针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器

最新更新时间:2013-04-22来源: EEWORLD关键字:IGBT  MOSFET  可再生能源应用  通道栅极驱动器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

引言
对电能转换而言,可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中,开关型功率转换器通常为非隔离式,功率水平相当低(<200 W),并且常常会把电源从一个DC电压转换到另一个,例如:12V转换为3.3V。另外,功率级开关为集成式,也即能够通过低电流控制器或者晶体管驱动。今天,控制器和功率级之间的整合正在成为现实。硅(Si)MOSFET在这一市场中起主导作用,因为人们喜欢更高的开关频率,它可以达到1MHz以上的速度。这些功率开关通常均由一个5V或者12V IC栅极驱动器或类似解决方案来驱动。

 

高效管理可再生能源系统的挑战
在某个风或者光伏发电机的电力系统中,存在一些特殊的性能问题。使用微型逆变器时典型可再生能源功率水平为1到3kW,串型逆变器为3到10kW,而大型中央式逆变器站则为10kW到1MW。除DC到DC转换以外,还可使用DC到AC和AC到DC转换,有时也可两者组合使用。

 

老式的风力发电机直接连接电网,只能工作在电力线频率下。在经过许多作业点以后,它们变得很低效。新型的风力发电机(图1)常常把AC转换为DC,然后再把DC转换回AC,这样风力发电机便可工作在各种速度下,从而获得最大效率。

 

相反,光伏电池产生DC电压/电流。一般而言,先升高电压,然后通过一个DC到AC逆变器发送,最后再连接电网。

 

可再生能源发展趋势
对于世界上的大多数国家而言,利用风和太阳能生产的清洁能源都仅为其能源的很小一部分。近年来,可再生能源获得了持续的发展。在一些地方,可再生能源已经占有很大一部分。例如,根据丹麦能源局数据,在2012年上半年, 丹麦所生产的全国总电量中约有34%为风力发电。丹麦能源局的上级部栅极丹麦气候、能源与建筑部发布消息称,到2020年,丹麦的风力发电将占到总能源的50%。当风力发电在一个国家总能源中占有较大比重时,转换系统的可靠性变得至关重要。除此以外,还有高功率电网连接、电隔离安全要求和大型可再生能源转换系统的成本问题。这意味着,系统可靠性始终都是设计优先考虑因素,其次是效率问题。因此,在所有层面(从控制器到FET/IGBT驱动器本身),保护功能和可靠性都是优先考虑项。

 

典型电源管理结构
高功率电平带来更高的系统电压,因此转换器内所用各种组件的切断电压也更高。为了降低400V以上电压的功率损耗,大多数电路设计人员更喜欢使用绝缘栅极双极型晶体管(IGBT),或者最新的碳化硅(SiC)FET。这些器件的切断电压可高达1200V,并且相比等效Si MOSFET拥有更低的“导通”电阻。这些复杂的电源系统通常由一个数字信号处理器、一个微控制器或者一个专用数字电源控制器来管理。因此,它们常常会要求同时将电和信号都隔离于功率级的高噪声开关环境。即使在稳态开关周期内,电路的电压和电流也会剧烈变化,形成明显的接地跳动。

 

图 1 风力发电机到电网的简化电力传输流程图
 

图2表明,即使是一个单相DC到AC逆变器,也需要许多栅极驱动器,以正确地在功率级中对IGBT进行开关操作。作为一种单通道栅极驱动器,只要具有必需的信号和偏压隔离,德州仪器UCC27531就能驱动开关桥的任何开关。利用一个光耦合器或者数字隔离器,实现信号隔离。对于偏压隔离,设计人员可以使用一种带二极管和电容器的自举电路,或者一个隔离式偏压电源。另一种方法是,与控制器一样,连接同一个隔离端上的栅极驱动器,然后通过栅极驱动器后面的一个栅极变压器驱动开关。这种方法允许通过控制端上一个非隔离式电源,对驱动器进行偏置。

 

图 2 单相逆变器基本结构


 

