一种POL终端匹配电源的热模拟研究与仿真

最新更新时间:2009-05-19来源: 电源技术应用关键字:POL  功耗  ICEPAK  热模型  仿真 手机看文章 扫描二维码
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  0 引言

  POL(P0int Of LOad)终端匹配电源广泛应用于存储器、CPU等高速信号端口。端口电压能够自动跟踪1/2主电源的电压,并输出或吸入信号的匹配电流。本文中自主研制的端口匹配电源DDRl2V4520,输出稳压精度高、响应快、电压设定数字化,已广泛应用于多个工程项目,实际使用效果良好。本文对比该电源的热模拟仿真结果与实测结果,评估电源的温升,确认了模型的准确性。在以后的同类电源设计中,通过仿真计算,可以相当准确地预计电源的热工作状况。

  1 工作原理

  电源DDR12V4520的主电源输出电压为1.5V~2.8V,额定输出电流45A。匹配电源跟踪l/2主电源电压,可以输出或吸入电流,额定容量20A。图l是该电源的原理图。图2给出了完成贴装焊接的电源DDRl2V4520的实物照片。主电源控制器为ADP3163(Analog Devices),匹配电源控制器为MAXl917(Maxim)。主电源的功率器件采用三合一DrMOSR2J20601(Renesas),匹配电源的功率器件是FDD6035AL和FDD8870(Fairchild)。输出采用低串联阻抗固体有机膜电容器滤波,实用效果十分理想。主电源的输出电压通过5位VID码设定(ADP3163),使用十分方便,电压精度可达0.025V。

  主电源功率器件DrMOS R2J20601是Renesas公司推出的一种新型的三合一芯片。该芯片集两个MOSFET和一个驱动电路于一体,具有工作频率高、功耗低、结构紧凑、封装小、输出电流大、效率高等优点,十分适用于低电压、大电流的应用场合。图3给出了该芯片的内部结构图。图4给出了该芯片的实物图。

  2 热模型

  利用ICKPAK软件进行热模拟仿真,首先需要建立热仿真模型。因此需要估算电源的各元器件的功耗,来确定仿真参数。表1给出了电源在满负荷与半负荷工作状态时的参数。

  估算电感的损耗时,分为铜损和铁损来估算。铜损为电流的直流分量在电感中产生的损耗,铁损为电流的交流分量产生的损耗。对于电源中的电容、电阻等常规元件的功耗评估不再赘述,重点讨论一下主电源与匹配电源功率器件的功耗估算。

  电源工作频率为600kHz,主电源功率器件有3片DrMOS R2J20601(Renesas),因此单个器件工作频率为200kHz。根据参考文献中提供的典型工作数据曲线,可得满负荷工作情况下的单个该器件LOSS=2.

  同样在满负荷工作状态,实际试验环境温度、风冷条件与仿真条件相同的情况下,对电源进行考机试验,得到电源A面与B面的温度实际测量结果分别如图5(b)、图6(b)所示。

  2)半负荷工作状态

  在仿真软件ICEPAK中,设置环境温度为17℃,强迫风冷,风速为0.8m/s,风向不变。在半负荷工作状态下,电源的A面与B面仿真计算结果分别如图7(a)、图8(a)所示。

  在相同的工作状态、试验条件下,对电源DDR12V4520进行考机试验,得到电源A面与B面的温度实际测量结果分别如图7(b)、图8(b)所示。

  4 结束语

  ICKPAK仿真模型建立得不能太复杂,单体尺寸不能相差太大,否则网格划分时数量过多。当网格数小于20万时,单机运算速度良好;大于40万时,运算速度过于缓慢而影响计算。本试验中的风道截面为120mm×120mm,如何测量风速十分关键。使用普通的风机式测风仪,会破坏整个试验风道的平衡,不适用于本试验,只适合于大环境的测量,例如机舱级或者机房级的测量。为了保证试验的真实性和准确性,本试验使用了点状测风仪(EATVS一4W/Sensor),对原风道基本没有影响,测量三个点的风速,取其算术平均值,因此所得的风速测量值十分可信。

  计算所得的效率与实测的效率有一些差异,主要的原因是功率芯片的功耗计算值不够精确,文献中提供的功耗是在25℃时的给定值,但在实际运行时,温度上升会使功耗有所上升。

  L1,L2,L3上方的PCB区域有很多过孔,电流从B面通过这些过孔流到A面,引发PCB局部发热。在计算时,没有将过孔建立发热模型,只是PCB整体均匀发热,所以局部的温度分布不很真实,L2上方测温点的计算值与实验值有6℃左右的差异。

  如表3所示,计算值与实际测试值比较接近,说明模型和计算方法基本正确,可广泛应用于电源模块的热能工作状态评估。在今后的同类电源设计验证中可采用此模拟仿真方法,无需搭建复杂的试验平台,可大大简化设计验证步骤,缩短设计周期,有效提高了设计效率,具有很大的实用价值。

关键字:POL  功耗  ICEPAK  热模型  仿真 编辑:金海 引用地址:一种POL终端匹配电源的热模拟研究与仿真

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