如何估计电源管理IC的连接线载流能力

最新更新时间:2013-09-22来源: 电子发烧友关键字:载流  连接线  电源管理 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章


  连接线广泛用于连接芯片的引线端子和半导体器件的外部引脚。连接所用导线一般由黄金制成,因为黄金能抵御氧化,并具备很高的导电性,而且用黄金可相对容易地连接IC引线端子和器件引脚。

  用铜导线取代黄金导线的方法势头越来越强,因为铜具备卓越的电气和热特性、相对更少的金属间化合生长和更高的机械稳定性。

  在电源管理IC等具备大DC电流的器件中,会使用大量导线来传导这种电流。这些额外的导线有助于改善DC压降性能,并降低由大电流及其产生的有关热量(焦耳生热现象)导致的导线熔断或融化风险。不幸的是,就给定应用而言,还没有一种能用来估计导线数量和尺寸的方法或分析方法。所使用的导线数量或者太多,增加了芯片面积和成本,或者太少,导致可靠性风险和器件失灵。

  本文探讨一种方法,用来估计不同尺寸和类型的导线处理DC电流的能力。本文还提供一些指导原则,将有助于产品设计师估计特定的应用所需的最佳导线数量。

  估计理论上的载流能力

  导线熔断的经典设计方程是由W.H. 普里斯推导出来的(1884年,称为普里斯方程),仅适用于在自由空气中的导线。

  该方程揭示了熔断电流(以安培为单位)和导线直径(以英寸)为单位之间的关系,如下所示。

  i=kD3/2

  其中,i是DC或RMS电流;k是常数,其值取决于导线材料,就黄金和铜导线而言,k=10,244;D=导线直径(单位为英寸)。

  这个方程的限制是,它仅适用于在自由空气中的导线。此外,它未考虑导体长度。而导线的载流能力是受长度影响的,而且会随着长度增加而降低。

  经过修改的普里斯方程

  为了解决上述限制,人们对普里斯方程进行了修改,用数值更大的常数k来反映典型应用的情况,在典型应用中,导线是用基于环氧树脂的模塑化合物密封的。这个常数k也反映了导线长度对导线载流能力的影响。导体长度≤0.040”时,黄金和铜导线的k值均为30,000,而在导体长度》 0.040”时,其k值均为20,500。

  军用规格(MIL-M-38510J)中提到的方程就是基于修改过的普里斯方程。

  表1列出了用两个版本的普里斯方程计算出的两种类型导体的载流能力。

  

  表1 基于普里斯方程计算出的载流能力

  即使是修改过的普里斯方程,仍然存在限制:

  1所显示的载流能力值是与材料无关的。与黄金导线相比,铜导线的热导率高20%,电导率高30%,这从理论上应该转化为,铜导线能比黄金导线传送更大的电流。

  2 该方程没有推断导体长度超出0.040”(约为1mm导线长度)时导体的载流能力。大多数应用的导线长度在2~3mm范围内,有时还会超出这一范围。随着导体长度的变化,导线的载流能力有很多的变化,而该方程没有考虑这种情况。

  鉴于上述限制,有必要寻找一种新的方法,这种方法须考虑已知几何尺寸及材料特性信息以及典型应用造成的限制。

  导体中的焦耳生热现象

  当电流流经一段非理想的、具备有限电阻的导体时,就会有热量释放出来,通过称为焦耳生热或电阻生热的过程,将电能转化成热能。所释放的热量大小与通过导体的电流的平方以及导体的电阻成正比,3者关系如下:

  Qgenerated=I2R

  就一段被静止空气包围的导体而言,产生的所有热量都通过导体散出,而没有热量从导体表面传导出去。当以下等式成立时,系统达到稳定状态:

  Qgenerated=Qdissipated

  通过由以下等式显示的简单热量传导过程,所产生的热量通过这段导线散出:

  Qdissipated=kAdt/dx

  其中,k是导线的热传导率;A=导线的横截面积;dT=导线两端的温度差;dx=导线长度。

  重新排列上述等式并简化为:

  

  进行进一步简化:

  

  根据上述关系,假定其他所有条件都保持相同,那么与黄金导线相比,铜导线能处理的DC或RMS电流应该大25%。

  在大多数实际应用中,热量不仅能通过导线传导出去,而且还能通过环氧树脂模塑化合物,从导线表面在径向方向传导出去。二者结合以后的热传导现象很复杂,不可能用闭环的方程准确分析。因此,人们运用具备热电耦合物理求解程序的有限的元件建模软件来分析不同导线参数的作用。


  应用描述和建模

  在由导线连接的典型封装中,芯片上焊盘,这些焊盘用导线连接到封装引线,导线主要是黄金或铜质的。图1显示了一种典型的封装构造。

  

