Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率-电子工程世界

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    宾夕法尼亚、MALVERN — 2015 年 5 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，针对高功率混合装配、SiC和GaN应用中的使用环境，推出新的薄膜条MOS电容器。Vishay Dale Resistors Electro-Films BRCP可处理高功率，工作电压高达100V，有120mil x 35mil(外形A)和240mil x 35 mil(外形B)两种小外形尺寸，能够在不牺牲性能的情况下，实现更小的产品设计。

    今天推出的这些器件具有高工作电压和5pF～100pF的电容，以及鲁棒的MOS结构，适用于LC、RC或LRC滤波，RF扼流，以及直流隔离和阻抗匹配。对于这些应用，BRCP可以采用多引线键合，最小容值的外形A、外形B的电容器分别有7个键合和15个键合。

    条形电容器的TCC低至±50ppm/℃，绝对公差只有±5%。器件具有优异的负载寿命稳定率，可以在-55℃～+150℃温度范围内工作。

    BRCP条形MOS电容器现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十周。

关键字：Vishay 编辑：冀凯引用地址：Vishay新款薄膜条MOS电容器为混合装配提供高功率

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