飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的技术专家将与来自电子界和学术界的专家一起,于2010年6月1至3日在上海举办的PCIM China 2010展会上发表演说,阐述功率电子技术的最新发展状况和未来的发展趋势。
飞兆半导体技术专家Robert Krause将发表题为《优化功率MOSFET和IGBT的共模和差模噪声抑制》的文章,重点阐述大功率MOSFET和IGBT 在多相功率转换应用中的运作,以及如何优化抗噪能力,也会探讨使用光耦合MOSFET驱动器来提升栅极驱动电路的抗噪声能力。
飞兆半导体技术专家陈立烽,将发表由他与王晓峰、钟晨东和孙中华共同撰写,题为《LED路灯之高效功率结构的设计与实现》的文章,介绍LED路灯应用的历史和发展状况,并探讨电源在这些应用中所起的重要作用。
飞兆半导体技术专家張瑞斌将发表题为《无位置传感器PMSM控制的在线参数估算》的文章,深入探讨用于永磁同步电机(PMSM)控制的一种参数估算方法。
飞兆半导体亚太区市场行销暨应用工程副总裁蓝建铜将主持一场关于绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 技术的研讨会。
飞兆半导体是节能电子领域的主要使能厂商之一,拥有先进的功率技术和功率系统专业技术,能够实现能效尽可能高能效的设计,帮助推动在中国以至全世界迅速增长的电源基础架构。
PCIM China 是中国最重要的功率电子展会。此展会面向功率电子行业和大专院校的研究人员和开发人员,并将探讨广泛的论题,如功率电子组件和系统、功率转换器、马达驱动和运动控制系统,以及功率质量解决方案。
关键字:飞兆 PCIM
编辑:于丽娜 引用地址:飞兆半导体技术专家将在PCIM 2010展会发表演说
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Fairchild针对高速光伏逆变器和苛刻工业应用发布1200VSiC二极管
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Fairchild宣布2014年度北美洲和亚洲功率技术研讨会时间表
本年度研讨会主题为“工程能效”,将重点探讨如何帮助Fairchild客户解决功率管理方面的难题
Fairchild宣布第八季全球知名功率技术研讨会 (Power Seminar) 在北美洲和亚洲的举办时间。
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飞兆半导体與英飞凌科技就汽车MOSFET封装技术达成许可协议
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飞兆半导体推出Generation II XS DrMOS
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