Vishay产品入选Design News最佳产品的评选名单

最新更新时间:2011-04-11来源: EEWORLD 关键字:Vishay  Design  News  最佳产品 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2011 年 4 月 11 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,其TANTAMOUNT® Hi-Rel COTS T97和商用的工业级597D系列固钽贴片电容器,以及ThunderFET™ SiR880DP 80V N沟道功率MOSFET入选2011年Design News杂志电子和测试类Golden Mousetrap Best Product的最终评选名单。

    在过去20年中,Design News Awards Program见证了工程技术上的创新和在产品设计上的创意。今年的Golden Mousetrap奖颁发给4个主要类别的产品:电子与测试,自动化与控制,软硬件设计工具,以及材料和组装。今年的最终入围名单是Design News的编辑从大量参评产品中选出来的。

    Design News的编辑主任David Greenfield说:“今年Golden Mousetrap获奖产品和最终入围的产品明确地显示出几个特点,即前沿的设计思想,以及系统和产品设计工程师在技术革新上注重实用。Design News对所有获奖的工程师,及荣获Golden Mousetrap奖的这些公司表示祝贺,并对他们积极参与本年度的评选深表谢意。”

    Vishay的Hi-Rel COTS T97和商用的工业级597D系列是业界首批75V固钽贴片电容器。在施加25V~40V电压的电路中,这些器件具有很高的可靠性,性能水平达到此前只有采用通孔技术的电容器才能达到的水平。T97和597D具有10μF~1500μF的容值,在+25℃下的ESR低至0.015Ω,电压范围为4V~75V。这两种电容其有9种外形尺寸,包括高度仅有2mm的“V”外形。T97系列为设计者提供了很多MIL标准里没有的规格等级,同时具有商用产品的灵活性和便利性,以及在要求苛刻的应用中所需要的可靠性。

    做为业内首款能在4.5V栅极驱动下导通的80V功率MOSFET,Vishay的ThunderFET SiR880DP使开关电源能够采用更高的频率,并通过使用5V PWM IC来降低成本。SiR880DP在4.5V、7.5V和10V下的导通电阻低至8.5 mΩ、6.7 mΩ和5.9 mΩ,意味着能够降低功率损耗并实现更绿色的电源方案,尤其是在待机模式等轻负载情况下。在4.5V下,典型导通电阻与栅极电荷的乘机是161,该参数是评价DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM,单位是nC- mΩ)。

    完整的最终入围产品名单发布在designnews.com。Golden Mousetrap Awards的获奖产品将公布在Design News的三月期上,并在接下来的几个月里刊登在杂志的New Product Newsletters栏目里。

 

