推荐阅读最新更新时间:2023-10-17 15:12
单片机 mos管短路保护
在做产品的时候对mos管的短路保护很重要,最简单的办法就是加可恢复保险丝,但是这样一来会大大的加重生产的成本,对于量产的产品来说可是非常大的支出。
方法一、现在又很多单片机已经带有ad采集:
方法二: 直接检测单机io口的高低电平
这两种方法都大大的降低了生产产本,但是同时对器件有伤害、。
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电源设计经验之MOS管驱动电路篇
MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时,大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素,这样的电路也许可以正常工作,但并不是一个好的设计方案。更细致的,MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET,其驱动电路,驱动脚输出的峰值电流,上升速率等,都会影响MOSFET的开关性能。 当电源IC与MOS管选定之后,选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。 一个好的MOSFE
[电源管理]
stm32 gpio 工作方式及 mos管的认识
GPIO 寄存器的配置 模式一 开漏输出 CPU 写寄存器来 输出1通过输出控制电路 N-MOS管处于关闭状态,输出电平不受MOS管影响,而受上下拉电阻的影响,所以IO口输出不一定为1; 输出为0,N-MOS管开启,把输出端电平拉低,所以输出为0;CPU读出来的就是0. 模式二-------开漏复用输出 复用是通过 外设 来控制输入输出 其他与开漏输出一样 模式三----------推挽输出 推挽输出:输入1时,上方的 P-MOS 导通,下方的 N-MOS关闭,对外输出高电平; 输入0时,下方的 N-MOS 导通,上方的 P-MOS关闭,对外输出低电平。 模式四------推挽复用输出 复用是通过 外
[单片机]
双脉冲测试基础系列:基本原理和应用
双脉冲是分析功率开关器件动态特性的基础实验方法,贯穿器件的研发,应用和驱动保护电路的设计。合理采用双脉冲测试平台,你可以在系统设计中从容的调试驱动电路,优化动态过程,验证短路保护。 双脉冲测试基础系列文章包括基本原理和应用,对电压电流探头要求和影响测试结果的因素等。 为什么要进行双脉冲测试? 在以前甚至是今天,许多使用IGBT或者MOSFET做逆变器的工程师是不做双脉冲实验的,而是直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率。这样的测试确实很必要,但是往往这样看不出具体的开关损耗,电压或者电流的尖峰情况,以及寄生导通情况。这会导致对有些风险的认识出现盲点,进而影响最后产品未来的长期可靠性。又或者设计裕量过大带来成本增加,使
[电源管理]
MOS管正确选择的步骤
正确选择MOS管是很重要的一个环节,MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本,了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应力能够帮助工程师避免诸多问题,下面我们来学习下MOS管的正确的选择方法。 第一步:选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中,当一个MOS管接地,而负载连接到干线电压上时,该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOS管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管,这也是出于对电压驱动的考虑。 要选择适合应用的器件,必
[电源管理]
开关电源设计中如何区别及选用三极管和MOS管
三极管 的工作原理:三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E。分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。 我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流 Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的,所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是:集电极电流受基极电流的控制(假设电源 能够提供给集电极足够大的电流的话),并且基极电流很小的变化,会引起集电极电流很大的变化,且变化满足一定的比例关系:集电极电流的变化量是基极电流变 化量的β倍,即电流变化被放大了β倍,所以我们把β叫做三极管
[电源管理]
士兰微电子推出内置高压MOS管的原边控制电路新品
杭州士兰微电子公司近期推出了基于自有知识产权的AC-DC原边控制开关电源电路新品 SDH859XAS系列。该系列电路采用PFM调制技术,实现精确的恒压/恒流(CV/CC)控制,效率和待机功耗满足DOE Level 6能效标准,广泛适用于手机充电器、小功率适配器及其他便携式设备充电器。
SDH859XAS系列电路内置了高压MOS管,使用了自有的专利技术来实现高压启动功能,降低待机功耗以及提高转换效率。该系列电路具有外部可调的线损补偿和内置的峰值电流补偿等功能,可以确保精准的恒压/恒流(CV/CC)性能。
该系列电路在确保待机功耗满足DOE Level 6能效标准的前提下,具有极佳的动态响应性能。
此外,电路内部集成了V
[电源管理]
技术文章— 关于MOS管失效的六大原因分析
MOS管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。 目前在市场应用方面,排名第一的是消费类电子电源适配器产品。而MOS管的应用领域排名第二的是计算机主板、NB、计算机类适配器、LCD显示器等产品,随着国情的发展计算机主板、计算机类适配器、LCD显示器对MOS管的需求有要超过消费类电子电源适配器的现象了。 第三的就属网络通信、工业控制、汽车电子以
[半导体设计/制造]