小体积搏高效率 TI新推集成FET降压转换器

　　4.5V~14V输入电压时，TPS56221与TPS56121在5A与15A峰值负载电流下，效率可超过90% ！

　　“板装电源通常有很多电路，因而需要更高的功率密度与电源效率，尤其是那些在更强电流下工作的系统。”TI 电源管理业务部高级副总裁 Sami Kiriaki 指出，TI日前宣布推出集成FET的业界最小型、最高效率的降压转换器——TPS56221与TPS56121，可为电信、网络以及其他应用提供高达25A的电流，因而将TI SWIFT 系列产品延伸至更强电流应用的领域。据TI中国区电源产品业务拓展工程师吴涛介绍，TPS56221 与 TPS56121在3月已经量产，有些客户已经在做评估。

TI中国区电源产品业务拓展工程师吴涛

　　小封装搏高密、高效

　　与以往发布的产品系列不同，TPS56是TI转换器全新的产品系列，其内部集成了TI的专有技术NexFET ，能够实现比传统TPS54系列更高的电流，达到15与25安培的级别。

　　其中，25 A，14 V 的TPS56221 集成NexFET MOSFET且简单易用，与 SWIFT 开关转换器同步，可在12 V 输入至 1.3 V 输出的高负载条件下，同时实现超过 200W/in3的功率密度以及超过 90% 的效率，从而可在 500 kHz 开关频率下提供高达 25 A 的持续输出电流。

　　与其它同类产品相比，TPS56121 15 A、14 V 同步开关转换器不但可在 5 V 输入至 1.2 V 输出下将效率提高 3%，而且还可将开关速度提高 2 倍。

　　TPS56221 与 TPS56121 采用热增强型 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装，尺寸比其它分立式解决方案小 30% ，仅为 315 mm2。这两款器件是首批集成 TI NexFET 技术的产品，可提高热性能、保护功能、效率以及可靠性。它们不但提供 300kHz、500kHz 以及 1MHz 三种可选频率以实现更高的设计灵活性，而且还支持 4.5 V～14 V 的宽泛输入电压。

 　　TPS56221 与 TPS56121 的主要特性与优势：
　　• 强电流与高效率： 4.5 V～14 V 输入电压时，在 25 A 与15 A 峰值负载电流下，效率可超过 90%；
　　• 小尺寸与更高功率密度：总体解决方案尺寸仅为315 mm2，可将封装最大限度地缩小，同时实现超过 200 W/in3 的功率密度；

　　据悉，该系列器件采用22 引脚 5 毫米 x 6 毫米 QFN 封装，且封装有一个PowerPad™ 散热焊盘，易于焊接。

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　　NexFET的战略角色

　　“对于大电流应用我们会把NexFET和控制器集成在一起提高功率密度，而对一些已发布的产品，其中的控制器会根据NexFET做进一步的优化，”吴涛介绍，NexFET MOSFET技术可将电源系统的工作频率进行倍频，实现高达 90% 以上的效率，而封装外形则比当前电源缩减了 20%。

　　除 SWIFT 转换器的强电流性能之外，TI去年推出的 CSD86350Q5D NexFET 功率块还可在更强电流下实现高效率的多相位负载点设计。小巧的 5 毫米 x 6 毫米堆栈型 MOSFET 采用接地引线框架 SON 封装，支持高达 1.5 MHz 的频率，可降低热阻抗并简化布局。CSD86350Q5D在 25 A 电流下效率超过 90%，且还能与 TI 的 TPS40140 堆栈控制器相结合，在保持整个负载高效率的同时，支持多相位设计；其电流可扩展至 50 A、100 A 以及更高。

　　

　　TPS56221设计实例