可再生能源的栅极驱动器
作为一种小型、非隔离式栅极驱动器,单通道UCC27531可以很好地工作在前述环境下。它的IC输入信号通过一个光耦合器或者数字隔离器提供。它的高电源/输出驱动电压范围为10到35V,让其成为12V Si MOSFET应用和IGBT/SiC FET应用的理想选择。这里,正栅极驱动通常更高,并且关断时负电压下拉,目的是防止电源开关受到错误导通的损害。一般而言,SiC FET由一个相对于电源的+20/-5V栅极驱动器驱动。同样,就IGBT而言,系统设计人员可能会使用一个+18/-13V栅极驱动,如图3所示。

 

图 3 利用FET/IGBT单栅极驱动器驱动电源开关


 

由于UCC27531是一种轨到轨驱动器,因此相对于发射极,OUTH上拉电源开关栅极至其18V VDD。相对于发射极,OUTL下拉栅极至驱动器的–13 V GND。驱动器有效地从+18到-13V,或者从相对于其自有GND的VDD到31V。另外,35V额定电压提供了一定的余量,可防止噪声和振铃产生的IC过电压故障。

 

OUTH和OUTL的分离输出,允许用户单独控制导通(灌)电流和关断(拉)电流。它帮助最大化效率,并保持开关时间控制,从而满足噪声和电磁干扰要求。另外,即使是分离输出,单栅极驱动器也在输出级保持最小电感,防止出现过多振铃和过冲。利用一种非对称驱动(2.5A导通,5A关断),UCC27531经过了优化,适用于高功率可再生能源应用的平均开关时序。再者,利用低下拉阻抗,这种驱动器通过确保栅极不遭受电压尖峰来增加可靠性。由于IGBT的集电极和栅极之间以及FET的漏极和栅极之间的寄生米勒效应电容,这些电压尖峰可能会导致出现错误导通。开关导通期间集电极/漏极电压迅速上升,这时在栅极上拉升电压,这种内部电容便以此来引导栅极超出导通阈值电压。

 

UCC27531的输入级也为可再生能源等高可靠性系统而设计。它拥有一个所谓的TTL/CMOS输入,其与电源电压无关,从而实现了与标准TTL级信号的兼容。相比典型TTL中的常见0.5V磁滞,它拥有约1V的高磁滞。如果输入信号因故丢失变得不稳定,则拉低输出。另外,驱动器IC的GND电压较大变化时,如果在开关沿期间GND跳动较高,则输入信号可能表现为负。由于能够连续对这些事件期间输入(IN)或激活(EN)端上-5V电压进行处理,因此驱动器成功地解决了这个问题。

 

UCC27531使用3 x 3mm的工业标准SOT-23封装,相比使用离散式电平位移器、没有负输入能力或者缺少保护的离散式双晶体管解决方案,它拥有非常大的竞争力。除节省大量空间以外,把UCC27531的各种功能集成到一块单IC封装中还提高了系统的整体可靠性。

 

这种单通道驱动器是一种引人注目的解决方案,因为它可以非常靠近电源开关栅极放置。相比在一块单IC中组合高侧/低侧栅极驱动器,它的灵活度更高。这种灵活性可帮助最小化驱动器和电源开关之间的电感,并让设计人员能够更好地控制开关栅极。图2说明了许多高功率开关如何集成到一个DC到AC级单相中。对于一个完整的多转换(DC和AC之间往复转换)三相系统而言,甚至一些应用中还需要DC到DC转换增压级,需要许多的栅极驱动器。每一个驱动器的放置都必须在PCB上安排好,以确保获得正确的设计。

 

结论
在可再生能源应用中,太阳能电池板阵列和风力发电机的功率转换给广大系统设计人员带来巨大的挑战。这些挑战包括高压和高功率电平、满足安全与可靠性要求以及完整连接系统的总体复杂程度。表面看起来,尽管电源开关的栅极驱动器只是总系统控制和电力生产流程中一个小小的部件,但它们对整体设计性能却十分的重要。

