高频管与低频管的判别方法

最新更新时间:2012-08-28来源: 电源技术关键字:高频管  低频管  判别方法 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章
  高频管和低频管因其特性和用途不同而一般不能互相代用。因此,如果管子的型号看不清,或一时找不到该管子的有关资料,可以利用万用表来快速判别它是高频管还是低频管。

    判别方法为:首先用万用表测量三极管发射极的反向电阻。如果是测PNP型管,万用表的负端接基极,正端接发射极;如果是测NPN型管,万用表的正端接基极,负端接发射极。然后用万用表的R×1kΩ挡测量,此时万用表的表针指示的阻值应当很大,一般不超过满刻度值的1/10。再将万用表转换到R×10kΩ挡,如果表针指示的阻值变化很大,超过满刻度值的1/3,则此管为高频管;反之,如果万用表转换到R×10kΩ挡后,表针指示的阻值变化不大,不超过满刻度值的1/3,则所测的管子为低频管。

关键字:高频管  低频管  判别方法 编辑:探路者 引用地址:高频管与低频管的判别方法

上一篇:保护电路板上电子元件的半导体器件
下一篇:如何选择和使用电源

推荐阅读最新更新时间:2023-10-17 15:02

、锗管及高频低频判别
硅管和锗管在特性上有很大不同,使用时应加以区别。我们知道,硅管和锗管的PN结正向电阻是不一样的,即硅管的正向电阻大,锗管的小。利用这一特性就可以用万用表来判别一只晶体管是硅管还是锗管。 判别方法如下: 将万用表拨到R*100挡或R*1K挡。测量二极管时,万用表的正端接二极管的负极,负端接二极管的正极;测量NPN型的三极管时,万用表的负端接基极,正端接集电极或发射极;测量PNP型的三极管时,万用表的正端接基极,负端接集电极或发射极。 按上述方法接好后,如果万用表的表针指示在表盘的右端或靠近满刻度的位置上(即阻值较小),那么所测的管子是锗管;如果万用表的表针在表盘的中间或偏右一点的位置上(即阻值较大),那么所测
[模拟电子]
2种方法教会你如何检测判别集成电路和元器件
一、不在路检测这种方法是在IC未焊入电路时进行的,一般情况下可用万用表测量各引脚对应于接地引脚之间的正、反向电阻值,并和完好的IC进行比较。   二、在路检测这是一种通过万用表检测IC各引脚在路(IC在电路中)直流电阻、对地交直流电压以及总工作电流的检测方法。这种方法克服了代换试验法需要有可代换IC的局限性和拆卸IC的麻烦,是检测IC最常用和实用的方法。 测量前要先断开电源,以免测试时损坏电表和元件。 万用表电阻挡的内部电压不得大于6V,量程最好用R×100或R×1k挡。 测量IC引脚参数时,要注意测量条件,如被测机型、与IC相关的电位器的滑勨臂位置等,还要考虑外围电路元亶的好坏。 测量前要先断开电源,以免测
[测试测量]
恩智浦发布120W DVB-T输出功率LDMOS超高频晶体
恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管,支持470 - 860MHz完整超高频带DVB-T信号,平均输出功率120W,效率可达31%以上。21dB高增益、出色的线性度和耐用性(驻波比VSWR> 40:1)使BLF888A成为DVB-T等高级数字发射机应用的理想选择。恩智浦将在2010年9月26日至10月1日法国巴黎举办的欧洲微波展(European Microwave Week)上正式推出BLF888A(展位号:194)
[网络通信]
3000W高频高效全桥软开关电源选用的低通态损耗单开关MOSFET新器件
    摘要: IR公司最新推出的低导通电阻MOSFET功率管IRFPS37N50A,使全桥变换器只需采用二个MOSFET和二个IGBT就能实现软开关电源单机输出功率3000W。     关键词: 功率MOSFET  低导通电阻  低损耗  大电流特性 1 引言 IRFPS37N50A是IR公司1999年6月在中国刚推出的最新低导通电阻、低损耗、高性能功率MOSFET(又称HEXFET)。它是继IRFP460(1985)、IRFP460LC(1994)之后又一次重大技术革新,是功率MOSFET器件在大电流特性方面追赶IGBT的一次质的飞跃。在相同的500V最大漏极击穿电压条件下,它使全桥变换器只需要采
[应用]
高频硅PNP晶体3CG120高温失效机理研究
失效分析的目的是通过总结失效现象,分析失效模式,研究其失效原因和失效机理,为器件的可靠性设计,工艺改进及可靠性增长提供有益的信息。 电子器件有时需要在宇宙空间中运行的卫星、火箭等高温、高辐射等极端条件下使用,条件非常恶劣,超出了正常使用温度范围。并且,随着技术的进步,对电子器件所要求的可靠寿命也越来越长。这就使得研究器件高温特性和高温下的退化特性,分析其高温下的失效机理及失效原因,从而保证器件在各种温度条件下正常工作具有重要意义。 文中使用温度斜坡法,对样品硅PNP型晶体管3CG120进行170~340℃温度范围内序进应力加速寿命试验,得到样品在不同温度下电流增益、击穿电压、反向漏电流等电参数的退化规律。并通过对不同电
[测试测量]
<font color='red'>高频</font>硅PNP晶体<font color='red'>管</font>3CG120高温失效机理研究
小广播
最新电源管理文章
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved