基于开尔文四线法进行接触电阻的测量实例

最新更新时间:2013-01-08来源: 互联网关键字:开尔文  四线法  接触电阻  测量实例 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

    ASTM的方法B539 “测量电气连接的接触电阻”和MIL-STD-1344的方法3002“低信号电平接触电阻”是通常用于测量接触电阻的两种方法。通常,一些基本的原则都采用开尔文四线法进行接触电阻的测量。接触电阻就是电流流过闭合的接触点对时的电阻。这类测量是在诸如连接器、继电器和开关等元件上进行的。接触电阻一般非常小其范围在微欧姆到几个欧姆之间。根据器件的类型和应用的情况,测量的方法可能会有所不同。

    测量方法

    图4-42 说明用来测试一个接点的接触电阻的基本配置。使用具有四端测量能力的欧姆计,以避免在测量结果中计入引线电阻。将电流源的端子接到该接点对的两端。取样(Sense)端子则要连到距离该接点两端电压降最近的地方。其目的是避免在测量结果中计入测试引线和体积电阻(bulk resistance)产生的电压降。体积电阻就是假定该接点为一块具有相同几何尺寸的金属实体,而使其实际接触区域的电阻为零时,整个接点所具有的电阻,设计成只有两条引线的器件有的时候很难进行四线连接。器件的形式决定如何对其进行连接。一般,应当尽可能按照其正常使用的状态来进行测试。在样品上放置电压探头时不应当使其对样品的机械连接产生影响。例如,焊接探头可能会使接点发生不希望的变化。然而,在某些情况下,焊接可能是不可避免的。被测接点上的每个连接点都可能产生热电动势。然而,这种热电动势可以用电流反向或偏置补偿的方法来补偿。

    干电路(Dry Circuit)测试

    通常,测试接点电阻的目的是确定接触点氧化或其它表面薄膜积累是否增加了被测器件的电阻。即使在极短的时间内器件两端的电压过高,也会破坏这种氧化层或薄膜,从而破坏测试的有效性。击穿薄膜所需要的电压电平通常在30mV到100mV的范围内。

    在测试时流过接点的电流过大也能使接触区域发生细微的物理变化。电流产生的热量能够使接触点及其周围区域变软或熔解。结果,接点面积增大并导致其电阻降低。

    为了避免这类问题,通常采用干电路的方法来进行接点电阻测试。干电路就是将其电压和电流限制到不能引起接触结点的物理和电学状态发生变化电平的电路。这就意味着其开路电压为20mV或更低,短路电流为100mA或更低。

    由于所使用的测试电流很低,所以就需要非常灵敏的电压表来测量这种通常在微伏范围的电压降。由于其它的测试方法可能会引起接点发生物理或电学的变化,所以对器件的干电路测量应当在进行其它的电学测试之前进行。

    使用微欧姆计或数字多用表

    图4-42示出使用Keithley 580型微欧姆计、2010型数字多用表或2750型数字多用表数据采集系统进行四线接触电阻测量的基本配置情况。这些仪器能够采用偏置补偿模式自动补偿取样电路中的热电势偏置,并且还具有内置的干电路测量能力。对于大多数的应用来说,微欧姆计或数字多用表足以用来进行接触电阻的测量工作。如果短路电流或者被测电阻值比微欧姆计或数字多用表的技术指标小得很多,则必须使用纳伏表加精密电流源的组合来进行。

    使用纳伏表和电流源

    图4-43示出使用Keithley 2182A型纳伏表和2400系列数字源表仪器进行接触电阻测量的测试配置情况。

    2400系列仪器强制电流流过接点,而纳伏表则测量接点两端产生的电压降。为了进行干电路测试,设置数字源表的钳位电压为20mV,这样就把电路的开路电压钳位到20mV。为了保证钳位电压只出现在接点两端,而不是出现在测试引线的两端,该数字源表采用四线模式。在使用较大的电流时,这一点特别重要。因为和接点两端的电压降相比,测试引线两端的电压降可能会比较大。

    为了避免发生瞬变现象,一定要先将电流源关闭,然后再把接点接入测试夹具或将其断开。将一个100Ω的电阻器直接跨接在电流源的输出端,能够进一步降低瞬变现象。

    可以使用电流反向法将热电势偏置降至最小。2182A的Delta模式与数字源表仪器配合可以自动地实现这种技术。在这种模式下,2182A 自动地触发电流源改变极性,然后对每一种极性触发测量一个读数。接着,2182A显示“经过补偿”的电压值:

    接点电阻则可计算如下:

    其中:I = 测试电流的绝对值。

关键字:开尔文  四线法  接触电阻  测量实例 编辑:探路者 引用地址:基于开尔文四线法进行接触电阻的测量实例

上一篇:基于嵌入式的SoC验证效率测试方案
下一篇:Littelfuse推出符合UL913认证标准的保险丝

推荐阅读最新更新时间:2023-10-17 15:13

纳米电测量实例分析I
碳纳米管的特性使得它们成为一种出色的电子元件材料 。图6示出了FET结构所使用的碳纳米管 。为了发现器件的I-V特性曲线 ,建议采用有弱电流测量 功能的仪器。一种可用的典型仪器是信号源-测量一体化单元(SMU),它可以输出电压或电流信号,并分别对电流或者电压响应进行测量。让一个SMU对栅电压进行扫描,并用另一个SMU来控制源-漏电压,则可以测量出源-漏电流。请注意待测电流大小处于nA范围。对于大多数测量仪器而言,这往往是一个轻而易举能实现的任务,而且噪声也不成其为问题,但正如前面所讨论的那样,存在一个潜在的误差源。 图6:碳纳米管的特性使得它们成为一种出色的电子元件材料,正如图中所示的FET结构 。为了获取器件
[测试测量]
纳米电<font color='red'>测量</font>的<font color='red'>实例</font>分析I
如何通过测量电极接触电阻来发现电磁流量计问题
电磁流量计使用时需要注意的方面有很多方面,比如电磁流量计产品选型,安装位置和安装要求,运行参数设置等等许多方面的知识。每一位仪表操作人员只有充分地掌握了这些知识和技能,才能够在工作中做到游刃有余,在遇到故障时才会有条不紊、从容不迫地找出原因所在。 我们知道电磁流量计是高精度、高可靠和使用寿命长的流量仪表,所以在设计产品结构、选材、制定工艺、生产装配和出厂测试等过程中每一个环节我们都非常细致讲究。电磁流量计信号电缆干扰的测定信号电缆受外界静电感应和电磁感应干扰会使电磁流量计零点变动。为判断零点变动是否由于受信号电缆干扰电势影响,需测定干扰大体范围和对电磁流量计的影响程度。电磁流量计它的测量范围比是30:1
[测试测量]
吉时利源表替您解答:四线测试是什么
吉时利源表、万用表一直备受客户青睐,在使用过程中经常有人问:四线测试法是什么?今天安泰测试就简单给大家分享一下到底什么是四线测试法。 四线测试法是目前为止最好的消除引线电阻引入误差(或将其将至最小的)的测试方案 · 两线测量法: 传统的电阻测量通常用的是两线测量法来进行测量,比如我们最常用的手持式万用表。测量时只需要将红黑表笔点在待测电阻的左右两端,万用表会自动添加一个激励电流或激励电压(自动激励大小与选择的档位有关,万用表中激励大小不可调)。添加激励电压的同时,测试被测件两端的电流;或者添加激励电流的同时,测试被测件两端的电压。再通过欧姆定律R=U/I 得到电阻值。如图1所示, 其中: I为激励电流(测试电流) VM为万用
[测试测量]
吉时利源表替您解答:<font color='red'>四线</font>测试<font color='red'>法</font>是什么
基于开尔文四线法进行接触电阻测量实例
    ASTM的方法B539 “测量电气连接的接触电阻”和MIL-STD-1344的方法3002“低信号电平接触电阻”是通常用于测量接触电阻的两种方法。通常,一些基本的原则都采用开尔文四线法进行接触电阻的测量。接触电阻就是电流流过闭合的接触点对时的电阻。这类测量是在诸如连接器、继电器和开关等元件上进行的。接触电阻一般非常小其范围在微欧姆到几个欧姆之间。根据器件的类型和应用的情况,测量的方法可能会有所不同。     测量方法     图4-42 说明用来测试一个接点的接触电阻的基本配置。使用具有四端测量能力的欧姆计,以避免在测量结果中计入引线电阻。将电流源的端子接到该接点对的两端。取样(Sense)端子则要连到距离该接点两
