首页 > 词云 > 二极管具有

二极管具有

  • 高速器件采用表面发射器芯片技术,优异的VF温度系数达 -1.0 mV/K 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年7月24日 — 日前, 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出一款采用透明无色引线型塑料封装的新型890nm高速红外(IR)发光二极管--- TSHF5211,扩充其光电子产品组合 。Vishay S...

  • 采用紧凑型 DFN 封装、具有最高通流能力,Bourns 推出新款 PTVS 二极管系列 全新双向 PTVS 二极管系列具备 20 kA、8/20 µs 浪涌处理能力和低的钳位电压,专为大功率 DC 线路应用设计 2023年1月17日 - 美国柏恩 Bourns 全球知名电子组件领导制造供货商,推出 Bourns 最高通流能力的双向功率瞬态电压抑制器 (PTVS) 二极...

  • TDK株式会社推出具有超低电容和钳位电压的ULC 系列TVS(瞬态电压抑制)二极管,扩展了其用于双向过压保护的 TVS二极管的产品组合。凭借二极管的超低电容值的特点,新推出的SD01005SL-ULC101 (B74111U0033M060) 型和SD0201SL-ULC101 (B74121U0033M060) 型在1 MHz 时的最小电容分别为 ~0.5 pF和 ~0.6...

  • 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)日前宣布推出600V 12A的Qspeed二极管,在硅二极管当中具有业界最低的反向恢复电荷(Qrr)特性。在25°C时,Qrr仅为14nC,该二极管可提高车载充电器PFC级的效率,可显著降低PFC MOSFET的温升。通过AEC-Q101认证的QH12TZ600Q具有...

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT5。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT5比SOT封装解决方案节省空间,具有超低电容和漏电流,可保护高速数据线免受瞬变电压信号的影响。 日前发布的器件典型负载电容仅...

  • 器件超低电容典型值仅为0.37 pF,可为商用和汽车应用提供端口保护 宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年4月19日 — 日前,今天宣布,推出小型可润湿侧翼DFN1110-3A封装新款双向对称(BiSy)两线ESD保护二极管---VBUS05M2-HT5。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT5比SOT封装解决方案节省空间,具有超低电容...

  • 电路保护、电源控制和感应技术的全球制造商Littelfuse, Inc. (NASDAQ: LFUS)宣布推出新的50 A单向瞬态抑制二极管阵列系列(SPA®二极管)。与市场上现有的解决方案相比, SP1250-01ETG 50单向瞬态抑制二极管阵列可凭借较低的钳位电压和低泄漏电流提供出色的保护,同时节省印刷电路板空间。 SP1250-01ETG瞬态抑制二极管阵列...

  • 器件采用SMT封装,20mA时辐射功率达3.8mW,发射角为±62.5°。 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的陶瓷/石英基材的UVC(短波紫外线)发光二极管---VLMU60CL.。-280-125,用于杀菌、环境卫生和净化。Vishay Semiconductors VLMU60CL.。-280-12...

  • 宾夕法尼亚、 MALVERN — 2018 年 1 月23 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的陶瓷/石英基材的UVC(短波紫外线)发光二极管--- VLMU60CL..-280-125 ,用于杀菌、环境卫生和净化。Vishay Semiconductors VLMU60C...

  •  Littelfuse, Inc.,作为全球电路保护领域的领先企业,今天推出了SP11xx系列双向瞬态抑制二极管(SPA®二极管)中的最新产品——80A离散型双向瞬态抑制二极管。 SP1103C系列80A离散型双向瞬态抑制二极管可为电路设计师提供更低的断态电压,用于保护低压电源总线免受静电放电(ESD)的损坏。下面就随嵌入式小编一起来了解一下相关内容吧。 SP1103C系...

  • 电子网消息,全球电路保护领域的领先企业 Littelfuse 今日宣布推出一个瞬态抑制二极管阵列(SPA 二极管)产品系列,旨在保护 PoweredUSB 接口的直流电线免受破坏性静电放电(ESD)损坏。 SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列 SP11xx系列瞬态抑制二极管阵列采用以专有硅雪崩技术制造的齐纳二极管,可保护接口中的每个输入/输出引脚。 这款功能强大的器件具有...

  • 随着功率密度不断提高,半桥(例如HID半桥或LLC)和全桥(例如ZVS全桥)等软开关拓扑成为理想的解决方案。由于改善了功率器件上di/dt和dv/dt的动态性能,采用这些拓扑可降低系统的开关损耗,提高可靠性。这种情况主要出现在轻载条件下。事实证明,CoolMOS这样的超结器件可以克服这个问题,由于其内部优化了反向恢复过程电荷载流子去除功能,并且消除内部寄生NPN双极晶体管的栓锁...

  • 2007 年 4 月 5 日 - 北京 - 凌力尔特公司( Linear Technology Corporation )推出的双路理想二极管“或”控制器 LTC4355 允许在高可用性系统中用 N 沟道 MOSFET 取代肖特基二极管,并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电...

小广播
论坛热帖 换一换
热门视频 换一换

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved