全桥移相的开关电源控制方式拓扑结构简洁,控制方式简单。在这种控制方式下:开关频率恒定,有利于滤波器的优化设计;可实现开关管的零电压开关,减小了开关损耗,提高了电源的工作效率;由于元器件的电压和电流应力较小,降低了元器件的性能要求,使电源成本降低。因此,在中、大功率的开关电源设计过程中多采用全桥移相的控制方式。
笔者在此基础上利用全桥移相技术,进行了300 W开关电源的设计。
1 设计要求
拟设计的开关电源的技术指标如下:
(1)输入电压范围:DC 18 V~36 V;
(2)输出电压:DC 24 V;
(3)输出电压微调:标称输出电压的±10%;
(4)额定输出电流:12 A;
(5)负载调整度:±1%;
(6)输出电压纹波峰峰值:200 mVp-p;
(7)过流保护:15 A;
(8)工作温度:-20℃~+85℃;
(9)环境湿度:相对湿度90%(35℃)。
2 开关电源的设计
由于开关电源输出的功率较大,所以采用全桥移相的控制方式。电源主控芯片选用TI公司的全桥移相型PWM控制器UC3879,UC3879可对两个半桥开关电路的相位进行移相控制,实现功率级的恒频PWM控制;UC3879的4个输出端分别驱动A/B、C/D 2个半桥,每个半桥都能进行单独的导通延时(死区)调节,在该死区时间内确保下一个导通管的输出电容放电完毕,为即将导通的开关管提供零电压开通条件;UC3879可工作在电压模式和电流模式下,并具有1个独立的过电流关断电路以实现故障的快速保护。其电气特性如下:
(1)可实现0~100%的占空比控制;
(2)开关频率可达2 MHz;
(3)两个半桥输出的导通延时可单独编程;
(4)支持欠压锁定功能;
(5)软启动控制功能;
(6)锁定后的过流比较器在整个控制周期内均可重新启动;
(7)适用于电压拓扑和电流拓扑;
(8)在欠压锁定期间输出自动变成低电平;
(9)启动电流仅150μA;
(10)误差放大器带宽为10 MHz。
在开关电源的设计过程中,变压器设计是整个开关电源设计的核心,对开关电源性能有决定性的影响。现将这部分设计分述如下:
2.1 变压器设计
变压器设计的关键是磁芯的选取、原边/副边匝数的计算。在此,为避免开关电源产生的开关噪声对负载的干扰,选取开关频率为36 kHz,在此开关频率的基础上进行变压器的设计。
2.1.1 磁芯选择
36 kHz开关频率条件下:
Ae--磁芯有效截面积;
AQ--窗口截面积;
PT--开关电源输出功率;
η--开关电源效率,在此为0.8;
fs--变压器的开关频率;
Bm--磁通密度;
Km--窗口占空系数,与导线粗细、绕制工艺及漏感和分布电容的要求等有关;
KC--电流密度系数,与铁心形式、温升要求等有关。
为保证磁芯具有一定裕度,选取TDK E150磁芯,该磁芯Ap=4.14(Ae=230 mm2,Aw=180 mm2),能够满足要求。
2.1.2 原边/副边匝数计算
为减小导线的趋肤效应,选取导体标称直径d=0.630 mm的导线,原边12根并绕,副边8根并绕。
原边匝数:
式中:VDT--MOSFET漏源压降;
D--原边绕组占空比;
Bmax--最大磁通密度;
Vdc(min)--直流母线电压最小值;
T--开关周期,T=1/fs。
尝试取原边匝数Np=4时,副边匝数为:
原边并绕根数:
取8根。
下面计算绕组总面积:
原边绕组面积=Np×原边并绕根数x0.6302=30.95 mm2.
副边绕组面积=Ns×副边并绕根数x0.6302=22.2 mm2.
总面积=原边绕组面积+副边绕组面积*2=84.12 mm2.
3 全桥移相变换器工作原理
全桥移相变换器是输出功率最高的一类,其拓扑原理图如图2: 全桥移相变换器通过改变功率开关控制策略,使其中一个功率管先关断,一次绕组的另一端仍与地相连,这使得漏感、谐振电感和MOSFE T的输出电容构成谐振网络。这样,一次绕组的开路端电压振荡到下管的母线端电位,然后下管MOSFET以ZVS(零电压开关)方式开通。接着与一次绕组滞后端相连的MOSFET可以关断,且滞后端振荡到上管母线端电位,最后上管MOSFET开通。MOSFET的开通、关断波形见图3。
由于MOSSFET管在关断瞬间,一次绕组的两端都有一个单端流过的负载电流,所以每个MOSFET都实现了ZVS开通、关断,错开了功率器件大电流和高电压同时出现的硬开关状态,抑制了MOSFET开通、关断时产生的电压尖峰,减少了开关损耗与干扰。
4 谐振电感设计原则
ZVS的实质就是:利用谐振过程对并联电容充放电,让某一桥臂电压Ua或Ub快速升至电源电压或降至零值,使同一桥臂即将开通管的并联二极管导通,把该管两端电压迅速钳在零位。而在主变压器源端串接自我谐振电感Lr,可促使变换器滞后臂实现ZVS。
由于只有Lr参与谐振,如果谐振开始时Lr电流iLr较小,Lr储能不够,电容C的谐振电压Uc的峰值就有可能达不到Uin,开关管的并联二极管就不能导通,其对应的开关管就不能实现零电压开通。为了使电容的谐振电压峰值能够达到Uin,电感的储能必须足够,在谐振开始时电感Lr的电流iLr(0)必须满足:
这一不等式是设计谐振电感Lr的依据。
Lr取值较大可有效抑制原边电流急剧变化引起的寄生振荡,减小上冲或下冲的尖峰毛刺,降低开关损耗;但Lr过大又会延长占空比丢失时间,降低整机效率。Lr取值小些可缩短原边电流在死区时间谐振过零的反向过程,在输入电压最低、输出电流最大时仍能控制移相稳压,提升电源效率;但Lr过小,虽使占空比丢失减小,但原边电流上冲或下冲的尖峰毛刺会显著增大,增大开关损耗,降低电源的可靠性。因此,在实际的设计过程中,在允许的范围内要多做比较,不断优化,以试验数据为准。
5 结论
经设计、调试后,开关电源在环境实验及常温连续工作过程中输出电压稳定,动态响应较快,供电品质较高,满足设计指标要求。
上一篇:数字高频开关电源的应用
下一篇:三相交错式双向DC/DC储能变流器的研究
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 16:36
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- 非常见问题解答第223期:如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序?
- Vicor高性能电源模块助力低空航空电子设备和 EVTOL的发展
- Bourns 推出两款厚膜电阻系列,具备高功率耗散能力, 采用紧凑型 TO-220 和 DPAK 封装设计
- Bourns 全新高脉冲制动电阻系列问世,展现卓越能量消散能力
- Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
- 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
- Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
- 强茂SGT MOSFET第一代系列:创新槽沟技术 车规级60 V N通道 突破车用电子的高效表现
- 面向车载应用的 DC/DC 电源