硅管、锗管及高频管、低频管的判别

EPC2111氮化镓半桥功率晶体管帮助系统设计师实现具更高效率的负载点系统应用，在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率，及在10 MHz开关时实现超过80%效率。 宜普电源转换公司（EPC）宣布推出30 V的增强型单片式半桥氮化镓晶体管（EPC2111）。透过集成两个eGaN®功率场效应晶体管形成单个元件，可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。这样可以提高效率（尤其是在更高频率时）及提高功率密度，而且同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2111是高频12 V转至负载点DC/DC转换的理想元件。 在EPC2111半桥器件内的每一个元件的额定电压是30 V。 上面的场效应晶体管的

硅控制开关（SCS） 硅控制开关SCS（Silicon Controlled Switch）亦称四端小功率晶闸管。它属于新颖、多功能半导体器件。只要改变其接线方式，就可构成普通晶闸管（SCR）、可关断晶闸管（GTO）、逆导晶闸管（RCT）、互补型N门极晶闸管（NGT）、程控单结晶体管（PUT）、单结晶体管（UJT），此外还能构成NPN型晶体管 、PNP型晶体管、肖克莱二极管（SKD）、3种稳压二极管、N型或P型负阻器件，分别实现十多种半导体器件的电路功能。迄今为止，还不曾有哪种器件象它具有如此众多的功能。因此它被誉为新颖“万能”器件亦当之无愧。 硅控制开关属

将万用表拨至R×1k档。对于PNP型管，黑表笔接发射极E，红表笔接基极B，给发射极接上正向电压。锗管发射结正向导通电压VBE=0.15～0.3V，硅管的VBE=0.6～0.7V。采用读取电压法可确定VBE的大小，区分硅管与锗管。 对于NPN型管只需将表笔位置交换一下即可。 举列说明：选择MF 30型万用表R×1k档，按照50mA DC刻度读取n′①。 实例之一：事先已判定被测管为NPN管，按图1(b)的接法读出n′=21格，该档K′=0.03V格，故 VBE= K′n′=0.03V格/×21格=0.63V 被测管显然是硅管（实际型号为3DG6 B）。 实例之二：已知被测管属于PNP型，参照图1(a)的接法读取n′=5格

安森美半导体发布新的RDM系列硅光电倍增管 (SiPM) 阵列，将激光雷达 (LiDAR) 传感器能力扩展到其广泛的智能感知方案阵容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市场上首款符合车规的SiPM产品，应对汽车行业及其他领域LiDAR应用中不断增长的需求。 ArrayRDM-0112A20-QFN是单片1×12 SiPM像素阵列，基于安森美半导体领先市场的RDM工艺，可实现对近红外 (NIR) 光的高灵敏度，从而在905纳米(nm)处达到领先业界的18.5％的光子探测效率 (PDE) (1)。SiPM的高内部增益使其灵敏度可达到单光子水平，该功能与高PDE结合使用，可以检

   科技日报北京9月5日电 （记者聂翠蓉）据美国威斯康星大学麦迪逊分校官网近日报道，该校材料学家成功研制的1英寸大小碳纳米晶体管，首次在性能上超越硅晶体管和砷化镓晶体管。这一突破是碳纳米管发展的重大里程碑，将引领碳纳米管在逻辑电路、高速无线通讯和其他半导体电子器件等技术领域大展宏图。 碳纳米管管壁只有一个原子厚，是最好的导电材料之一，因而被认为是最有前景的下一代晶体管材料。碳纳米管的超小空间使得它能够快速改变流经它的电流方向，因此能达到5倍于硅晶体管的速度或能耗只有硅晶体管的1/5。由于一些关键技术挑战无法攻克，碳纳米晶体管的性能表现远远落后于硅晶体管和砷化镓晶体管，无法在计算机芯片和个人电子产品中得到运用。 而最

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (Nasdaq: NXPI)今天宣布推出广播发射机和工业用600W LDMOS超高频(UHF)射频功率晶体管BLF888A。恩智浦BLF888A是目前市场上功能最强大的LDMOS广播发射机晶体管，支持470 - 860MHz完整超高频带DVB-T信号，平均输出功率120W，效率可达31%以上。21dB高增益、出色的线性度和耐用性（驻波比VSWR＞ 40:1）使BLF888A成为DVB-T等高级数字发射机应用的理想选择。恩智浦将在2010年9月26日至10月1日法国巴黎举办的欧洲微波展（European Microwave Week）上正式推出BLF888A（展位号：194）

在接下来十年左右的时间里，在电脑硅芯片上蚀刻电路预计将变得越来越艰难，因为芯片的物理尺寸难以无限变小，这促使人们寻找替代材料来取代硅芯片的地位。 　　哪种材料能替代硅芯片呢？部分研究者对碳纳米管寄予厚望。本周一，斯坦福大学的一个研究团队成功地演示了一个简单的微电子电路，该电路是由44个完全以丝状纤维制成的晶体管组成。 　　来自斯坦福的研究团队在旧金山举行的一次科技会议上展示了这个电路。他们展示的技术进步是迄今最能证明当硅芯片尺寸达到物理极限时，碳纳米管可能会成为一种未来的替代材料。 　　在各大科技厂商中，IBM是建议将碳纳米管应用于微电子领域的强力支持者之一，该公司已经明确表示希望碳纳米管技术将在接下来的十

回旋加速器高频(RF)系统中采用的功率放大器类型主要有固态电路和真空管两种 。前者采用双极型晶体管或者场效应管作为放大元件，多级并联实现较高功率传输，具有高稳定性、高可靠性等优点，但其工作频率容易受到限制。真空管主要有四极管和束调管两种，利用电场对真空中电子流的作用获得信号放大，真空电子管造价低、承受负载的能力强，允许负载在较大的范围变化，可以不使用环流器，线性度也优于普通的晶体管，适合于大功率的应用场合，但也具有体积大、功耗大、寿命短、需要高压电源和较大的推动功率等缺点。 华中科技大学电气学院研发的CYCHU-10高频系统,中心频率为101 MHz，其功率放大器的输出功率为10 kW,考虑到固态放大电路的频率以及负载能力的限