  图1具备重要温度监视点的PCB上的封装

  商业应用将最高环境温度限制为不超过70℃,而工业应用则将该温度限定为85℃。大多数应用规定,芯片的最高节温为125℃,而有些应用则规定该温度为150℃。

  为了估计在最坏情况下导线的载流能力,该模型假定,最高芯片节温为125℃时的环境温度为工业环境温度。自然对流边界条件适用于封装表面,这时封装引线温度为100℃。

  小量电流流经导线时,不改变整条导线的温度曲线,导线两端仍然保持相同的原始温度。随着电流的稳步增大,最高温度不再是芯片节温,而是导线中间某处的温度。

  在模塑化合物的玻璃化转变温度(Tg)上,材料从硬的、相对较脆的状态转变为软的、类似橡胶的状态,这时典型温度大约为150℃。如果流经导线的电流使模塑化合物的温度超过其Tg温度,那么时间和温度将使这条连接线上的环氧树脂材料的化学键劣化。这不仅导致模塑化合物的热阻增大,而且增大了材料的渗透性,使材料容易侵入潮气和其他离子污染物。因此,在计算导线的载流能力时,假定150℃的导线-模塑化合物连接线温度为上限温度。

  以此为标准,来分析导线材料的类型、导线长度和导线直径的影响,并将分析数据与理论上的估计值进行比较。

  图2显示了采用3种方法计算出的1mm长黄金导线的载流能力。利用FEM方法所得的电流值在开始时,与利用修改过的普里斯方程计算出的电流值相同,不过随着导线直径增大,两条电流曲线出现了偏离。

  

  图2 用FEM方法和修改过的普里斯方程计算出的1mm长黄金导线的载流能力

  图3显示了用FEM方法计算出的1mm长黄金导线及铜导线的载流能力。正如所预期的那样,与黄金导线相比,铜导线能传送更大的电流。

  

  图3 用FEM方法算出的1mm长黄金及铜导线的载流能力

  图4显示用FEM方法计算出的3种不同长度黄金导线的载流能力。正如所预期的那样,随着长度增加,导线传送电流的能力下降了。

  

  图4 用FEM方法计算出的3种不同长度黄金导线的载流能力

  表2总结了不同导线组合的电流值(单位:安培)。

  表2 不同导线组合的电流值(单位:安培)总结

  