 

参考文献
1 《可再生能源系统的电源电子组件和可靠性》,作者:F. Blaabjerg等人,2012年5月28日-31日中国杭州第21届IEEE国际工业电子研讨会发言稿。
2 《可再生能源系统中电源组件的作用》,作者Veda Prakash Galigekere和Marian K. Kazimierczuk,在线版《白皮书》,访问网址:www.magnelab.com
3 《碳化硅MOSFET的应用考虑》,作者Bob Calanan,2011年1月,在线版《电源应用说明》,访问网址:www.cree.com/power/document-library

 

相关网站
电源管理:
http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/analog/powermanagement/power_portal.page
UCC27531 :http://www.ti.com.cn/product/cn/ucc27531

关键字:IGBT  MOSFET  可再生能源应用  通道栅极驱动器 编辑:陈盛锋 引用地址:针对IGBT和MOSFET可再生能源应用的35V、单通道栅极驱动器

上一篇:艾默生网络能源的ATCA系统可支持深层封包检测功能
下一篇:全球最轻薄移动电源:内置1500mAh的Tarot

推荐阅读最新更新时间:2023-10-17 15:15

用于辅助电路分析的示波器数学功能
要点 1.数字示波器的数学通道可以帮助你分析热插拔电路和负载切换电路。 2.集成MOSFET的MAX5976热插拔器件包含了一个内置MOSFET开关元件,并有电流检测与驱动电路,构成了一个完整的功率开关电路。 3.选择示波器探头时,使VDS为通道2与通道1之间的差值,并用电流探头测量漏极电流。 4.阻性负载会拉取并未存储在电容中的电流,从而降低这些电容测量的精度。但对于快速测量,这些结果还是有用的。 大多数工程实验室都有数字示波器,但很多工程师并没有完全用到它们的功能。一台数字示波器最有意思的功能是它的数学通道,它可以帮助你分析热插拔与负载切换电路。数学功能可以得出有关热插
[测试测量]
MOSFET驱动器?
  UCD9110或UCD9501等新上市的数字 电源 控制器需要具备新型的智能型集成MOSFET驱动器的支持。电源设计人员仍然对数字电源控制技术心存疑虑。他们经常将PC的蓝屏现象归咎于软件冲突。当然,这种争议会阻碍数字控制电源以及查找控制器故障期间功率级保护策略的推广。这推动了不依赖数字电源控制器信号的具备功率级内部保护功能的MOSFET驱动器的发展。      图1是数字控制电源的典型实施方案。图中左侧数字电源控制器通常的工作电压为3.3V。由于控制器设计中采用了数字低电压处理方法,出于对稳定性及噪声的考虑,不能直接使用该数字控制器驱动MOSFET。控制器与功率级之间的接口由MOSFET驱动器提供。通常由MOSFET驱动器接收
[电源管理]
<font color='red'>MOSFET</font>驱动器?
(ST)完整全桥系统封装内置MOSFET、栅驱动器和保护技术
意法半导体的 PWD13F60 系统封装(SiP)产品在一个13mm x 11mm的封装内集成一个完整的600V/8A单相MOSFET全桥电路,能够为工业电机驱控制器、灯具镇流器、电源、功率转换器和逆变器厂家节省物料成本和电路板空间。 不仅比采用分立器件设计的类似全桥电路节省电路板空间60%,PWD13F60还能提升最终应用的功率密度。市场上在售的全桥模块通常是双FET半桥或六颗FET三相产品,而PWD13F60则集成四颗功率MOSFET,是一个能效特别高的替代方案。与这些产品不同,只用一个PWD13F60即可完成一个单相全桥设计,这让内部MOSFET管没有一个被闲置。新全桥模块可灵活地配置成一个全桥或两个半桥。 利用意
[半导体设计/制造]
(ST)完整全桥系统封装内置<font color='red'>MOSFET</font>、栅驱动器和保护技术
比亚迪改良了SiC MOSFET制备方法
前不久比亚迪公司宣布投入巨资布局第三代半导体材料SiC(碳化硅),并整合材料、单晶、外延、芯片、封装等SiC基半导体产业链,致力于降低SiC器件的制造成本,加快其在电动车领域的应用。目前比亚迪公司已成功研发了SiC MOSFET,并期望之后应用于旗下的电动车中,实现SiC基车用功率半导体对硅基IGBT的全面替代,将整车性能在现有基础上提升10%。 在电子领域,MOSFET(场效应晶体管)作为功率开关广泛应用于开关电源、放大器等电子设备中,同时也是硬件设备发热和功率损耗的一大来源。随着新式材料SiC的出现,由于其击穿场强约为Si的10倍,同时具有高热导率、抗辐射等优点,因此可广泛应用于大功率,高温高频半导体器件如MOSFET中。当M
[手机便携]
比亚迪改良了SiC <font color='red'>MOSFET</font>制备方法
移相全桥式IGBT超声波电源的研制
摘要:介绍了某型超声波电源的工作原理,采用移相式全桥串联谐振电路,以IGBT为功率开关器件,热耗小,转换效率高,噪音低,配合适当型号的清洗槽和清洗液,清洗效果好。关键词:超声波电源;全桥;移相;绝缘栅晶体管   图1超声波清洗机电源主电路     图2等效电路拓扑     1引言 随着科学技术的发展和社会的进步,超声波清洗机在很多领域中得到了广泛的应用,尤其是在军事装备和各种电子、机械、光学等零部件的加工和处理过程中。但以前的超声波清洗机大多存在噪声大、效率低等缺点。为此,采用全桥移相式串联谐振电路拓扑,以IGBT为功率开关器件,研制成功某型便携式超声波清洗机。它具有热耗小,转换效率高,噪音低,
[电源管理]
移相全桥式<font color='red'>IGBT</font>超声波电源的研制
IGBT础知识大全
有关IGBT你了解多少,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 结构     IGBT结构图左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅
[电源管理]
<font color='red'>IGBT</font>础知识大全
中国新一代汽车电子的两大设计趋势
如今的汽车市场正受到经济危机的冲击,与此同时,提高安全性能和绿色环保这两大趋势也驱动着新一代汽车的发展,并指引着汽车厂商生产出与消费者的意向最相符、具有差异化特性的下一代汽车。 对经济的预期,使得消费者对汽车新功能的需求首先以安全为导向。能够保障司机、乘客和行人安全,有效降低事故发生的高级安全系统,比如无需增加太多成本的先进驾驶辅助系统,将是一个快速增长汽车电子领域,并对汽车的差异化设计产生重要影响。除了安全气囊等被动安全系统外,未来越来越多的汽车还将采用基于视觉的主动安全系统,包括后视系统、车道偏离告警系统、司机注意力告警系统、前灯控制系统、防碰撞系统以及能够在各种照明条件下检测并分辨物体的自动巡航控制系统等。 为降低能
[嵌入式]
安森美推出8款新的中等功率MOSFET器件
森美半导体 ( ON Semiconductor ) 推出 8 款新的 MOSFET 器件,专门为中等电压开关应用而设计。这些 MOSFET 非常适用于直流马达驱动、 LED 驱动器、电源、转换器、脉宽调制 (PWM) 控制和桥电路中,这些应用讲究二极管速度和换向安全工作区域 (SOA) , 安森美半导体的新 MOSFET 器件提供额外的安全裕量,免应用受未预料的电压瞬态影响。 这些新的 60 伏 (V) 器件均是单 N 沟道 MOSFET ,提供较低的导通阻抗 (RDS(on)) ,将功率耗散降到最低。这些器件更提供低门电荷和低门电荷比,降低传导和开关损耗。所有这些性能特性,使电源子系统能效更高。
[电源管理]
安森美推出8款新的中等功率<font color='red'>MOSFET</font>器件
小广播
热门活动
换一批
更多
最新电源管理文章
更多精选电路图
换一换 更多 相关热搜器件
更多每日新闻
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved