我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别 工作性质:
1.三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.
2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。
3、功耗问题:三极管损耗大。
4、驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管
实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。
(1)场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
(2)场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
(3)有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。
(4)场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
(5)场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。
(6)场效应管分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。
关键字:三极管 mos管 电压控制
编辑:探路者 引用地址:电路设计中三极管和mos管的区别
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 16:06
浅谈三极管和MOS管作开关用时的区别
我们在做电路设计中三极管和MOS管做开关用时候有什么区别。 工作性质:
1.三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。
2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。
3、功耗问题:三极管损耗大。
4、驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。
一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管
实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶
[电源管理]
四大法则教你如何正确选取MOS管
法则之一:用N沟道or P沟道 选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。 确定所需的额定电压,或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大,器件 的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOS管不会失效。就选择MOS管而言,必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压
[电源管理]
LTC3775 - 高频、同步降压、电压模式 DC/DC 控制器
描述:
LTC ® 3775 是一款高效率、同步降压型开关 DC/DC 控制器,用于从一个 4.5V 至 38V 的输入电源电压来驱动一个全 N 沟道功率 MOSFET 级。一种获专利的电压前馈补偿电路和一个高带宽误差放大器提供了非常快的电压和负载瞬态响应。
利用一个 30ns 的低最小接通时间实现了高降压比,从而提供了极低的占空比。MOSFET R DS(ON) 电流检测最大限度地提升了效率。或者,也可以采用一个检测电阻器以实现较高的电流限值准确度。顶端和底端 MOSFET 两端电压的连续监视实现了电感器电流的逐周期控制 (可利用外部电阻器进行配置)。
软起动功能用于控制启动期间的占空比,从而提
[电源管理]
TI推出宽输入电压四开关降压-升压DC/DC控制器
2015年3月23日,北京讯--- 近日,德州仪器推出一款全新的宽VIN,四开关降压-升压控制器,此控制器可以通过减少电磁干扰 (EMI) 来达到最高功效。LM5175管理3.5V至42V之间的输入电压,并将输出电压稳定在0.8V至55V之间。借助其高灵活性,这款控制器能够为诸如工业PC、USB电力传输、车内无线充电、LED照明、电动汽车、电池充电和电信RF功率放大器等工业和汽车应用提供高性能设计。
最高电源转换性能
TI的LM5175 DC/DC控制器具备高度的灵活性,可用单个器件在宽泛的输出功率范围内解决降压、升压和降压-升压等多样化的应用需求。这些应用的输出功率从几瓦的到百瓦以上均可覆盖
[电源管理]
中小功率三极管判别的方法
如何判别中小功率三极管的类型和电极?推荐以下方法供参考! 用数字万用表二极管档测量不同材料制作的三极管会显示不同的电压降,尽管有时电压降的差别很小,但仍可从中判断三极管的类型以及三个极。 判别方法:将数字万用表拨至二极管测量档,红表笔接被测管任一引脚,黑表笔分别触碰另两引脚,如果,两次触碰显示的电压降不同,则说明红表笔接的是NPN型管b极,电压降较大对应的黑表笔接e极,电压降较小对应的黑表笔接c极。同理,若用黑表笔接被测管任一引脚,红表笔分别触碰另两引脚,如果有两次电压降大小不同,则表明黑表笔接的是PNP管b极,电压降较大对应的红表笔接e极,电压降较小对应的红表笔接c极。 如果两次触碰的电压降均大于400mV,则表明被
[测试测量]
模拟万用表和数字万用表在测二极管、三极管和电容时的应用并比较
模拟万用表和数字万用表在测二极管、三极管和电容时的应用并比较。 模拟万用表(电流黑出红入) 1) 测二极管正负极:用黑、红表笔分别接触二极管的两极,观察表头指针,若指针有较大偏转,则黑表笔接触极为正极,红表笔接触极为负极;若指针无偏转则相反。 2) 判断三极管的材料,e、b、c极并估计β值: 首先判断基极并判断三极管类型是NPN型还是PNP型:试着将黑表笔接触三极管的一级,再分别用红表笔接触其他两级,当两次指针都有较大偏转时,可以判断黑表笔接触端为b极,该三极管为NPN型;将红表笔接触三极管的一级,分别用黑表笔接触其他两级,若两次指针都有较大偏转,则红表笔接触端为b极,该三极管为PNP型。
以NPN为例,判断e、c两级:用
[模拟电子]
介绍用万用表辨别三极管/E极的方法
通常我们很容易找到三极管的基极b,但另外两个电极哪个是集电极c,哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。 1、对于PNP型的三极管,用手指捏住b极与假设的c极,管脚间利用我们的手指充当电阻的作用,用黑表笔接假设的c极,红表笔接假设的e极,万用表打到R×1K档测量两极间的电阻Rce;之后将假设的c ,e 极对调再测一次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小,但仔细观察,总会有一次偏转角度稍大,此时电流流向一定是:黑表笔→e极→b极→c极→红表笔,其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致,所以此时黑表笔所接的一定是发射极e,红表笔所接的一定是集电极c。 2、对于NPN型三极管,用手指捏住b
[测试测量]
具最大功率点控制功能和 250mV 启动电压的同步升压型 DC/DC 转换器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高性能、同步升压型转换器 LTC3105,该器件含有最大功率点控制 (MPPC),并以低至 250mV 的输入启动。LTC3105 在 0.2V 至 5V 的极宽输入范围内工作,从而非常适用于从高阻抗可替代电源收集能量,包括了光伏电池、热电发生器 (TEG) 和燃料电池。LTC3105 的内部400mA 同步开关最大限度地提高了效率,同时其突发模式 (Burst Mode®) 工作提供仅为 22uA 的静态电流,从而进一步优化转换器在所有工作条件下的效率。一个可由用户设置的 MPPC 设定点尽量增加了在不导致其内部电压骤降情况下从任何电源
[电源管理]