飞兆半导体推出1200 V 沟槽型场截止IGBT-电子工程世界

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高压IGBT可降低高功率太阳能逆变器、UPS和电焊机中的总功耗、电路板尺寸和整体系统成本

飞兆半导体是全球领先的高性能电源和移动半导体解决方案的提供商，其推出一系列1200 V沟槽型场截止IGBT。以硬开关工业应用为目标，如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和电焊机，此新型IGBT 系列将帮助电源工程师在其设计中实现更好的效率和可靠性。

这种新型1200 V场截止IGBT系列具有1.8 V的VCE(SAT)，其远低于以前的快速开关NPT IGBT，可最大程度地降低导通损耗。这些新器件具有1200V快速开关IGBT市场中提供的最低VCE(SAT) 额定值之一。开关损耗较低， EOFF 值在30 µJ/A以下。所有器件均包含为快速开关优化的相同封装的二极管。

“需要创新的新型功率电子技术帮助光伏逆变器生产商降低成本、提高效率并增强可靠性。”工业功率系统总监MH Lee先生说。“我们的1200 V沟槽型场截止IGBT系列可帮助客户提高其太阳能逆变器设计中的能效和可靠性，并帮助制造商满足政府法规和最终客户不断节能的需求。”

1200 V 场截止沟道IGBT系列还允许设计人员在比竞争解决方案更高的开关频率下操作器件，从而有助于减小电容的尺寸和成本以及电路中的电感组件。这样可实现具有较高功率密度、较小尺寸和较低物料成本的系统设计。

此IGBT系列100%经过在额定电流四倍的电流下箝位电感开关测试，以保证较大的安全工作区(SOA)。

这些产品采用具有20mm引脚长度的较小TO247封装（与之前系列的TO264封装相比），并提供15、25和40 A的额定电流。

特点与优势：

低饱和电压： VCE(SAT) = 1.8 V @ 额定集电极电流(Ic)
• 高速开关： • 低 EOFF = 6.6µJ/A
宽SOA（100%电感负载开关测试；ILM = 4倍Ic额定值）
易于并联运行（正温度系数）
Tj = 175°C（最大结温）
高输入阻抗
符合 RoHS 标准

飞兆半导体的沟槽型场截止IGBT提供业界领先的技术，可应对当今设计中遇到的能效和外形尺寸挑战。这些应用都是飞兆半导体节能型功率模拟IC、功率分立式器件和光电子器件解决方案的一部分，而这些解决方案可在功率敏感型应用中实现最大限度的节能。

报价:（订购 1,000 个,美元）

编辑：冀凯引用地址：飞兆半导体推出1200 V 沟槽型场截止IGBT

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