Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻-电子工程世界

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宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，扩充其采用超小PowerPAK® SC-70封装的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是为在便携式电子产品中节省空间及提高效率而设计的，占位面积只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V栅极驱动下的导通电阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。

对于电源管理中的负载和电池开关，以及智能手机、平板电脑、移动计算设备、硬盘驱动器和固态驱动的同步降压转换应用里的控制开关，-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的极低导通电阻。-20V SiA437DJ的导通电阻为14.5mΩ(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的导通电阻分别只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的电流等级高达30A，承受很大的涌入电流，可用于负载开关。

器件的低导通电阻使设计者能在其电路中实现更低的压降，更有效地使用电能，并延长电池寿命，同时这些器件的超小PowerPAK SC-70封装可以节省宝贵的电路板空间。对于小型负载点(POL)DC/DC和其他同步降压应用，MOSFET的P沟道技术不需要使用电平转换电路或“自举”器件，简化了栅极驱动的设计。

SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ进行了100%的Rg测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件规格表：

编号	V_DS (V)	V_GS (V)	R_DS(ON) (mΩ) @
编号	V_DS (V)	V_GS (V)	−10 V	−4.5 V	−2.5 V	−1.8 V	−1.5 V
SiA467EDJ	-12	8	-	13	19.5	40	-
SiA437DJ	-20	8	-	14.5	20.5	33.0	65.0
SiA449DJ	-30	12	20	24	38	-	-
SiA483DJ	-30	20	21	30	-	-	-

SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

关键字：Vishay MOSFET 导通电阻电源管理编辑：刘燚引用地址：Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻

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