功率因数校正电路的目的,就是使电源的输入电流波形按照输入电压的变化成比例的变化。使电源的工作特性就像一个电阻一样,而不在是容性的。
目前在功率因数校正电路中,最常用的就是由BOOST变换器构成的主电路。而按照输入电流的连续与否,又分为DCM、CRM、CCM模式。DCM模式,因为控制简单,但输入电流不连续,峰值较高,所以常用在小功率场合。CCM模式则相反,输入电流连续,电流纹波小,适合于大功率场合应用。介于DCM和CCM之间的CRM称为电流临界连续模式,这种模式通常采用变频率的控制方式,采集升压电感的电流过零信号,当电流过零了,才开通MOS管。这种类型的控制方式,在小功率PFC电路中非常常见。
今天我们主要谈适合大功率场合的CCM模式的功率因数校正电路的设计。
要设计一个功率因数校正电路,首先我们要给出我们的一些设计指标,我们按照一个输出500W左右的APFC电路来举例:
已知参数:
交流电源的频率fac——50Hz
最低交流电压有效值Umin——85Vac
最高交流电压有效值Umax——265Vac
输出直流电压Udc——400VDC
输出功率Pout——600W
最差状况下满载效率η——92%
开关频率fs——65KHz
输出电压纹波峰峰值Voutp-p——10V
那么我们可以进行如下计算:
1,输出电流Iout=Pout/Udc=600/400=1.5A
2,最大输入功率Pin=Pout/η=600/0.92=652W
3,输入电流最大有效值Iinrmsmax=Pin/Umin=652/85=7.67A
4,那么输入电流有效值峰值为Iinrmsmax*1.414=10.85A
5,高频纹波电流取输入电流峰值的20%,那么Ihf=0.2*Iinrmsmax=0.2*10.85=2.17A
6,那么输入电感电流最大峰值为:ILpk=Iinrmsmax+0.5*Ihf=10.85+0.5*2.17=11.94A
7,那么升压电感最小值为Lmin=(0.25*Uout)/(Ihf*fs)=(0.25*400)/(2.17*65KHz)=709uH
8,输出电容最小值为:Cmin=Iout/(3.14*2*fac*Voutp-p)=1.5/(3.14*2*50*10)=477.7uF,实际电路中还要考虑hold up时间,所以电容容量可能需要重新按照hold up的时间要求来重新计算。实际的电路中,我用了1320uF,4只330uF的并联。
PFC电路的升压电感的磁芯,我们可以有多种选择:磁粉芯、铁氧体磁芯、开了气隙的非晶/微晶合金磁芯。这几种磁芯是各有优缺点,听我一一道来。
磁粉芯的优点是,μ值低,所以不用额外再开气隙了。气隙平均,漏磁小,电磁干扰比较低,不易饱和。缺点是,基本是环形的,绕线比较困难,不过目前市场上也出现了EE型的。另外,μ值随磁场强度的增加会下降。设计的时候需要反复迭代计算。
铁氧体磁芯的优点是损耗小,规格多,价格便宜,开了气隙后,磁导率稳定。缺点是需要开气隙,另外饱和点比较低,耐直流偏磁能力比较差。
非晶/微晶合金的优点是饱和点高,开气隙后,磁导率稳定。同样缺点是需要开气隙。另外,大都是环状的。
在此说明一下,环形铁芯虽然绕线比较困难,没有E型什么带骨架的那种容易绕。但是环形铁芯绕出来的电感分布电容小,对将来处理电磁兼容带来了很多便利之处。E型的骨架绕线一般都是绕好几层,那么层间电容比较大,对EMC产生不利影响。另外,开气隙的铁芯,在气隙处,铜损会变大。因为气隙处的漏磁在铜线上产生涡流损耗。
下面我们就选择一种环形磁粉芯来作为我们PFC电感的磁芯。我们上面已经计算出了几个参数:
输入电流最大有效值Iinrmsmax=Pin/Umin=652/85=7.67A
输入电感电流最大峰值为:ILpk=Iinrmsmax+0.5*Ihf=10.85+0.5*2.17=11.94A
升压电感最小值为Lmin=(0.25*Uout)/(Ihf*fs)=(0.25*400)/(2.17*65KHz)=709uH
下面继续计算:
线圈选择电流密度为5A/平方毫米,那么可以计算出我们需要用的漆包线的线径为:
2×SQRT(7.67/(5×3.14))=1.4毫米