关键字:Vishay  Design  News  最佳产品 编辑:赵思潇 引用地址:Vishay产品入选Design News最佳产品的评选名单

上一篇:宇声集团:被动元件应用新能源产业新方向
下一篇:Mouser 荣获Ohmite颁发总裁菁英奖

推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 15:14

Vishay推出新型高性能压敏电阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新系列VDR金属氧化物压敏电阻(MOV)---VDRUS系列,认证工作温度达+125 °C,符合UL 1449第4版和VDE/IEC 61051-1/2标准。Vishay BCcomponents VDRUS系列电阻专门用于电子消费品和工业应用过压和瞬变电压保护,抗浪涌电流能力比前代器件提高30 %。 日前推出的器件由高纯氧化锌片式电阻组成,标配外形尺寸为7 mm、10 mm、14 mm 和 20 mm,带两条实心铜引线或雾锡铜包钢线。由于采用UL94-V0等级阻燃有机硅涂料,具有电气、机械和气候保护能力,因此新型压敏电阻具有出色高温性能。 VD
[电源管理]
<font color='red'>Vishay</font>推出新型高性能压敏电阻
Vishay新款FRED Pt超快恢复整流器可节省空间并提高功率密度
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出6颗新的1A和2A电流的FRED Pt 超快恢复整流器--- VS-1EFH01HM3 、 VS-1EFH01-M3 、 VS-2EFH01HM3 、 VS-2EFH01-M3 和 VS-1EFH02-M3 和 VS-2EFH02-M3 ,器件使用小尺寸、超薄的SMF (DO-219AB) eSMP 系列封装。这些器件通过AEC-Q101认证,具有极快恢复和软恢复特性,以及低泄漏电流和低正向压降,在汽车和通信应用里可减少开关损耗和功率耗散。 Vishay Semiconductors VS-1EFH01HM3 、
[电源管理]
Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET,大幅提高功率密度
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出新型-30 V p沟道TrenchFET®第四代功率MOSFET---SiSS05DN,器件采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装,10 V条件下导通电阻达到业内最低的3.5 mW。于此同时,导通电阻与栅极电荷乘积,即MOSFET在开关应用的重要优值系数(FOM)为172 mW*nC,达到同类产品最佳水平。节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN专门用来提高功率密度,占位面积比采用6mm x 5mm封装的相似导通电阻器件减小65 %。 、 日前发布的MOSFET导通电阻比上一代解决方案低26 %
[半导体设计/制造]
<font color='red'>Vishay</font> 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET,大幅提高功率密度
Vishay 新款汽车级Power Metal Strip® 电阻节省PCB空间并减少元器件数量
 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的功率等级达10W且采用2818外形尺寸的汽车级Power Metal Strip®电阻---WSHP2818。Vishay Dale WSHP2818在较小的占位面积内具有与尺寸更大电阻相当的高功率,在汽车、工业、消费和计算机产品中能节省空间,减少元器件数量,而且用表面贴装替换引线电阻能大大加快组装速度。 Vishay 新款汽车级Power Metal Strip® 电阻节省PCB空间并减少元器件数量 今天发布的器件采用独有的结构,这种结构改进了热管理设计,使这颗10W电阻在2818封装尺寸内还能保持Power Metal Strip结构的优良电气
[汽车电子]
Vishay推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 V 汽车级P沟道MOSFET
1月11日 ,日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件,而且10 V条件下其导通电阻仅为30 m,达到业内优异水平。 日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比,导通电阻分别降低26 %和46 %,占位面积分别减小50 %和76 %。SQJ211ELP低导通电阻有助于降低导通功
[汽车电子]
<font color='red'>Vishay</font>推出具备优异导通性能且经过AEC-Q101认证的100 V 汽车级P沟道MOSFET
Design Compiler 2010提高综合和布局及布线的生产效率
新思科技有限公司(Nasdaq:SNPS)日前宣布:该公司在其Galaxy™设计实现平台中推出了最新的创新RTL综合工具Design Compiler® 2010,它将综合和物理层实现流程增速了两倍。为了满足日益复杂的设计中极具挑战性的进度要求,工程师们需要一种RTL综合解决方案,使他们尽量减少重复工作并加速物理实现进程。为了应对这些挑战,Design Compiler 2010对拓扑技术进行扩展,为Synopsys旗舰布局布线解决方案IC Compiler提供“物理层指引”;将时序和面积的一致性提升至5%的同时,还将IC Complier的布线速度提升了1.5倍。Design Compiler 2010的这一项新功能使RT
[半导体设计/制造]
Vishay获慧聪网电子元件类“最具贡献企业奖”
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 9 月25 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,荣获中国电子元器件行业的门户网站---慧聪网评选出的2013电子行业十大电子元件类“最具贡献企业奖”。 慧聪网的中国电子行业十大颁发给对中国电子元器件行业的持续发展做出突出贡献的企业。获奖企业包括:具有主流技术概念和产品创新的知名品牌,具有广泛影响力和热心公众福利的企业,将影响未来电子元器件行业版图的重量级企业。 在北京举行的颁奖典礼上,主办方向Vishay颁发了获奖证书。Vishay北京办公室的销售工程师Donar Dong代表公司领奖。   
[半导体设计/制造]
新型高可靠性固钽电容器(Vishay
    日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款TM8系列高可靠性、表面贴装、具有低至200nA的超低直流泄露电流(DCL)的钽电容器。     在早期的医疗设备平台中,直流泄漏仅仅是尚可的水平,然而现在则要求更低的直流泄漏。通过使用Vishay独有的多阵列封装(MAP),新的TM8器件显著降低了直流漏电,并实现了更好的稳定性。借助专利的MAP组装技术,TM8电容器为在这些应用中实现尽可能高的可靠性和效率提供了一个健全的设计。此外,器件遵照MIL-PRF-55365标准进行了了严格的处理和测试。     在7种紧凑的外形尺寸内,TM8系列提供从1μF/40V至47μF/10V的容量-电压
[工业控制]
小广播
最新电源管理文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved