出是该公司的一项战略举措， 以扩展其高压宽带隙半导体器件产品。 （图片来源：Nexperia） Nexperia的首款SiC肖特基二极管具有650 V重复峰值反向电压（V...

  • 新型Littelfuse 1700 V碳化硅二极管更快的开关和更高的效率

    新型Littelfuse 1700 V碳化硅肖特基势垒二极管提供更快的开关和更高的效率，极快和低损耗的开关非常适合数据中心、楼宇自动化和其他高功率电子应用 中国北京，2021年8月25日讯 - 致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力的工业技术制造公司Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS) 宣布对其碳化硅（SiC）二极管产品组合进行扩充，新...

  • 罗姆推出内置SiC二极管的混合IGBT 可降低汽车应用功耗

    7月19日，半导体制造商罗姆（ROHM）宣布推出集成650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的Hybrid IGBT（混合型IGBT），即RGWxx65C系列（包括RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），并符合汽车可靠性标准AEC-Q101。新产品适用于处理大功率的汽车和工业应用，例如光伏电源调节器、车载充电器以及电动和 电气化 汽车（x...

  • ROHM开发出内置SiC二极管的IGBT（Hybrid IGBT）

    损耗比以往IGBT产品低67％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备功耗 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出650V耐压、内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT（Hybrid IGBT）“RGWxx65C系列”（RGW60TS65CHR、RGW80TS65CHR、RGW00TS65CHR），且均符合汽车电子产品可靠性标准“AEC-Q101*1”。...

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