氧化硅

SiC碳化硅MOSFET栅氧可靠性-碳化硅功率器件可靠性最短板-长期工作可靠性薄弱点考核 可靠性，是指产 品在规定时间内和条件下完成规定功能的能力 ，是产品质量的重要指标，如果在规定时间内和条件下产品失去了规定的功能...

作者：杨茜碳化硅回复：2

碳化硅MOSFET栅氧可靠性-碳化硅功率器件可靠性最短板-长期工作可靠性薄弱点考核 为了让SiC MOSFET和Si器件一样可靠，在处理时必须 大限度降低栅极氧化层缺陷密度。...

作者：SiCMOSFET回复：0

使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司 SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅电力电子系统！...

作者：杨茜碳化硅回复：1

因为SiC材料宽禁带的特点，发射极-集电极电压到接近3V才开通，这样较低电压等级下，SiC IGBT器件的导通特性比Si IGBT和碳化硅MOSFET还差，同时开关损耗也大于碳化硅MOSFET。...

作者：木犯001号回复：0

为什么在工业变频器中SiC碳化硅MOSFET会逐步取代IGBT！ 使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅工业变频器！...

作者：alan000345回复：6

虽然有人从高压熔体中得到了单晶氮化镓体材料，但尺寸很小，无法使用，目前主要是在蓝宝石、硅、碳化硅衬底上生长。虽然在蓝宝石衬底上可以生产出中低档氮化镓发光二极管产品，但高档产品只能在氮化镓衬底上生产。...

作者：兰博回复：1

对于航天用途的天线罩，如导弹、载人航天飞船等，有相当高的耐高温要求，一般选用陶瓷基复合材料，如氮化硼基复合材料、二氧化硅基复合材料、硅铝氧氮基复合材料等。...

作者：btty038回复：1

在 IC 制程中，主要在生成氮化硅，复晶二氧化硅及非晶硅等不同材料。...

作者：advbj回复：0

随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能...

作者：fish001回复：0

随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优化电路的抗ESD性能...

作者：Aguilera回复：0

二氧化硅湿法刻蚀 最普通的刻蚀层是热氧化形成的二氧化硅。基本的刻蚀剂是氢氟酸，它有刻蚀二氧化硅而不伤及硅的优点。然而，饱和浓度的氢氟酸在室温下的刻蚀速率约为300A/s。...

作者：皇华Ameya360回复：0

MOSFET也叫金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。...

作者：皇华Ameya360回复：1

联系方式：姚经理、马经理，010-51293689； sales@firstchip.cn 工艺能力： 1、 热氧化硅 2、 硼、磷扩散，推进 3、 离子注入（硼、磷） 4、 高低温退火 5、...

作者：firstchip回复：0

为了克服由于栅极漏电流功耗的增加， 高κ介质取代二氧化硅栅极绝缘层，而铁闸取代多晶硅回报（见英特尔公布 ）。 门是从渠道中分离出来，由薄绝缘层，传统的二氧化硅和后来的氮氧化硅。...

作者：keeptops回复：3

用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。...

作者：tiankai001回复：333

bbs.eeworld.com.cn/thread-2287-1-44.html 气体传感器的资料整理 一、接触燃烧式气体传感器 1、检测原理 可燃性气体(H2、CO、CH4等)与空气中的氧接触...

作者：soso回复：7

因扩散引起的含有Ｎａ，Ｋ，Ｇａ，Ｃｓ等粒子的芯皮料扩散层玻璃受到酸腐蚀时，发生如下类似反应 ≡Ｓｉ—Ｏ—Ｍ＋Ｈ＋ ＝≡ＳｉＯＨ＋Ｍ＋或≡Ｓｉ—Ｏ—Ｍ—Ｏ—Ｓｉ≡ ＋２Ｈ＋ ＝ＳｉＯＨ＋Ｍ２＋… 反应中生成的硅氧保护膜影响腐蚀的继续进行...

作者：程序天使回复：2

针对这一点，比利时Interuniversity微电子中心(IMEC)开发了一种多晶锗化硅沉积技术，其临界温度为450℃，而多晶硅为800℃。...

作者：open82977352回复：2

如脂肪酸、氧相二氧化硅、氧化铝、无水石膏、纤维素、二硫化铁、氧化铁、色料、飞尘、调料粉、石膏、木屑、石灰、苏打石灰、lime-hydrate、马铃薯淀粉、adesive granulate、煤尘、珍珠岩...

作者：totopper回复：2

在光刻胶去胶装置中，氧的等离子体和光刻胶反应形成 H2O 和 CO2 气体。此时，作为反应基的氧原子团与光刻胶进行各向同性反应。精细图形进行各向异性很强的干法刻蚀来实现。...

作者：ruopu回复：5