摘要:介绍定电压电子负载的原理及用于智能电池充电器性能测试的研究,认为定电压电子负
载是研制智能电池充电器不可缺少的测试仪器。
关键词:电子负载智能充电器研究
Development of Characteristic Test of Intellectual Battery charger
Abstrsact: This Paper introduces theory of constant voltage electric load and characteristic test of intellectual battery charger,and thinks it must has constant voltage electric load for developing intellectual battery charger.
Keywords:Electric load Intellectual bsttery charger Study
1引言
众所周知,要保证蓄电池的正常寿命,就必须给蓄电池提供其可接受且科学的充电电流,智能充电器就是在这种背景下发展起来的。而一台智能电池充电器是否达到了设计指标,理论上可以用真实的二次电池来测试,但这种方法是一个冗长且很难操作的过程,在研究和生产中是不符合实际情况的,定电压电子负载就可以很好地解决这个问题。
2定电压电子负载的研制
2.1定电压电子负载的原理
电子负载是利用大功率半导体器件吸收电源提供的电流,转换成热能,从而达到模拟负载的电源测试仪器。定电压(CV)电子负载的工作原理如图1所示。它将从电源吸收足够的电流来控制其输出电压达到设定值,因而它可以模拟蓄电池的端电压,可快速、准确地测试智能电池充电器的输出特性,另外它也可使用于测试电源的限流特性。
(a)电子负载的原理(CV)(b)输出特性
图1电子负载的原理及输出特性
2.2定电压电子负载的研制
JTU—100型电子负载的原理图如图2所示,它最大可以吸收10A的电流,图中V1、V2为调整管,Uref为可调基准源,1、2为输出端,调节Uref的大小,不管负载如何变化,都可以在1、2端得到设定的电压。
图2JTU-100型电子负载的原理图
3智能电池充电器的性能测试研究
图3是开发的一种智能电池充电器的原理框图,它满足12VVRLA蓄电池在循环使用条件下的充电要求,设计指标为:
图3智能电池充电器的原理框图
(1)当Ub≤14.2V时,恒流充电,充电电流为2A。
(2)当Ub>14.2V时,充电电流随电池电压的升高而线性减小。
(3)当Ub≥15.5时,以10mA左右的电流给蓄电池充电,用以补偿蓄电池自放电的电流。
(4)充电阈值电压温度补偿系数为-23mV/℃(12VVRLA蓄电池)
测试步骤如下:
①给JTU—100型电子负载接上电源,并将输出调整到13.5V。
②按图4接线。
③先打开电子负载的开关,再打开智能电池充电器的开关,电流表显示为2A,电压表显示为13.5V。
④逐渐增加电子负载的输出电压,当电压大于14.2V时,输出电流逐渐减小,当电子负载的输出电压升至15.5V时,电流降至10mA左右。
⑤逐渐减小电子负载的输出电压,电流表的读数线性增加,当输出电压小于14.2V时,电流表的读数增至2A并维持不变。
⑥为了测出充电阈值电压的温度补偿是否达到设计指标,将智能电池充电器的温度传感器放到恒温箱中,测出该温度下的充电曲线。测量结果如图5所示。
4结论
电子负载的出现将会促进电源技术的进一步发展,定电压电子负载是人们研制智能化电池充电器不可缺少的测试仪器。
图4电池充电器测试接线图
图5几种温度下的充电曲线
上一篇:电池容量计的一种实现方法
下一篇:基于DSP和OZ890的电池管理系统设计
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 16:09
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- 非常见问题解答第223期:如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序?
- Vicor高性能电源模块助力低空航空电子设备和 EVTOL的发展
- Bourns 推出两款厚膜电阻系列,具备高功率耗散能力, 采用紧凑型 TO-220 和 DPAK 封装设计
- Bourns 全新高脉冲制动电阻系列问世,展现卓越能量消散能力
- Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
- 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
- Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
- 强茂SGT MOSFET第一代系列:创新槽沟技术 车规级60 V N通道 突破车用电子的高效表现
- 面向车载应用的 DC/DC 电源