因为我们这是按照最极限的输入电压也就是说按照最大的输入电流时来计算的。所以电流密度取的裕量比较大。实际按照不同的成本要求,也可以把电流密度取大一些,比如此处取电流密度为8A/平方毫米的话,那么可以得到线径为:
2×SQRT(7.67/(8×3.14))=1.1毫米
这也是可以接受的。
因为是CCM模式的工作方式,基波是低频的半正弦波,在此处我们就不考虑趋肤效应了。选用单根的漆包线就可以了。
常用的几个公式:
LI=NΔBAe
L:电感量,I:电流,N:匝数,ΔB:磁感应强度变化量,Ae:磁芯截面积
L=N×N×Al
Al:电感系数
H=0.4×3.14×N×I/Le
H:磁场强度,Le:磁路长度
继续。。。。。
计算磁芯大小的方法有几种,最常用的就是AP法,但实际上,因为磁粉芯的磁导率随磁场强度变化较大,计算经常需要迭代重复。另外,因为磁环的规格相对比较少。我们就不用AP法计算了。而是直接拿磁芯参数过来计算,几次就可以得到需要的磁芯了。经验越丰富,计算就越快了。
适合用来做PFC电感的磁粉芯主要有三类:铁镍钼(MPP)、铁镍50(高磁通)、铁硅铝(FeSiAl)。其中,铁镍钼粉芯的饱和点大概在B=0.6附近。而后两者都可以达到1以上。
此处,我们选用某国产的铁硅铝粉芯,下面是该粉芯的一些特性曲线图:
从图上可以看见,当磁场强度上升的时候,磁导率在下降。那么电感量也就会下降。所以,我们希望电感量在承受直流偏磁时不要跌落的太多,那么设计所选择的磁场强度就不能太高。我们选用初始磁导率μ0=60的铁硅铝粉芯,那么可以从图中看到,当磁场强度为100Oe时,磁导率还有原来的42%,而当磁场强度为100Oe时,磁感应强度为0.5T,远未到饱和点。我们就把设计最大磁场强度定为100Oe。
那么根据
L=N×N×Al
H=0.4×3.14×N×I/Le
我们得到的限制条件是:0.4×3.14×SQRT(L/Al)×I/Le<100
由于100Oe时,磁导率只有初始值的42%,所以我们要对上式中的Al乘上这个系数。那么带入相关的参数L=709uH,I=11.94A,我们有:
0.4×3.14×SQRT(709E-6/(0.42×Al))×11.94/Le<100,简化后得到:
0.616/(Le×SQRT(Al))<100
注意:上式中,Le的单位是:cm,Al的单位是:H/(N×N)
现在,我们可以把磁芯参数带入计算了。
选择一个:
A60-572A,Le=14.3cm,Al=140nH/(N×N),Ae=2.889平方厘米,带入后得到:115<100
显然磁芯不合适,再选择一个更大的:
A60-640,Le=16.4cm,Al=144nH/(N×N),Ae=3.53平方厘米,计算得到:99<100,不等式满足。磁芯选定。
然后,根据99=0.4×3.14×N×I/Le计算得到N=108圈
有时,选择不到合适的单个磁芯,可以选择两个磁芯叠加起来使用。
上一篇:RCC电路淘汰论之我所见
下一篇:微处理器的电源管理方案
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 15:40
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- Bourns 推出两款厚膜电阻系列,具备高功率耗散能力, 采用紧凑型 TO-220 和 DPAK 封装设计
- Bourns 全新高脉冲制动电阻系列问世,展现卓越能量消散能力
- Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
- 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
- Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
- 强茂SGT MOSFET第一代系列:创新槽沟技术 车规级60 V N通道 突破车用电子的高效表现
- 面向车载应用的 DC/DC 电源
- Vishay推出适用于恶劣环境的紧凑型密封式SMD微调电阻器
- MathWorks 和 NXP 合作推出用于电池管理系统的 Model-Based Design Toolbox