Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ-电子工程世界

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日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFETP沟道技术的最新器件，使用了自矫正的工艺技术，在每平方英寸的硅片上装进了1亿个晶体管。这种最先进的技术实现了超精细、亚微米的间距工艺，将目前业界最好的P沟道MOSFET的导通电阻减小了近一半。

SiA433EDJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为18mΩ、26mΩ和65mΩ。在4.5V和2.5V下，这些数值比最接近的竞争器件小40%和30%。

新的MOSFET也是唯一同时具有12V栅源电压和可在1.8V额定电压下导通的20V器件。这样就可以将该器件用在由于浪涌、尖峰、噪声或过压导致的更高栅极驱动电压波动的应用，同时在采用更低输入电压的应用中提供更安全的设计。

SiA433EDJ可以用作手持设备，如手机、智能手机、PDA、MP3播放器中的负载、电池和充电开关。MOSFET的低导通电阻意味着更低的导通损耗，节约能量并延长这些设备中两次充电之间的电池寿命。SiA433EDJ的尺寸只有TSOP-6封装的一半，却能提供近似的导通电阻，其紧凑的PowerPAKSC-70封装可将节约出来的电路板空间用于其他产品特性，或是实现更小的终端产品。

为减少ESD导致的故障，器件内置了一个齐纳二极管，使ESD保护提高到1800V。MOSFET符合IEC61249-2-21的无卤素规范，符合RoHS指令2002/95/EC，通过了完整的Rg测试。

新的SiA433EDJTrenchFET功率MOSFET现可提供样品，将于2010年第一季度实现量产，大宗订货的供货周期为十四周至十六周。

关键字：MOSFET P沟道 SiA433EDJ 编辑：金海引用地址：Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ

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