  总之,本文针对实际应用环境,阐明了导线材料类型、导线长度和导线直径对导线载流能力的影响。本文还探讨了用常规方法估计载流能力产生的限制。

关键字:载流  连接线  电源管理 编辑:探路者 引用地址:如何估计电源管理IC的连接线载流能力

上一篇:如何估计电源管理IC的连接线载流能力
下一篇:LMK0480X 产品供电电源设计指导

推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 22:26

奥地利微电子为锂电池供电设备推出可配置电源管理芯片AS3715
AS3715适用于运动摄影相机和便携式导航设备。 中国,2014年9月15日——领先的高性能模拟IC和传感器供应商奥地利微电子公司(SIX股票代码:AMS)今日宣布推出一款可配置的电源管理芯片——AS3715。这款芯片使原始设备制造商能够以相同的硬件设计实现多种终端产品的电源电路。 新的AS3715包含所有锂电池驱动手持设备电源解决方案所必不可少的电源管理构件,包括运动摄影相机、导航设备、平板电脑、媒体播放器以及游戏操纵杆等。 AS3715应用范围广泛,对启动配置进行编程的能力可使电源系统轻松适应不同应用的处理器。启动程序和内置的直流-直流转换器输出的可编程性使设计团队无需重新调整电路板设计也能随
[电源管理]
AudioPlus智能电源管理方案
  欧胜微电子最新推出AudioPlus™智能电源产品线的配套产品。WM8400将多媒体编码解码器(CODEC)和内置电源管理功能相结合,在2008年2月11-14日于巴塞罗那举行的世界移动大会上展出。   WM8400功能包括多媒体CODEC,内置锁频环(FLL),两个直流—直流转换器和4个低压差线性稳压器(LDO),封装于为6x6mm的BGA。WM8400硬件控制功能可以支持先进的多媒体附助处理器所需的常规电源管理需要。与目前所采用的独立CODEC和电源管理芯片(通常需两个或更多的独立元件)相比,WM8400可帮助移动手机设计师节省25%的设备材料清单和40%的占板面积。   WM8400结合了一个低功耗音频COD
[新品]
欧胜针对便携应用推出高电流单片电源管理芯片
      欧胜微电子股份有限公司今日宣布推出极富创新的WM8325电源管理子系统,该子系统是世界上最高电流的单片电源管理芯片(PMIC),它为包括智能本、平板电脑、电子书、媒体播放器以及智能手机在内的各种便携式多媒体应用提供了一种高性价比、灵活的解决方案.       WM8325的特点是带有4个可编程的直流-直流转换器,其中包含一个可以提供高达2.5A的转换器;它同时还集成了11个低压差线性稳压器(LDO),其中的4个用于以低噪音方式为灵敏的模拟子系统供电。其经过优化的QFN封装是为了改进热性能和减少寄生元件,同时确保能够采用低成本的4层印制电路板(PCB)来制造。这种封装允许在所有高电流路径上采用大型的PCB线径,
[电源管理]
欧胜针对便携应用推出高电流单片<font color='red'>电源管理</font>芯片
ADI 推出高度集成的电源管理解决方案
Analog Devices (ADI) 宣布推出 Power by Linear™ LTC3372 ,该器件是一款高度集成的电源管理解决方案,适合那些需要从一个高达 60V 的输入电压产生多个低电压输出的系统。LTC3372 具有一个 60V 同步降压型开关稳压控制器和四个位于该控制器之后的可配置同步单片式降压型稳压器。这种组合在单颗 IC 中提供了多达 5 个高效率低静态电流输出,非常适合汽车、工业和医疗应用。 LTC3372 的降压型控制器在 4.5V 至 60V 的输入电压范围内工作,并驱动一个全 N 沟道 MOSFET 功率级。其输出可设置为 3.3V 或 5V,并能产生一个高达 20A 的输出电流。控制器输出通常
[电源管理]
瑞萨电子推出的满足ASIL B标准的全新电源管理IC
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布,推出面向下一代车载摄像头应用的创新车规级电源管理IC(PMIC)——RAA271082。作为一款符合ISO-26262标准的多功能多输出电源IC,RAA271082包含一个初级高压同步降压稳压器、两个次级低压同步降压稳压器和一个低压LDO稳压器,并提供四个过压和欠压(OV/UV)监控器、I2C通信、一个可配置通用I/O引脚,以及一个专用复位输出/故障指示。为满足严格的ASIL B标准,RAA271082具备用于OV/UV监控器的第二独立参考、内置上电自检、独立OV/UV监控器,以及内部寄存器和I2C通信的连续CRC错误校验。 高度集成的RAA271082为车载摄像头
[汽车电子]
瑞萨电子推出的满足ASIL B标准的全新<font color='red'>电源管理</font>IC
安森美半导体扩充计算机和游戏机应用电源管理产品
全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)推出24款新的30伏(V)、N沟道沟槽(Trench)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封装, 为计算机和游戏机应用中的同步降压转换器提供更高的开关性能。 新系列的MOSFET利用安森美半导体获市场验证的沟槽技术,提供优异的导通阻抗 及更高的开关性能,用于个人计算机(PC)、服务器、游戏机、处理器稳压电源(VRM)及负载点(POL)应用中的同步直流-直流(DC-DC)转换器。直接替代NTD48x、NTMFS48x及NTMS
[电源管理]
电源管理半导体前景黯淡短期内增长迟缓
  电源管理半导体厂商可能必须遵守“创新或死亡”的信条,以便在竞争日趋激烈的市场中保持生存。   虽然电源管理半导体的短期增长情况保持健康,预计2008年营业额增长5%达到277亿美元左右,但较长期的前景仍然黯淡。   几个季度以来,iSuppli公司不断指出电源管理市场面临动荡,有些企业会比其它企业更加成功。iSuppli公司认为,电源管理市场的掠夺性越来越强,有些厂商显著成长——部分在于产业增长,但主要是因为产品的大众化,以及与OEM和ODM展开了富有成效的合作。   与此同时,iSuppli公司预测,有些在早期推出创新性产品的供应商,将能够从其它厂商手中夺得市场份额。尽管许多原有供应商一直投资开发用于电源管
[电源管理]
具强大 GUI 的 4 通道数字电源管理器可加快开发进程
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) – 2012 年 2 月 22 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具 EEPROM 的电源管理器 LTC2974,该器件以 4 个或更多电源轨实现完整的数字电源系统管理。LTC2974 运用一个 I2C 接口和 PMBus 命令集来监视并控制正或负电源,可在电源系统设计、开发、生产和故障分析时,提供快速故障查找和调试功能。任何具“运行”引脚的电源都可利用跟踪或基于时间的事件进行排序和控制。LTC2974 的 4 个通道同时地监视电压和电流以及外部温度,因此用户可以补偿移位 MOSFET 的 RDS(ON) 或电感器 DCR
[电源管理]
具强大 GUI 的 4 通道数字<font color='red'>电源管理</font>器可加快开发进程
小广播
最新电源管理文章
换一换 更多 相关热搜器件
随便看看
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved