Vishay新款UVC发光二极管采用陶瓷/石英基材，具有超长寿命-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

宾夕法尼亚、MALVERN — 2018 年 1 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的陶瓷/石英基材的UVC（短波紫外线）发光二极管---VLMU60CL..-280-125，用于杀菌、环境卫生和净化。Vishay Semiconductors VLMU60CL..-280-125的使用寿命极长，采用6mm x 6mm x 1.6mm表面贴装封装，可替换水银UVC灯。

与采用PLCC2封装，发射角为±60°的器件相比，Vishay今天推出的这颗器件的发射角为±62.5°，在20mA电流下的辐射功率为3.8mW，不需要另外加外置透镜。VLMU60CL..-280-125采用AlGaN技术制造，正向电流为40mA，正向电压低至4.4V，波长从270nm到290nm。

发光二极管的性能规格使其非常适合用来净化水和空气、物理方式的表面杀菌、医院消毒，以及便携式消毒设备。VLMU60CL..-280-125符合RoHS和Vishay绿色标准，无卤素，适应回流焊工艺，潮湿敏感度等级达到J-STD-020标准的3级。

UVC发光二极管现可提供样品，将在2018年一季度量产，供货周期为八周。

关键字：Vishay UVC发光二极管编辑：冀凯引用地址：Vishay新款UVC发光二极管采用陶瓷/石英基材，具有超长寿命

上一篇：壹行研（Innova Research）公布2018全球石墨烯九大趋势
下一篇：中芯国际8寸产能被华为海思、高通、FPC等塞爆

推荐阅读最新更新时间：2023-10-13 00:03

Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率

宾夕法尼亚、MALVERN 2015 年 5 月18 日日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP 可处理高功率，工作电压高达100V，有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)两种小外形尺寸，能够在不牺牲性能的情况下，实现更小的产品设计。今天推出的这些器件具有高工作电压和5pF～100pF的电容，以及鲁棒的MOS结构，适用于LC、RC或LRC滤波，RF扼

[电源管理]

Vishay应用于高温的表面贴装多层陶瓷片式电容器

　宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 7 月3 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩大其用于高温应用的VJ X8R系列表面贴装多层陶瓷片式电容器（MLCC）。为节省电路板空间，这些器件现在提供0402外形尺寸的产品。另外，0603和0805外形尺寸器件的电压提高到100V。　　今天发布的Vishay Vitramon电容器采用贵金属电极技术（NME）和湿法加工工艺制造。器件采用X8R电介质，可在+150℃高温下工作，器件的典型应用包括石油勘探、钻井监控和工业设备中的传感器、电源和信号转换。针对混合应用，器件可提供用导电环氧树脂组装的端接

[电源管理]

<font color='red'>Vishay</font>应用于高温的表面贴装多层陶瓷片式电容器

Vishay位移传感器为恶劣环境中应用提供高耐用性和可重复性

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新的直滑式和旋转式工业级位移传感器--- UIPMA 和 UIPMC ，在恶劣环境条件下依然具有稳定可靠的性能。Vishay MCB UIPMA 和 UIPMC 防水而且非常平直，具有高耐用性和高可重复性，应用范围非常广泛。今天发布的传感器采用IP66密封，带有厚度只有0.5mm的非常薄的活动层，双面粘贴层使组装工作变得十分简单。该器件非常耐用，使用寿命超过3百万次循环（可根据需求，提供1千万次和2千万次循环的产品），工作温度范围-10℃～+50℃。通过采用耐用性设计，直滑式UIPMA和旋转式UIPMC非常适合飞机座椅

[传感器]

Vishay推出表面贴装多层陶瓷片式电容器VJ HIFREQ

宾夕法尼亚、MALVERN — 2012 年 6 月26 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介质损耗角，可在高频商用应用中工作。 VJ HIFREQ系列器件具有低介质损耗角，适用于滤波器和匹配网络、放大器和直流隔离电路。MLCC减小了在功率放大器模块、VoIP网络、移动基站、GPS系统和卫星、WiFi(802.11)和WiMAX(802.16)无线通信中的信号损失和能量消耗。 VJ HIFREQ系列电容器的外形尺寸为0

[模拟电子]

Vishay发布全新集成式光学传感器演示套件

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布用于VCNL4000全集成式接近和环境光光学传感器的新款演示套件。演示套件中的VCNL4000安装在一块PCB板上，并配有USB接口和的演示软件，使设计者不用花很多钱就能为其应用轻松评估这款器件。作为全集成式传感器，VCNL4000将红外发射器、接近光敏二极管、环境光探测器、信号处理IC，以及I2C总线通信接口装进一个小尺寸的3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm无引脚（LLP）表面贴装封装内。 VCNL4000演示套件包括两个接口面板：一个用于环境光功能，另一个用于接近探测功能。设计者可

[传感器]

Vishay推出高电流电感器IHLP-3232CZ-01

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用3232外形尺寸、3.0mm超薄的新款IHLP®小尺寸、高电流电感器- IHLP-3232CZ-01。小尺寸的IHLP-3232CZ-01具有高效率和低至1.61mΩ的最大DCR，以及0.22μH～10.0μH的标准感值范围。新款IHLP-3232CZ-01的频率范围达5MHz，可在下一代移动设备、笔记本电脑、桌面电脑、服务器、图形卡、便携式游戏机、个人导航系统、个人多媒体设备和汽车系统等终端设备中用做电压调节模块(VRM)和DC-DC转换器，以及小尺寸、高电流电源和负载点(POL)转换器、分布式电源系统和现场可编程门阵列(FPGA)的高效能

[工业控制]

Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET，大幅提高功率密度

日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN，器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。于此同时，导通电阻与栅极电荷乘积，即MOSFET在开关应用的重要优值系数（FOM）为172 mW*nC，达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度，占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。、日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %

[半导体设计/制造]

<font color='red'>Vishay</font> 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET，大幅提高功率密度

Vishay推出具有调制载波输出功能，适用于代码学习应用的微型红外传感器模块

器件配置内部设计的新型IC，以引脚兼容方式替换前代解决方案，功耗降低50 %，同时改善性能美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2023年9月1日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款适用于遥控系统的新系列微型红外（IR）传感器模块---双透镜TSMP95000和单透镜TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 双透镜TSMP95000和单透镜TSMP96000及TSMP98000具有调制载波输出功能，适用于代码学习应用，供电电压范围2.0 V至5.5 V，3.3 V下典型功耗低至0.35 mA。日前发布的器件

[工业控制]