[电源管理]
基于<font color='red'>开尔文</font><font color='red'>四线</font>法进行<font color='red'>接触</font><font color='red'>电阻</font>的<font color='red'>测量</font><font color='red'>实例</font>
LOTO 示波器软件功能演示——测量值统计曲线功能演示 以及 自动化检测应用实例
测量值统计曲线功能 是将自动测量量,包括频率,周期,最大值,最小值,峰峰值,平均值,占空比,正脉宽,负脉宽等等的历史变化趋势绘制成曲线图,可以同时多个测量量显示并记录。该功能适用于自动化检测领域对产品或者信号进行客制化故障联动。 测量值统计曲线功能是从版本5.50后新增加的功能。在设置区,可以选择要统计的测量量 ,可以选择频率,周期,最大值,最小值,峰峰值,平均值,占空比,正脉宽,负脉宽等等,也可以多选。不同物理量会用不同颜色的曲线区分。 通过统计曲线的这个功能,我们能清楚看到波形的测量量历史变化趋势。而用示波器看,只能一频一频的波形的变化,但它的历史变化趋势我们是不知道的。统计曲线的目的就是做这个工作。就是它把每一频的测
[测试测量]
LOTO 示波器软件功能演示——<font color='red'>测量</font>值统计曲线功能演示 以及 自动化检测应用<font color='red'>实例</font>
新型纳米级电接触电阻测量的新技术
纳米级电气特性 研究纳米级材料的电气特性通常要综合使用探测和显微技术对感兴趣的点进行确定性测量。但是,必须考虑的一个额外因素是施加的探针压力对测试结果的影响,因为很多材料具有压力相关性,压力会引起材料的电气特征发生巨大的变化。 现在,一种新的测量技术能够将纳米材料的电气和机械特性表示为施加探针压力的函数,为人们揭示之前无法看到的纳米现象。这种纳米级电接触电阻测量工具(美国明尼苏达州明尼阿波利斯市Hysitron公司推出的nanoECR™)能够在高度受控的负载或置换接触条件下实现现场的电气和机械特性测量。该技术能够提供多种测量的时基相关性,包括压力、置换、电流和电压,大大增加我们能够从传统纳米级探针测量中所获得的信息量。这种
[测试测量]
新型纳米级电<font color='red'>接触</font><font color='red'>电阻</font><font color='red'>测量</font>的新技术
Hysitron新型纳米级电接触电阻测量技术
   纳米级电气特性   研究纳米级材料的电气特性通常要综合使用探测和显微技术对感兴趣的点进行确定性测量。但是,必须考虑的一个额外因素是施加的探针压力对测试结果的影响,因为很多材料具有压力相关性,压力会引起材料的电气特征发生巨大的变化。   现在,一种新的测量技术能够将纳米材料的电气和机械特性表示为施加探针压力的函数,为人们揭示之前无法看到的纳米现象。这种纳米级电接触电阻测量工具(美国明尼苏达州明尼阿波利斯市Hysitron公司推出的nanoECR?)能够在高度受控的负载或置换接触条件下实现现场的电气和机械特性测量。该技术能够提供多种测量的时基相关性,包括压力、置换、电流和电压,大大增加我们能够从传统纳米级探针测量中所
[测试测量]
Hysitron新型纳米级电<font color='red'>接触</font><font color='red'>电阻</font><font color='red'>测量</font>技术
小广播
最新电源管理文章
换一换 更多 相关热搜器件
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved